光源以及生成极紫外光的方法与流程

1.本发明的实施例涉及一种光源以及生成极紫外光的方法。

背景技术

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：：2.生产半导体装置、半导体基板(例如作为半导体装置的原材料的硅晶片)必须经过一系列复杂而精密的工艺工序。通常，要完成所述系列，必须将晶片从一台制作设备物理运输到另一台制作设备。在这些制作设备中，在半导体基板上进行扩散、离子注入(ionimplantation)、化学气相沉积(chemicalvapordeposition)、光刻(photolithography)、蚀刻、物理气相沉积(physicalvapordeposition)、化学机械抛光(chemicalmechanicalpolishing)等各种工艺。3.光刻(也称为光学光刻(opticallithography)或光刻(lithography))是一种工艺，用于使用光线将光掩模(例如，模板)的复杂图案转移到基板(例如，晶片)的涂有光刻胶的表面上。后续工艺包括在基板上制造光掩模的永久图案的蚀刻。4.在现代光刻工艺中，产生极紫外(extremeultraviolet，euv)光的光源用于将高度复杂的图案转移到基板上。技术实现要素：5.本发明的实施例是有关于一种光源，用于光刻制造工艺，所述光源包括：处理器；液滴产生器，产生液滴；集光器，将极紫外光反射至中间焦点；光产生器，产生预脉冲光和主脉冲光；以及热影像撷取装置，撷取来自集光器的反射面的热影像，其中响应于使用预脉冲光和主脉冲光照明液滴，液滴产生极紫外光。6.本发明的另一实施例是有关于一种光源，用于光刻制造工艺，所述光源包括：处理器；液滴产生器，产生液滴；集光器，包括将极紫外光反射至中间焦点的反射面；光产生器，产生预脉冲光和主脉冲光；以及多个热电致冷模块，位于集光器的多个位置，其中响应于使用预脉冲光和主脉冲光照明液滴，液滴产生极紫外光。7.本发明的又一实施例是有关于一种生成极紫外光的方法，用于半导体制造工艺，所述生成极紫外光的方法包括：在多个位置处测量集光器的温度；基于在多个位置处测量集光器的温度，通过处理器确定等离子体到集光器表面的撞击方向；以及通过处理器调整液滴的速度、液滴的行进路径、主脉冲光的照明角度或主脉冲光的照明时序中的至少一者。附图说明8.结合附图阅读以下详细说明，会最佳地理解本公开的各个态样。应注意，根据本行业中的标准惯例，图式中的各种特征并非按比例绘制。事实上，为使论述清晰起见，可任意增大或减小各种特征的尺寸。9.图1是根据本发明中的一个或多个实施例的光刻设备中光源的示意性剖视图。10.图2a和图2b是根据本发明中的一个或多个实施例的光源的示意性剖视图，所述光源包括用于感测从集光器(collector)表面的各个区域发出的红外辐射的强度的热影像撷取装置。11.图3是热影像撷取装置基于如图2a所示的等离子体所收集的热影像资料。12.图4是根据本发明的一个或多个实施例的说明调整等离子体到集光器表面的方向以降低在自清洁(self-cleaning)工艺期间引起的氢化锡(snh4)分解的可能性的方法的流程图。13.图5是根据本发明中的一个或多个实施例的光源的示意性剖视图，所述光源包括液滴产生器和液滴捕集器。14.图6是根据本发明的一个或多个实施例的说明调整等离子体到集光器表面的方向以降低在自清洁工艺期间引起的氢化锡(snh4)分解的可能性的方法的流程图。15.图7是根据本发明的一个或多个实施例的安装在集光器的背侧上的热电致冷模块(thermoelectriccoolingmodules)的示意图。16.图8是根据本发明的一个或多个实施例的集光器的局部剖视图，所述集光器包括基板、具有多层涂布(multi-layercoating)的反射层以及热电致冷模块。17.图9是根据本发明的一个或多个实施例的说明调整等离子体到集光器表面的方向以降低在自清洁工艺期间引起的氢化锡(snh4)分解的可能性的方法的流程图。18.图10是根据本发明的一个或多个实施例的说明调整等离子体到集光器表面的方向以降低在自清洁工艺期间引起的氢化锡(snh4)分解的产生的方法的流程图。19.图11是根据本发明的一个或多个实施例的被分成彼此间隔开的多个个别的反射面的集光器的正面视图。20.图12是根据本发明的一个或多个实施例的包括个别反射面(individualreflectivesurfaces)502的集光器的局部剖视图。21.图13至图16是根据本发明的一个或多个实施例的利用间隔s作为气体注入通道来引入吹扫气体(purgegas)以清除集光器表面的锡液滴碎屑(tindropletdebris)的集光器的局部剖视图。22.图17是根据本发明的一个或多个实施例的说明调整来自间隔s的吹扫气体的方向以降低在自清洁工艺期间引起的氢化锡(snh4)分解的可能性的方法的流程图。具体实施方式23.以下揭露内容提供用于实作本发明的不同特征的诸多不同的实施例或实例。以下阐述组件及排列的具体实例以简化本

发明内容

。当然，该些仅为实例且不旨在进行限制。举例而言，以下说明中将第一特征形成于第二特征“之上”或第二特征“上”可包括其中第一特征及第二特征被形成为直接接触的实施例，且亦可包括其中第一特征与第二特征之间可形成有附加特征、进而使得所述第一特征与所述第二特征可能不直接接触的实施例。另外，本发明可能在各种实例中重复使用参考编号及/或字母。此种重复使用是出于简洁及清晰的目的，但自身并不表示所论述的各种实施例及/或配置之间的关系。24.另外，为易于说明，本文中可能使用例如“位于…之下(beneath)”、“位于…下方(below)”、“下部的(lower)”、“位于…上方(above)”、“上部的(upper)”等的空间相对性用语来阐述图中所示的一个器件或特征与另一器件或特征的关系。除图中所绘示的定向之外，所述空间相对性用语还旨在囊括器件在使用或操作中的不同定向。设备可具有其他定向(旋转90度或处于其他定向)，且本文中所使用的空间相对性阐述语可同样相应地进行解释。25.一般来说，光刻设备或工具包括光源、聚光透镜(condenserlens)、光掩模、投影透镜(projectionlens)和基板台(substratetable)。来自光源的例如极紫外光(euv光)的强光穿过聚光透镜、光掩模和投影透镜。在曝光工序中，在通过聚光透镜、光掩模和投影透镜之后，来自光源的光被引导到涂有光刻胶的基板(例如，晶片)上。通过将基板暴露于所述强光，来自光掩模的复杂图案被转移到基板上。