[19]
中华人民共和国国家知识产权局
[12]发明专利申请公开说明书
[11]公开号CN 1886890A [43]公开日2006年12月27日
[21]申请号200480035172.7[22]申请日2004.11.15
[21]申请号200480035172.7
[30]优先权
[32]2003.11.28 [33]JP [31]400262/2003
[86]国际申请PCT/JP2004/016938 2004.11.15
[87]国际公布WO2005/053149 JA 2005.06.09
[85]进入国家阶段日期2006.05.26[71]申请人松下电器产业株式会社
地址日本大阪府
[72]发明人土方克昌 林锭二
[74]专利代理机构中国国际贸易促进委员会专利商标事务所代理人曲瑞
[51]Int.CI.H03D 7/00 (2006.01)H03D 7/14 (2006.01)
权利要求书 5 页 说明书 30 页 附图 13 页
[54]发明名称
[57]摘要
在谋求低频的低噪声特性的接收系统的混频器
电路中，通过使旁路电流源(41)与LO晶体管(21)并
联连接在IF输出端子(33)和RF晶体管(11)的漏极端 子之间、使旁路电流源(42)与LO晶体管(22)并联连
接在IF输出端子(34)和RF晶体管(11)的漏极端子之
间，能够不减小在RF晶体管(11)中流动的偏置电流 地来减小在LO晶体管(21，22)中流动的电流。由此，
能够不降低混频器的增益地来降低由LO晶体管(21，
22)发生的闪烁噪声，从而提供了能够改善低频时
的NF特性的、低频噪声特性优良的混频器电路。
200480035172.7权 利 要 求 书第1/5页 1.一种混频器电路，其特征在于，具有：
混频器，该混频器通过在电源和地之间级联连接IF信号输出负载部、LO信号处理部以及RF信号处理部而形成；
R F信号供给器，用于向所述R F信号处理部提供R F信号； L O信号供给器，用于向所述L O信号处理部提供L O信号；以及
至少一个旁路电流供给部，该旁路电流供给部对所述LO信号处理部的偏置电流进行分流。
2.如权利要求1所述的混频器电路，其特征在于： 所述旁路电流供给部与所述L O信号处理部并联连接。
3.如权利要求1所述的混频器电路，其特征在于： 所述旁路电流供给部仅向所述RF信号处理部追加提供偏置电流。
4.如权利要求1所述的混频器电路，其特征在于，所述旁路电流供给部具有：
第一旁路电流源，用于仅向RF信号处理部追加提供偏置电流；以及
第二旁路电流源，用于仅向IF信号输出负载部追加提供偏置电流。
5.一种混频器电路，其特征在于，具有：
单平衡混频器，该单平衡混频器通过在电源和地之间级联连接IF 信号输出负载部、L O信号处理部以及R F信号处理部而形成； R F信号供给器，用于向所述R F信号处理部提供R F信号； L O信号供给器，用于向所述L O信号处理部提供L O信号；以及
至少1个旁路电流供给部，该旁路电流供给部对所述LO信号处理部的偏置电流进行分流，
其中，所述IF信号输出负载部具有：第一负载电阻，其一个端子被连接到电源上，另一个端子被连接到第一IF输出端子上；以及第二负载电阻，其一个端子被连接到电源上，另一个端子被连接到第二IF输出端子上；
所述R F信号处理部具有源极端子接地的R F晶体管； 所述LO信号处理部具有：第一LO晶体管，其源极端子被连接到所述RF晶体管的漏极端子上，其漏极端子被连接到所述第一IF输出端子上；以及第二LO晶体管，其源极端子被连接到所述RF晶体管的漏极端子上，其漏极端子被连接到所述第二IF输出端子上。
6.如权利要求5所述的混频器电路，其特征在于，所述旁路电流供给部具有：
第一旁路电流源，其与所述第一LO晶体管并联连接在所述第一IF输出端子和所述RF晶体管的漏极端子之间；以及
第二旁路电流源，其与所述第二LO晶体管并联连接在所述第二IF输出端子和所述RF晶体管的漏极端子之间。
7.如权利要求5所述的混频器电路，其特征在于： 所述旁路电流供给部具有连接在电源和所述RF晶体管的漏极端子之间的、用于仅向所述RF晶体管追加提供偏置电流的第一旁路电流源。
