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...性能CuSe块体热电材料及其快速制备方法[发明专利]

专利名称：一种具有纳米孔结构的高性能CuSe块体热电材料及其快速制备方法

专利类型：发明专利

发明人：唐新峰，付帆，任广坤，刘雅梅，张清杰

申请号：CN201310225417.3

申请日：20130607

公开号：CN103909264A

公开日：

20140709

专利内容由知识产权出版社提供

摘要：本发明提供了一种具有纳米孔结构的高性能CuSe块体热电材料及其快速制备方法，具体步骤为：1）按化学计量比2:1准备Cu粉和Se粉作为原料，然后将Cu粉和Se粉混合均匀得到反应物；2）所述反应物采用直接起爆或恒温起爆的方式引发自蔓延反应，反应完成后自然冷却；3）进行等离子活化烧结，得到具有纳米孔结构的高性能CuSe块体热电材料。本发明采用自蔓延燃烧合成结合等离子活化烧结工艺，在20min内制备出热电性能优值ZT在727℃达到1.9的CuSe块体纳米热电材料，具有制备时间短、工艺简单、成分控制精确、材料的热电性能高、适宜规模化生产等优点，具有巨大商业化应用前景。

申请人：武汉理工大学

地址：430070 湖北省武汉市洪山区珞狮路122号

国籍：CN

代理机构：湖北武汉永嘉专利代理有限公司

代理人：唐万荣

本文发布于:2024-09-23 04:24:07，感谢您对本站的认可！

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