26.为了产生适用于将光掩模的复杂图案(例如，＜5nm制造工艺的模板)一致地转移到基板(例如，晶片)的涂布有光刻胶的表面上的强光(例如euv光)，在光源的源容器(sourcevessel)中，将高能量光(例如，二氧化碳激光和准分子激光)照明到包含锡(sn)的非常小的液滴(例如，直径为30μm的液滴)。由于锡是euv光的高效产生器，将高能量光照明到由锡制成的液滴上而引起锡(sn)的激发。在一些实施例中，液滴包括纯锡(sn)、锡化合物(例如snh4)、锡合金(例如，锡镓合金、锡铟合金和锡铟镓合金)或其组合。27.锡激发产生极热的等离子体而产生大量高强度euv光(例如，中心波长为13.5nm的光)。为了在随后的曝光工序中使用euv光，euv光被集光器(例如，具有多层涂布的弯曲反射面)收集，所述集光器被配置为将euv光从等离子体选择性地反射至光源的源容器中的中间焦点。28.为了最大化或增加euv光反射并聚焦到光源的中间焦点的数量，清除集光器的反射面的污染物是有益的，所述污染物例如在锡激发工艺期间产生的锡液滴碎屑(或碎片(fragments))。为了清洁或去除沉积在弯曲反射面(以下称为“集光器表面”)上的锡碎屑，将氢气(h2)气流引入光源的源容器以蚀刻沉积在集光器表面上的锡液滴碎屑。由于氢气(h2)与沈积在集光器表面上的锡(sn)液滴碎屑发生化学反应，氢气(h2)和锡(sn)液滴碎屑转化为挥发性锡化合物(氢化锡(snh4))。通过将合适的吹扫气体(例如，氢气和氮气)引入到源容器中，氢化锡(snh4)可以通过吹扫出口(purgeoutlet)从源容器中移除。上述清洁工艺在本发明中将被称为“自清洁工艺”。29.根据本文描述的主题的实施例包括光刻系统中的光源，其通过有效地将集光器表面的温度保持在预定温度或在预定温度以下(例如，50℃或50℃以下)而能够维持光(例如euv光)的强度。根据本发明中公开的一个或多个实施例的光源能够将集光器表面的温度保持在预定温度以下。如上所述，热等离子体是由锡激发产生的。锡激发产生的热等离子体提高了集光器表面的温度(例如，高于预定温度)，导致较高的机率使氢化锡(snh4)中的锡(sn)从氢化锡(snh4)中释放出来并重新沉积在集光器表面。换句话说，根据本发明的各种实施例，对光源的集光器表面的温度进行控制来减少集光器表面上“热点”的整体区域(例如预定温度以上的区域)，以维持有效的自清洁工艺。30.根据本发明中公开的一个或多个实施例的光源还能够通过防止或减少集光器表面上的变形来延长集光器的使用寿命，所述变形由暴露于锡激发所产生的热等离子体而导致的集电器表面温度变化所引起的热应力产生。31.图1是根据本发明中的一个或多个实施例的光刻设备中光源200的示意性剖视图。32.请参考图1，光源200包括：液滴产生器202，用于将液滴(例如锡(sn)液滴)产生到源容器210中；液滴捕集器204，用于从液滴产生器202收集未使用或未被照射的液滴；集光器206，形成为将锡(sn)激发所产生的euv光选择性地反射至中间焦点208中；光产生器220(例如二氧化碳脉冲激光产生器和准分子激光产生器)，用于生成预脉冲光和主脉冲光；集光器206上的孔222(例如，开口)，允许预脉冲光和主脉冲光照明源容器210中的液滴；热影像撷取装置232，用于从集光器206(例如，集光器表面207)收集热影像资料；以及控制器300，用于控制光源200的组件(包括液滴产生器202、液滴捕集器204和光产生器220)以通过降低氢化锡(snh4)分解的可能性来维持或改善自清洁工艺的结果。如上所述，通过将集光器表面207的温度降低到相对低的值(例如，低于预定温度)，也降低了氢化锡(snh4)分解的可能性。33.根据本发明中的一个或多个实施例，控制器300包括输入电路302、存储器304、处理器306和输出电路308。控制器300包括(计算机)处理器306，其被配置为执行下述各种功能和操作，包括：通过输入电路302接收来自各种数据源(例如，来自热影像撷取装置232的热影像资料和来自如图7所示的热电致冷模块408的温度资料)的输入资料，并通过输出电路308传输输出资料(例如，用于液滴产生器202的液滴产生器控制信号，用于光产生器220的光控制信号和给如图7所示的比例积分微分(proportional-integral-derivative，pid)控制器412的温度设定信号)。存储器304储存通过输入电路302接收的热影像资料和温度资料。存储器304可以是或包括任何计算机可读取存储介质，例如包括只读存储器(read-onlymemory，rom)、随机存储器(randomaccessmemory，ram)、闪速存储器、硬盘驱动器、光存储器件、磁存储器件、电擦除可编程只读存储器(electricallyerasableprogrammableread-onlymemory，eeprom)、有机储存媒体(organicstoragemedia)等。34.根据各种实施例，光产生器220(例如二氧化碳脉冲激光产生器和准分子激光产生器)产生包括预脉冲光和主脉冲光的一串光脉冲，光产生器220所产生的光照明在源容器210中行进的锡液滴，从而导致锡激发。为了增加或最大化由利用主脉冲光的锡激发所产生的等离子体的量，在锡液滴被主脉冲光照明之前，预脉冲光照明锡液滴。被预脉冲光照射的锡液滴扩大其直径。当膨胀锡液滴(以下称为“锡盘(pancake)”)的直径与主脉冲光的光束尺寸匹配，且所述锡盘与源容器210中的主脉冲光的光束基本上重迭时，使得利用主脉冲光从锡激发中产生更多等离子体的机率较高。35.如上所述，用源容器210中的主脉冲光照射的锡盘会产生热等离子体。基于从锡盘所产生的等离子体的方向和等离子体相对于集光器表面207的相对位置，热等离子体所产生的热量使集光器表面207的温度分布发生变化。36.如下文将讨论的在本发明的一些实施例中，集光器表面207的热影像资料由热影像撷取装置232收集(例如，撷取和记录)，并且根据来自热影像撷取装置232的热影像资料，通过改变主脉冲光的照明时序(illuminatingtiming)(例如照射时序(irradiationtiming))和/或主脉冲光到锡盘的照明角度(illuminatingangle)a、a'(例如照射角度(irradiationangle))来决定等离子体相对于集光器表面207的方向并将其调整为所决定的方向。