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一种高荧光量子产率的碳量子点制备方法及应用[发明专利]

专利名称：一种高荧光量子产率的碳量子点制备方法及应用专利类型：发明专利

发明人：田阳，刘智超

申请号：CN202210108394.7

申请日：20220128

公开号：CN114574196A

公开日：

20220603

专利内容由知识产权出版社提供

摘要：本发明公开了一种高荧光量子产率的碳量子点的制备方法及其应用，属于纳米技术和荧光成像领域。本发明首先合成三种含有氨基、羟基、羰基等官能团的碳量子点，然后对三种碳量子点进行表面修饰，显著提升碳量子点的荧光量子产率。本发明所述的碳量子点绝对荧光量子产率最高提升至62.1％。本发明还公开了所述高荧光量子产率的碳量子点在超稳定白光发射和超分辨荧光成像方面的应用。本发明所述的合成方法简单、方便，制备得到的碳量子点具有高荧光量子产率、毒性低、抗光漂白能力强。

申请人：华东师范大学

地址：200241 上海市闵行区东川路500号

国籍：CN

代理机构：上海麦其知识产权代理事务所(普通合伙)

代理人：董红曼

本文发布于:2024-09-22 14:40:08，感谢您对本站的认可！

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