专利类型:发明专利
发明人:陈天磊,史书刚,韩玉成,彭昌文,黄钰洁,方亮,朱威禹,廖东
申请号:CN201910593369.0
申请日:20190703
公开号:CN110190020A
公开日:
20190830
专利内容由知识产权出版社提供
摘要:本发明提供一种刻蚀方法及系统,涉及技术领域。该刻蚀方法用于对基片进行干法刻蚀,刻蚀方法包括以下步骤:将硅胶垫的一面与基片的一面紧贴;将硅胶垫的另一面与散热组件紧贴;对基片进行刻蚀。通过在基片上贴附硅胶垫的方式保证基片与散热组件之间的紧贴,从而避免在刻蚀过程中基片散热的不均匀,进而提高良品率和生产效率。 申请人:中国振华集团云科电子有限公司,贵州振华电子信息产业技术研究有限公司 地址:550000 贵州省贵阳市乌当区新添大道北段268号附1号
国籍:CN
代理机构:北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙)
代理人:倪静