在本发明的一些实施例中，集光器表面207的热影像资料被热影像撷取装置232收集，并且根据来自热影像撷取装置232的热影像资料，通过改变来自液滴产生器202的锡液滴的速度和/或从液滴产生器202释放的锡液滴的行进路径，来决定等离子体向集光器表面207的方向并将其调整为所决定的方向，以形成特定形状的锡盘(例如，与主脉冲光成特定角度的锡盘位置)，如此，当用主脉冲光照射锡盘时，可能会在所决定的方向中产生热等离子体至集光器表面207。在一些实施例中，通过调整主脉冲光的照明时序、主脉冲光到锡盘的照明角度a、a'、从液滴产生器202释放的锡液滴的速度或从液滴产生器202释放的锡液滴的行进路径中的至少一个，来调整等离子体相对于集光器表面207的方向。37.根据各种实施例，在光源200中，将热影像撷取装置232(例如红外线相机、热成像相机(thermalimagingcamera)和热像仪)安装在适合测量集光器表面207发射的红外辐射的位置(例如横向地位于集光器表面207和中间焦点208之间的位置)。在一些实施例中，热影像撷取装置232能够通过实时感测从集光器表面207的各个区域发射的红外辐射的强度，收集来自集光器表面207(即具有多层涂布的弯曲反射面)的热影像资料。在各种实施例中，热影像撷取装置232包括对约1μm至约14μm的波长敏感的一个或多个红外传感器。基于热影像撷取装置232所收集的热影像资料和热影像撷取装置232与集光器表面207的相对定向，控制器300的处理器306分析集光器表面207上的表面温度分布并储存在集光器表面207上的座标(例如x-y和x-y-z)和存储器304中对应的温度。38.在本发明中，一个或多个红外传感器包含在热影像撷取装置232中以从集光器表面207中收集热影像资料。在一些实施例中，红外传感器包括一个或多个电荷耦合器件(chargecoupleddevice，ccd)传感器。在一些实施例中，红外传感器包括一个或多个互补金属氧化物半导体(complementarymetaloxidesemiconductor，cmos)传感器。在一些实施例中，红外传感器包括一种或多种可以承受来自锡激发所产生的热等离子体的热量和从集光器表面207收集热影像资料的其他类型的传感器。39.图2a是根据本发明中的一个或多个实施例的光源200的示意性剖视图，光源200包括用于感测从集光器表面207的各个区域发出的红外辐射的强度的热影像撷取装置232。如图2a所示，由于锡盘的形状(例如，与主脉冲光成特定角度的锡盘位置)，来自锡激发的等离子体的方向朝向集光器表面207的左下区域ll延伸。根据一些实施例，热影像撷取装置232感测从集光器表面207上的各个位置发射的红外辐射的强度，并将基于感测结果的热影像资料传输到控制器300的处理器306。在此实例中，热影像资料包括表示因等离子体相对于集光器表面207的方向而集光器表面207的左下区域ll较集光器表面207的其他区域热的热资料。40.如上所述，连同其他因素，锡盘的形状(例如，与主脉冲光成特定角度的锡盘位置)可以决定等离子体的方向。与如图2a中所示的锡盘相比，如图2b中所示的锡盘具有不同的形状(例如，与主脉冲光成特定角度的锡盘位置)。图2b是根据本发明中的一个或多个实施例的光源200的示意性剖视图，光源200包括用于感测从集光器表面207的各个区域发出的红外辐射的强度的热影像撷取装置232。如图2b所示，由于锡盘的形状(例如，与主脉冲光成特定角度的锡盘位置)，来自锡激发的等离子体的方向朝向集光器表面207的左上区域ul延伸。根据一些实施例，热影像撷取装置232感测从集光器表面207上的各个位置发射的红外辐射的强度，并将基于感测结果的热影像资料传输到控制器300的处理器306。在此实例中，热影像资料包括表示因等离子体相对于集光器表面207的方向而集光器表面207的左上区域ul较集光器表面207的其他区域热的热资料。41.图3是热影像撷取装置232基于如图2a所示的等离子体所收集的热资料的影像。热影像资料表示从集光器表面207上的各个位置发射的红外辐射的强度。基于红外辐射的强度(例如，红外辐射的强度和发射红外辐射的对应区域的温度在温度范围内成正比关系)，处理器306分析在集光器表面207的各个位置的红外辐射强度和储存包括集光器表面207上的座标和存储器304中的对应温度的温度分布资料。如图3所示，由于集光器表面207的左下区域ll处的红外辐射强度高于集光器表面207的其他区域，集光器表面207的左下区域ll比集光器表面207的其他区域更热。42.请参照图2a和图2b，如上所述，光源200包括热影像撷取装置232以实时收集来自集光器表面207(即具有多层涂布的弯曲反射面)的热影像资料。如图2a和图2b所示，基于锡盘的形状(例如，与主脉冲光成特定角度的锡盘位置)，通过将主脉冲光照明到锡盘上而产生的等离子体的方向朝向各个方向延伸。在非限制性实例中，如图2a所示，由于锡盘相对于主脉冲光而面朝下，等离子体的方向朝向集光器表面207的左下区域ll延伸。在其他非限制性实例中，如图2b所示，由于锡盘相对于主脉冲光而面朝上，等离子体的方向朝向集光器表面207的左上区域ul延伸。在本发明的一些实施例中，控制器300的处理器306以与主脉冲光成特定角度的方式调整锡盘的位置，来控制等离子体的方向。对于非限制性实例，可以调整锡盘的形状以改变等离子体相对于集光器表面207的方向。通过在规则的预定间隔期间改变等离子体相对于集光器表面207的方向，在集光器表面207上出现较可能发生氢化锡(snh4)的分解的热点的机率较小。43.根据主脉冲光的照明时序和/或主脉冲光到锡盘的照明角度a、a'可以调整等离子体相对于集光器表面207的方向。如后续将在本文中说明，在各种实施例中，为了防止集光器表面207上的热点因等离子体的过度暴露而增加snh4在集光器表面207热点处分解的可能性，控制器300的处理器306传输光控制信号到光产生器220以调整等离子体的方向、或以其他方式促使光产生器220调整等离子体的方向。根据本发明的实施例，基于来自从热影像撷取装置232的热影像资料，处理器306以通过调整主脉冲光的照明时序和/或主脉冲光到锡盘的照明角度a、a'的方式利用光控制信号调整等离子体的方向。44.如上所述，根据本发明的各种实施例，通过基于温度分布资料调节主脉冲光到膨胀液滴(即锡盘)的照明角度a、a'，控制器300的处理器306监测集光器表面207的温度并将集光器表面207的温度调节或控制成预定温度以下。如此一来，每预定间隔(例如，每10个主脉冲光照射)调整等离子体到集光器表面207的方向，以防止或减少导致氢化锡(snh4)的分解的热点(在集光器表面207上)的发生。45.