8.如权利要求5所述的混频器电路，其特征在于，所述旁路电流供给部具有：
第一旁路电流源，其被连接在电源和所述RF晶体管的漏极端子之间、用于仅向所述RF晶体管追加提供偏置电流；
第二旁路电流源，其被连接在所述第一IF输出端子和地之间、用于仅向所述第一负载电阻追加提供偏置电流；以及， 第三旁路电流源，其被连接在所述第二IF输出端子和地之间、用于仅向所述第二负载电阻追加提供偏置电流。
9.一种混频器电路，其特征在于，具有：
双平衡混频器，该双平衡混频器通过在电源和地之间级联连接IF
信号输出负载部、L O信号处理部以及R F信号处理部而形成； R F信号供给器，用于向所述R F信号处理部提供R F信号； L O信号供给器，用于向所述L O信号处理部供给L O信号；以及
至少1个第1旁路电流供给部，该第1旁路电流供给部对所述LO信号处理部的偏置电流进行分流，
其中，所述IF信号输出负载部具有：第一负载电阻，其一个端子被连接到电源上，另一个端子被连接到第一IF输出端子上；以及第二负载电阻，其一个端子被连接到电源上，另一个端子被连接到第二IF输出端子上；
所述RF信号处理部具有源极端子接地的第一RF晶体管以及第二RF晶体管；
所述LO信号处理部具有：第一LO晶体管，其源极端子被连接到所述第一RF晶体管的漏极端子上，其漏极端子被连接到所述第一IF输出端子上；第二LO晶体管，其源极端子被连接到所述第一RF 晶体管的漏极端子上，其漏极端子被连接到所述第二IF输出端子上；第三LO晶体管，其源极端子被连接到所述第二RF晶体管的漏极端子上，其漏极端子被连接到所述第一IF输出端子上；以及第四LO晶体管，其源极端子被连接到所述第二RF晶体管的漏极端子上，其漏极端子被连接到所述第二IF输出端子上。
10.如权利要求9所述的混频器电路，其特征在于，所述旁路电流供给部具有：
第一旁路电流源，与所述第一LO晶体管并联连接在所述第一IF 输出端子和所述第一RF晶体管的漏极端子之间；
第二旁路电流源，与所述第二LO晶体管并联连接在所述第二IF 输出端子和所述第一RF晶体管的漏极端子之间；
第三旁路电流源，与所述第三LO晶体管并联连接在所述第一IF 输出端子和所述第二R F晶体管的漏极端子之间；以及， 第四旁路电流源，与所述第四LO晶体管并联连接在所述第二IF
输出端子和所述第二RF晶体管的漏极端子之间。
11.如权利要求9所述的混频器电路，其特征在于，所述旁路电流供给部具有：
第一旁路电流源，与所述第一LO晶体管并联连接在所述第一IF 输出端子和所述第一R F晶体管的漏极端子之间；以及， 第二旁路电流源，和所述第四LO晶体管并联连接在所述第二IF 输出端子和所述第二RF晶体管的漏极端子之间。
12.如权利要求9所述的混频器电路，其特征在于，所述旁路电流供给部具有：
第一旁路电流源，其被连接在电源和所述第一RF晶体管的漏极端子之间、用于仅向所述第一RF晶体管追加提供偏置电流；以及， 第二旁路电流源，其被连接在电源和所述第二RF晶体管的漏极端子之间、用于仅向所述第二R F晶体管追加提供偏置电流。
13.如权利要求9所述的混频器电路，其特征在于，所述旁路电流供给部具有：
第一旁路电流源，其被连接在电源和所述第一RF晶体管的漏极端子之间、用于仅向所述第一R F晶体管追加提供偏置电流； 第二旁路电流源，其被连接在电源和所述第二RF晶体管的漏极端子之间、用于仅向所述第二R F晶体管追加提供偏置电流； 第三旁路电流源，其被连接在所述第一IF输出端子和地之间、用于仅仅向所述第一负载电阻追加提供偏置电流；以及， 第四旁路电流源，连接在所述第二IF输出端子和地之间、用于仅向所述第二负载电阻追加提供偏置电流。
14.如权利要求1、5、9中任意一项所述的混频器电路，其特征在于，所述第一至第四旁路电流源具有：
偏置电路，具有偏置电压输出端子；以及
电流源晶体管，其栅极端子被连接到所述偏置电压输出端子上。
15.如权利要求1、5、9中任意一项所述的混频器电路，其特征在于：
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