专利类型:发明专利
发明人:郑桦,宋超,李桐霞,林泽键,黄锐,王祥,郭艳青,宋捷申请号:CN201610854641.2
申请日:20160927
公开号:CN107868662A
公开日:
20180403
专利内容由知识产权出版社提供
摘要:本发明公开了一种上转换发光材料的制造方法,形成步骤包括:步骤一、提供多靶磁控溅射设备;步骤二、安装靶材,靶材根据所要形成的稀土掺杂硫氧化物进行选取,包括:稀土掺杂硫氧化物的硫氧化物基质材料对应的基质稀土氧化物靶和基质稀土硫化物靶,稀土掺杂硫氧化物的稀土掺杂材料对应的掺杂稀土靶;步骤三、将衬底放入到共溅射反应室的基片座上;步骤四、将对共溅射反应室进行抽真空;步骤五、通入溅射气体并进行衬底温度为室温~400摄氏度的溅射工艺在衬底表面形成所述稀土掺杂硫氧化物。本发明能在较低温度下实现材料的大面积生长,能与微电子工艺技术相兼容,工艺简单、成本低,并能有效的与太阳能电池的制备过程相结合。 申请人:韩山师范学院
地址:521041 广东省潮州市湘桥区桥东韩山师范学院
国籍:CN
代理机构:上海浦一知识产权代理有限公司
代理人:郭四华