在各种实施例中，控制器300基于从热影像撷取装置232接收的热影像资料和储存在存储器304中的主脉冲光资料库确定主脉冲光相对于膨胀液滴的照明角度a、a'。在一些实施例中，存储器304中的主脉冲光资料库包括照明角度匹配资料库，其中照明角度匹配资料库包括等离子体相对于集光器表面207的方向和对应的主脉冲光的照明角度。在一些实施例中，存储器304中的主脉冲光资料库包括照明时序匹配资料库，其中照明时序匹配资料库包括等离子体相对于集光器表面207的方向和对应的主脉冲光的照明时序。在一些实施例中，存储器304中的主脉冲光资料库包括结合照明角度匹配资料库和照明时序匹配资料库的资料库。46.在一些实施例中，通过输入电路302，控制器300的处理器306接收来自热影像撷取装置232的热影像资料。基于接收到的热影像资料以及热影像撷取装置232和集光器表面207的相对定向，处理器306产生集光器表面207的温度分布资料(例如，包括集光器表面207上的座标和在每个位置上的温度的资料)。在温度分布资料的基础上，处理器306进一步确定集光器表面207的多个位置中最冷的集光器表面207的位置。基于集光器表面207的确定位置，处理器306确定对应集光器表面207上的所述确定位置的等离子体相对于集光器表面207的方向。使用主脉冲光资料库，处理器306产生光控制信号(例如，调整主脉冲光的照明时序和/或主脉冲光的照明角度a、a'的光控制信号)经由输出电路308给光产生器220。47.在一些实施例中，通过输入电路302，控制器300的处理器306接收来自热影像撷取装置232的热影像资料。如上所述，基于接收到的热影像资料以及热影像撷取装置232和集光器表面207的相对定向，处理器306产生集光器表面207的温度分布资料(例如，包括集光器表面207上的座标和在每个位置上的温度的资料)。基于温度分布资料，处理器306确定集光器表面207中预定温度以下的两个或多个位置，并进一步从具有预定温度以下的温度的位置中选择一个位置。在一些实施例中，处理器306进行随机选择。在一些实施例中，处理器306根据预定顺序进行选择。根据集光器表面207的选定位置，处理器306确定对应集光器表面207上的所述选定位置的等离子体相对于集光器表面207的方向。使用主脉冲光资料库，处理器306产生光控制信号(例如，调整主脉冲光的照明时序和/或主脉冲光的照明角度a、a'的光控制信号)经由输出电路308给光产生器220。48.图4是根据本发明的一个或多个实施例的说明调整等离子体相对于集光器表面207的方向以降低氢化锡(snh4)分解的机率的方法的流程图。49.请参考图4，调整等离子体相对于集光器表面207的方向以降低氢化锡(snh4)分解的机率的方法包括：工序s100，从集光器表面207收集热影像资料；工序s102，分析热影像资料并生成温度分布资料；工序s104，确定等离子体相对于集光器表面207的方向；以及工序s106，调整主脉冲光的照明时序或主脉冲光的照明角度a、a'中的至少一个。50.从集光器表面207收集热影像资料的工序s100包括使用热影像撷取装置232撷取集光器表面207的热影像资料的工序。如上所述，根据一个或多个实施例，由热影像撷取装置232所撷取的集光器表面207的热影像资料包括热信息，所述热信息包含从集光器表面207的各个区域发射的红外辐射的强度。51.分析热影像资料并生成温度分布资料的工序s102包括基于热影像资料分析在集光器表面207上的表面温度分布的工序。热影像资料说明了从集光器表面207上各个位置发射的红外辐射的强度。处理器306分析红外辐射在集光器表面207各个位置的强度，并在集光器表面207上的每个位置确定相应的温度。处理器306进一步在存储器304中储存作为温度分布资料的集光器表面207的位置(例如，x-y和x-y-z)和对应的温度。52.确定等离子体相对于集光器表面207的方向的工序s104包括确定集光器表面207上的位置的工序，即基于热影像，预期所述集光器表面207上的位置在暴露于等离子体之后将其温度维持在预定温度以下。在一些实施例中，基于温度分布资料，处理器306确定集光器表面207的位置，即集光器表面207的多个位置中最冷的位置。基于集光器表面207的确定位置，处理器306确定对应集光器表面207上的所述确定位置的等离子体相对于集光器表面207的方向。在一些实施例中，在温度分布资料的基础上，处理器306确定集光器表面207中温度低于预定温度的两个以上的位置，并进一步从温度低于预定温度的位置中选择一个位置。在一些实施例中，处理器306进行随机选择。在一些实施例中，处理器306根据预定顺序进行选择。根据集光器表面207的选定位置，处理器306确定对应集光器表面207上的所述选定位置的等离子体相对于集光器表面207的方向。在一些实施例中，基于温度分布资料和集光器表面温度资料库(储存在存储器304中)，处理器306确定集光器表面207上的位置，即预期所述集光器表面207上的位置在暴露于等离子体之后将其温度维持在预定温度以下，其中集光器表面温度资料库包括在各个位置、在暴露于等离子体之前和之后的集光器表面207的温度历程。在一些实施例中，处理器306利用一个或多个人工智能技术(稍后将在本文中解释)来确定位置。基于集光器表面207的确定位置，处理器306确定对应集光器表面207上的所述确定位置的等离子体相对于集光器表面207的方向。53.调整主脉冲光的照明时序或主脉冲光的照明角度a、a'中的至少一个的工序s106包括调整主脉冲光的照明时序或主脉冲光的照明角度a、a'中的至少一个的工序，以将从锡盘产生的等离子体延伸到集光器表面207的确定位置。54.在一些实施例中，每次照射主脉冲光时，重复上述工序s100～工序s106以变换等离子体的方向(如有必要)。在一些实施例中，在预定间隔(例如，每十个主脉冲光照射)重复上述工序s100～工序s106以变换等离子体的方向。55.请再参考图2a、图2b和图3，光产生器220产生预脉冲光(例如，一个或多个预脉冲光)来扩大液滴(例如锡液滴)的直径，而主脉冲光用于从源容器210中的膨胀液滴产生热等离子体。被源容器210中的主脉冲光照射的膨胀液滴(即锡盘)产生热等离子体，从而产生高强度euv光。等离子体到集光器表面207的方向可以根据锡盘的形状(例如，与主脉冲光成特定角度的锡盘位置)进行调整。在一些实施例中，调整从液滴产生器202释放的锡液滴的速度以改变锡盘的形状。在一些实施例中，调整液滴的行进路径以改变锡盘的形状。在一些实施例中，液滴的速度和液滴的行进路径都被调整以改变锡盘的形状。56.图5是根据本发明中的一个或多个实施例的光源200的示意性剖视图，光源200包括液滴产生器202和液滴捕集器204。57.根据一个或多个实施例，如图5所示，光源200包括液滴产生器202，液滴产生器202能够调整液滴的行进路径。如行进路径范围r内的一些可能行进路径p1、行进路径p2、行进路径p3和行进路径p4所示，液滴的到照射区域224的行进路径确定预脉冲光对液滴的照明角度。58.在一些实施例中，光源200包括能够调节穿越源容器210的液滴的速度的液滴产生器202。在一个非限制性实例中，液滴的速度约为每小时100里(miles)。液滴的速度决定了预脉冲光对液滴的照明角度。59.如上所述，当使用预脉冲光照射液滴时，液滴的行进路径和液滴的速度可用于调整由所述液滴形成的锡盘的形状(例如，与主脉冲光成特定角度的锡盘位置)。此外，如图2a和图2b所示，当用主脉冲光照射锡盘时，锡盘的形状决定了等离子体的方向。60.在各种实施例中，控制器300的处理器306基于从热影像撷取装置232接收的热影像资料和储存在存储器304中的预脉冲光资料库确定液滴的速度和/或液滴的行进路径。在一些实施例中，存储器304中的预脉冲光资料库包括速度匹配资料库，速度匹配资料库包括锡液滴的各种速度、锡盘的对应形状、以及等离子体相对于集光器表面207的对应方向。在一些实施例中，存储器304中的预脉冲光资料库包括液滴行进路径匹配资料库，液滴行进路径匹配资料库包括锡液滴的各种行进路径、锡盘的对应形状、以及等离子体相对于集光器表面207的对应方向。在一些实施例中，存储器304中的预脉冲光资料库包括结合液滴行进路径匹配资料库和速度匹配资料库的资料库。61.在一些实施例中，通过输入电路302，控制器300的处理器306接收来自热影像撷取装置232的热影像资料。基于接收到的热影像资料以及热影像撷取装置232和集光器表面207的相对定向，处理器306产生集光器表面207的温度分布资料(例如，包括集光器表面207上的座标和在每个位置上的温度的资料)。在温度分布资料的基础上，处理器306进一步确定集光器表面207的多个位置中最冷的集光器表面207的位置。基于集光器表面207的确定位置，处理器306确定对应集光器表面207上的所述确定位置的等离子体相对于集光器表面207的方向。使用预脉冲光资料库，处理器306产生液滴产生器控制信号(例如，调整液滴的速度和/或液滴的行进路径的液滴产生器控制信号)经由输出电路308给液滴产生器202。62.在一些实施例中，通过输入电路302，控制器300的处理器306接收来自热影像撷取装置232的热影像资料。如上所述，基于接收到的热影像资料以及热影像撷取装置232和集光器表面207的相对定向，处理器306产生集光器表面207的温度分布资料(例如，包括集光器表面207上的座标和在每个位置上的温度的资料)。基于温度分布资料，处理器306确定集光器表面207中预定温度以下的两个或多个位置，并进一步从具有预定温度以下的温度的位置中选择一个位置。在一些实施例中，处理器306进行随机选择。在一些实施例中，处理器306根据预定顺序进行选择。根据集光器表面207的选定位置，处理器306确定对应集光器表面207上的所述选定位置的等离子体到集光器表面207的撞击方向。使用预脉冲光资料库，处理器306产生液滴产生器控制信号(例如，调整液滴的速度和/或液滴的行进路径的液滴产生器控制信号)经由输出电路308给液滴产生器202。63.图6是根据本发明的一个或多个实施例的说明调整等离子体到集光器表面207的方向以降低在自清洁工艺期间引起的氢化锡(snh4)分解的机率的方法的流程图。64.请参考图6，调整等离子体相对于集光器表面207的方向以降低在自清洁工艺期间引起的氢化锡(snh4)分解的机率的方法包括：工序s200，从集光器表面207收集热影像资料；工序s202，分析热影像资料并生成温度分布资料；工序s204，确定等离子体相对于集光器表面207的方向；以及工序s206，调整液滴的速度或液滴的行进路径中的至少一个。65.从集光器表面207收集热影像资料的工序s200包括使用热影像撷取装置232撷取集光器表面207的热影像资料的工序。如上所述，根据一个或多个实施例，由热影像撷取装置232所撷取的集光器表面207的热影像资料包括热信息，所述热信息包含从集光器表面207的各个区域发射的红外辐射的强度。66.分析热影像资料并生成温度分布资料的工序s202包括基于热影像资料分析在集光器表面207上的表面温度分布的工序。热影像资料说明了从集光器表面207上各个位置发射的红外辐射的强度。处理器306分析红外辐射在集光器表面207各个位置的强度，并在集光器表面207上的每个位置确定相应的温度。处理器306进一步在存储器304中储存作为温度分布资料的集光器表面207的位置(例如，x-y和x-y-z)和对应的温度。67.确定等离子体到集光器表面207的方向的工序s204包括确定集光器表面207上的位置的工序，即基于热影像，预期所述集光器表面207上的位置在暴露于等离子体之后将其温度维持在预定温度以下。在一些实施例中，基于温度分布资料，处理器306确定集光器表面207的位置，即集光器表面207的多个位置中最冷的位置。基于集光器表面207的确定位置，处理器306确定对应集光器表面207上的所述确定位置的等离子体相对于集光器表面207的方向。在一些实施例中，在温度分布资料的基础上，处理器306确定集光器表面207中温度低于预定温度的两个以上的位置，并进一步从具有温度低于预定温度的位置中选择一个位置。在一些实施例中，处理器306进行随机选择。在一些实施例中，处理器306根据预定顺序进行选择。根据集光器表面207的选定位置，处理器306确定对应集光器表面207上的所述选定位置的等离子体相对于集光器表面207的方向。在一些实施例中，基于温度分布资料和集光器表面温度资料库(储存在存储器304中)，处理器306确定集光器表面207上的位置，即预期所述集光器表面207上的位置在暴露于等离子体之后将其温度维持在预定温度以下，其中集光器表面温度资料库包括在各个位置、在暴露于等离子体之前和之后的集光器表面207的温度历程。在一些实施例中，处理器306利用一个或多个人工智能技术(稍后将在本文中解释)来确定位置。基于集光器表面207的确定位置，处理器306确定对应集光器表面207上的所述确定位置的等离子体相对于集光器表面207的方向。68.调整液滴的速度或液滴的行进路径中的至少一个的工序s206包括调整液滴的速度或液滴的行进路径中的至少一个的工序，以将从锡盘产生的等离子体延伸到集光器表面207的确定位置。69.在一些实施例中，每次从液滴产生器202产生液滴时，重复上述工序s200～工序s206以变换等离子体的方向(如有必要)。在一些实施例中，在预定间隔(例如，每十个从液滴产生器202产生的液滴)重复上述工序s200～工序s206以变换等离子体的方向(如有必要)。70.图7是根据本发明的一个或多个实施例的安装在集光器206的背侧(未绘示冷却液层410)上的热电致冷模块408的示意图。图8是根据本发明的一个或多个实施例的集光器206的局部剖视图，集光器206包括：基板402；在基板402上的具有多层涂布(例如mo/si多层涂布)的反射层404，用于将euv光反射至中间焦点208；反射层404上的顶盖层406，用于保护反射层404免受等离子体的影响；以及热电致冷模块408安装在基板402的另一侧，用于将来自顶盖层406和反射层404的热量吸收到冷却液层410。71.根据本发明中的一个或多个实施例，热电致冷模块408安装在集光器206的背侧上，以管理集光器206的温度，例如冷却集光器206。具体来说，热电致冷模块408吸收了反射层404、顶盖层406和基板402的热能量。热电致冷模块408进一步将热能量传递给冷却液层410。最终，热能量被冷却液层410消耗掉。在一些实施例中，冷却液层410包括用于冷却液循环(coolantfluidcirculation)的内部通道。在一些实施例中，冷却液层410包括散热器(heatsink)或鳍结构(finstructure)中的至少一种。在一些实施例中，冷却液层410包括一个或多个风扇(fan)以增加流向集光器206的冷却空气流量。72.在非限制性实例中，热电致冷模块408包括以平行方式交替设置并配置为将热量从热电致冷模块的一侧(即，吸热侧)传递到热电致冷模块的另一侧(即散热侧)的n型半导体柱和p型半导体柱。在一些实施例中，每一热电致冷模块408感测集光器表面207的对应位置的温度，并将温度资料传输到温度感应到控制器300或比例积分微分(pid)控制器412中的至少一个。73.请参考图7和图8，集光器206包括顶盖层406以保护反射层404免受由锡激发产生的等离子体的影响，反射层由多层钼/硅构成以将来自等离子体的高强度euv光(例如，中心波长为13.5nm的光)反射至中间焦点208；用于支撑反射层404的基板402；以及集光器206上的孔222(例如，开口)允许预脉冲光和主脉冲光照明源容器210中的液滴。如图7所示，当热电致冷模块408在操作状态时，例如通过佩尔捷效应(peltiereffect)，来自集光器206的热能量被热电致冷模块408的吸热侧吸收并转移到热电致冷模块408的散热侧。如上所述，从热电致冷模块408的吸热侧传递到散热侧的热能量最终使用各种冷却方法(例如，流体冷却和空气冷却)经由冷却液层410从集光器206消散。在一些实施例中，每个热电致冷模块408都配备热传感器，其中所述热传感器产生温度资料和将温度资料传输给一个或多个装置(例如控制器300和pid控制器412)。74.在图7所示的实施例中，60个热电致冷模块408被安装在集光器206的背侧上(即集光器表面207的相对侧)。如图7所示，每个热电致冷模块408将作为反馈信号(即温度资料)的吸热侧温度测量值传输到pid控制器412，且pid控制器412比较温度测量值与所需温度或设定温度(例如，预定温度或低于预定温度)。若pid控制器412确定温度测量值高于所需温度，则pid控制器412传输on信号到相应的热电致冷模块408，其中相应的热电致冷模块408传输高于预定温度的温度测量值。另一方面，若pid控制器412确定温度测量值等于或低于所需温度，则pid控制器412传输off信号到相应的热电致冷模块408，其中相应的热电致冷模块408传输低于预定温度的温度测量值。在一些实施例中，控制器300的处理器306通过将pid控制信号传输到pid控制器412来设置所需温度。在一些实施例中，设备操作员直接在pid控制器412上设置所需温度。75.在图7所示的实施例中，集光器206的背侧被分成60个区域，且每个区域被一个热电致冷模块408冷却。但是本发明不限制安装在集光器206的背侧上的热电致冷模块408的总数。在一些实施例中，超过60个热电致冷模块408(例如，＞1000个热电致冷模块408)安装在集光器206的背侧上。在一些实施例中，少于60个热电致冷模块408(例如，＜25个热电致冷模块408)安装在集光器206的背侧上。在一些实施例中，热电致冷模块408的吸热侧具有与基板402的曲率相对应的曲率。在一些实施例中，热电致冷模块408的散热侧具有与基板402的曲率相对应的曲率。在一些实施例中，各种尺寸或形状的热电致冷模块408被安装在基板402上。76.如上图4中所说明的流程图所述，可以使用热影像撷取装置232基于热影像资料生成用于确定等离子体到集光器表面207的方向的温度分布资料。然而，如图9所示，温度分布资料也可以根据来自热电致冷模块408的温度测量值生成。图9是根据本发明的一个或多个实施例的说明调整等离子体到集光器表面207的方向以降低在自清洁工艺期间引起的氢化锡(snh4)分解的可能性的方法的流程图。如上所述，在一些实施例中，在每个热电致冷模块408中获得的温度测量值被传输到控制器300的处理器306。在一些实施例中，来自热电致冷模块408的温度测量值用于确定等离子体的方向。在一些实施例中，来自热电致冷模块408的温度测量值配合基于热影像资料生成的温度分布资料以用于确定等离子体的方向。77.请参考图9，调整等离子体到集光器表面207的方向以降低氢化锡(snh4)分解的发生的方法包括：工序s300，接收来自热电致冷模块408的温度测量值；工序s302，基于来自热电致冷模块408的温度测量值生成温度分布资料；工序s304，确定等离子体相对于集光器表面207的方向；以及工序s306，调整主脉冲光的照明时序或主脉冲光的照明角度a、a'中的至少一个。78.接收来自热电致冷模块408的温度测量值的工序s300包括接收来自每个热电致冷模块408的温度测量值(即，温度资料)的工序。在一些实施例中，控制器300的处理器306直接接收温度资料。在一些实施例中，处理器306经由pid控制器412间接接收温度资料。79.基于来自热电致冷模块408的温度测量值生成温度分布资料的工序s302包括基于来自热电致冷模块408的温度测量值生成温度分布资料(即，温度资料)的工序。处理器306进一步在存储器304中储存作为温度分布资料的温度测量值和热电致冷模块408的对应位置(例如，x-y和x-y-z)。80.确定等离子体相对于集光器表面207的方向的工序s304包括确定集光器表面207上的位置的工序，即基于温度分布资料，预期所述集光器表面207上的位置在暴露于等离子体之后将其温度维持在预定温度以下。在一些实施例中，基于温度分布资料，处理器306确定传输了热电致冷模块408中最冷的温度测量值的一个热电致冷模块408，并进一步确定集光器表面207对应所述热电致冷模块408的位置。基于集光器表面207的确定位置，处理器306确定对应集光器表面207上的所述确定位置的等离子体相对于集光器表面207的方向。在一些实施例中，基于温度分布资料，处理器306确定两个或多个传输在预定温度以下的温度测量值的热电致冷模块408，并进一步在所述传输在预定温度以下的温度测量值的热电致冷模块408中选择一个热电致冷模块408。在一些实施例中，处理器306进行随机选择。在一些实施例中，处理器306根据预定顺序进行选择。基于选定的热电致冷模块408，处理器306确定与选定的热电致冷模块408对应的集光器表面207的位置，并进一步确定等离子体相对于确定的集光器表面207的方向。在一些实施例中，基于温度分布资料和集光器表面温度资料库(储存在存储器304中)，处理器306确定集光器表面207上的位置，即预期所述集光器表面207上的位置在暴露于等离子体之后将其温度维持在预定温度以下，其中集光器表面温度资料库包括在各个位置、在暴露于等离子体之前和之后的集光器表面207的温度历程。在一些实施例中，处理器306利用一个或多个人工智能技术(稍后将在本文中解释)来确定位置。基于集光器表面207的确定位置，处理器306确定对应集光器表面207上的所述确定位置的等离子体相对于集光器表面207的方向。81.调整主脉冲光的照明时序或主脉冲光的照明角度a、a'中的至少一个的工序s306包括调整主脉冲光的照明时序或主脉冲光的照明角度a、a'中的至少一个的工序，以将从锡盘产生的等离子体延伸到集光器表面207的确定位置。82.在一些实施例中，每次照射主脉冲光时，重复上述工序s300～工序s306以变换等离子体的方向(如有必要)。在一些实施例中，在预定间隔(例如，每十个主脉冲光照射)重复上述工序s300～工序s306以变换等离子体的方向。83.如上图6中所说明的流程图所述，可以使用热影像撷取装置232基于热影像资料生成用于确定等离子体到集光器表面207的方向的温度分布资料。然而，如图10所示，温度分布资料也可以根据来自热电致冷模块408的温度测量值生成。图10是根据本发明的一个或多个实施例的说明调整等离子体到集光器表面207的方向以降低氢化锡(snh4)分解的发生的方法的流程图。如上所述，在一些实施例中，在每个热电致冷模块408中获得的温度测量值被传输到控制器300的处理器306。在一些实施例中，来自热电致冷模块408的温度测量值用于确定等离子体的方向。在一些实施例中，来自热电致冷模块408的温度测量值配合基于热影像资料生成的温度分布资料以用于确定等离子体的方向。84.请参考图10，调整等离子体到集光器表面207的方向以降低氢化锡(snh4)分解的发生的方法包括：工序s400，接收来自热电致冷模块408的温度测量值；工序s402，基于来自热电致冷模块408的温度测量值生成温度分布资料；工序s404，确定等离子体到集光器表面207的方向；以及工序s406，调整液滴的速度或液滴的行进路径中的至少一个。85.接收来自热电致冷模块408的温度测量值的工序s400包括接收来自每个热电致冷模块408的温度测量值(即，温度资料)的工序。在一些实施例中，控制器300的处理器306直接接收温度资料。在一些实施例中，处理器306经由pid控制器412间接接收温度资料。86.基于来自热电致冷模块408的温度测量值生成温度分布资料的工序s402包括基于来自热电致冷模块408的温度测量值生成温度分布资料(即，温度资料)的工序。处理器306进一步在存储器304中储存作为温度分布资料的温度测量值和热电致冷模块408的对应位置(例如，x-y和x-y-z)。87.确定等离子体到集光器表面207的方向的工序s404包括确定集光器表面207上的位置的工序，即基于温度分布资料，预期所述集光器表面207上的位置在暴露于等离子体之后将其温度维持在预定温度以下。在一些实施例中，基于温度分布资料，处理器306确定传输了热电致冷模块408中最冷的温度测量值的一个热电致冷模块408，并进一步确定集光器表面207对应所述热电致冷模块408的位置。基于集光器表面207的确定位置，处理器306确定对应集光器表面207上的所述确定位置的等离子体相对于集光器表面207的方向。在一些实施例中，基于温度分布资料，处理器306确定两个或多个传输在预定温度以下的温度测量值的热电致冷模块408，并进一步在所述传输在预定温度以下的温度测量值的热电致冷模块408中选择一个热电致冷模块408。在一些实施例中，处理器306进行随机选择。在一些实施例中，处理器306根据预定顺序进行选择。基于选定的热电致冷模块408，处理器306确定与选定的热电致冷模块408对应的集光器表面207的位置，并进一步确定等离子体相对于确定的集光器表面207的方向。在一些实施例中，基于温度分布资料和上述集光器表面温度资料库(储存在存储器304中)，处理器306确定集光器表面207上的位置，即预期所述集光器表面207上的位置在暴露于等离子体之后将其温度维持在预定温度以下，其中集光器表面温度资料库包括在各个位置、在暴露于等离子体之前和之后的集光器表面207的温度历程。在一些实施例中，处理器306利用一个或多个人工智能技术(稍后将在本文中解释)来确定位置。基于集光器表面207的确定位置，处理器306确定对应集光器表面207上的所述确定位置的等离子体相对于集光器表面207的方向。88.调整液滴的速度或液滴的行进路径中的至少一个的工序s406包括调整液滴的速度或液滴的行进路径中的至少一个的工序，以将从锡盘产生的等离子体延伸到集光器表面207的确定位置。89.在一些实施例中，每次从液滴产生器202产生液滴时，重复上述工序s400～工序s406以变换等离子体的方向(如有必要)。在一些实施例中，在预定间隔(例如，每十个从液滴产生器202产生的液滴)重复上述工序s400～工序s406以变换等离子体的方向(如有必要)。90.根据本发明的各种实施例，光源200还能够减小集光器表面207上引起氢化锡(snh4)分解的热点的尺寸，并通过防止来自锡激发所产生的热等离子体的热应力引起的集光器表面上变形的发生，来延长集光器的使用寿命。91.图11是根据本发明的一个或多个实施例的被分成彼此间隔开的多个个别反射面502的集光器206(即，集光器表面207)的正面视图。图12是根据本发明的一个或多个实施例的包括个别反射面502的集光器206的局部剖视图。如图11和图12所示，个别反射面502中的每一个都与将基板402分开的间隔s、具有多层涂布(例如mo/si多层涂布)的反射层404和顶盖层406彼此热隔离。在一些实施例中，如图12所示，每个个别反射面502都有自己的热电致冷模块408。在一些实施例中，如图12所示，每个个别反射面502都有自己的冷却液层410。在一些实施例中，个别反射面502被间隔s分成各种形状(例如菱形、三角形、正方形、矩形、八边形和六边形)。在图11所示的实施例中，集光器206被分成多个呈正方形的个别反射面502。92.由于图11中所示的集光器206被解释为彼此间隔开的多个个别反射面502，因此个别反射面502中的每一个具有响应于多个反射面502的温度的变化而膨胀或收缩的空间。这种灵活性减少了由等离子体暴露所引起的温度变化所造成的热引起的应力。换句话说，由多个个别反射面502构成的集光器206不太可能变形，并且由于间隔s的原因更有可能具有更长的使用寿命。93.如上所述，保持集光器表面207的温度相对低(例如，低于预定温度)以避免发生氢化锡分解是有益的。如图12所示，由于个别反射面502彼此间隔开，因此从等离子体施加到一个个别反射面502的热量不太可能传播或传导到其他相邻的个别反射面502。通过减少个别反射面502之间的热传播，可以导致氢化锡分解的热量或热能量更有可能被限制在个别反射面502内，而不太可能传播到周围的个别反射面502。94.将个别反射面502彼此间隔开也是有益的，因为制造操作员可以通过更换有缺陷的个别反射面502来修复集光器206。通过更换有缺陷的个别反射面502而不是更换整个集光器206，可以显著降低制造操作的成本。95.如上所述，为了清洁或去除沉积在集光器表面207上的锡碎屑，将氢气(h2)气流引入光源的源容器210以蚀刻沉积在集光器表面上的锡液滴碎屑。由于氢气(h2)与沈积在集光器表面207上的锡(sn)液滴碎屑发生化学反应，氢气(h2)和锡(sn)液滴碎屑转化为挥发性锡化合物(氢化锡(snh4))。通过将合适的吹扫气体(例如，氢气和氮气)引入到源容器中，氢化锡(snh4)可以通过吹扫出口从源容器210中移除。96.根据本发明的各种实施例，吹扫气体(例如氢气)通过间隔s引入源容器210中。在一些实施例中，吹扫气体被引入到源容器210中以清除挥发性锡化合物(例如氢化锡)。在一些实施例中，吹扫气体通过间隔s引入源容器210以冷却集光器表面207。在一些实施例中，吹扫气体被引入源容器210中以在各种方向中产生“洗涤(scrubbing)”气流，去除沉积在集光器表面207上的锡(sn)液滴碎屑。在一些实施例中，吹扫气体被引入源容器210中以在各种方向中产生“洗涤”气流，从而将锡(sn)液滴碎屑移离而避免其落在集光器表面207上。97.图13至图16是根据本发明的一个或多个实施例的如上所述利用间隔s作为气体注入通道来引入吹扫气体以清除集光器表面207的锡液滴碎屑的集光器206的局部剖视图。98.请参考图13，根据本发明的一些实施例，光源200包括设置有导流构件702的集光器206，以去除沉积在集光器表面207上的锡(sn)液滴碎屑。在各种实施例中，导流构件702设置在间隔s中。99.在图13所示的实施例中，光源200中的集光器206被解释为多个个别反射面502，所述个别反射面502共同弯曲以将euv光从等离子体反射和聚焦到中间焦点208。如上所述，由于围绕每个个别反射面502的间隔s，每个个别反射面502彼此热隔离。100.在图13所示的实施例中，吹扫气体从集光器206的背侧经由设置在个别反射面502之间的间隔s引入到源容器210中。由于源容器210中的真空环境，随着吹扫气体通过间隔s进入源容器210，流入源容器210的吹扫气体的速度显著增加。在一些实施例中，导流构件702引导吹扫气体在各种方向中流动，以促进沉积在集光器表面207上的锡液滴碎屑的去除或将锡液滴碎屑移离而避免其落在集光器表面207上。101.在图13所示的实施例中，利用平行设置在两个相邻的个别反射面502之间的导流构件702来控制吹扫气体的流动。在一些实施例中，每个导流构件702中都包括一个或多个枢纽(hinges)704或挠曲点(flexpoints)，以将吹扫气体的气流引导或重新引导到各种方向(例如，引导到集光器表面207并引导到位于集光器表面207上方的空间)。如图13所示，每个导流构件702都包括第一导引臂706和第二导引臂708，第二导引臂708通过枢纽704连接到第一导引臂706。102.如图13所示，在枢纽704处的第一导引臂706和第二导引臂708之间的角度是可调的。在非限制性实例中，为了去除沉积在集光器表面207上的锡碎屑，第一导引臂706和第二导引臂708形成等于或小于90度的角。在非限制性实例中，为了防止锡碎屑落在集光器表面207上，第一导引臂706和第二导引臂708形成超过90度的角。在另一个非限制性实例中，第一导引臂706改变其位置(例如，摆动(flapping))以引导吹扫气体在各种方向中的流动。在一些实施例中，处理器306控制第一导引臂706和第二导引臂708之间的角度。103.在一些实施例中，第二导引臂708在与吹扫气体流动的方向垂直的横截面中具有细长的矩形面板形状且厚度薄，使得第二导引臂708允许更多的吹扫气体从集光器206的背侧流入源容器210中。在一些实施例中，第一导引臂706是第二导引臂708的延伸，并利用枢纽704与之连接。104.请参考图14，在本发明的一些实施例中，光源200包括配置有t形导流构件712的集光器206，t形导流构件712影响吹扫气体从集光器206的背侧流入源容器210的流动，以促进沉积在集光器表面207上的锡(sn)液滴碎屑的去除。105.在图14所示的实施例中，利用设置在个别反射面502之间的t形导流构件712，吹扫气体被引导至集光器表面207(在图14中以h1示出)和集光器表面207的周围区域(在图14中以h2示出)。106.如图14所示，每个t形导流构件712都包括相邻设置于集光器表面207的第二导引臂708和散构件(dispersionmember)714。如图14所示，在一些实施例中，散构件714是朝向两个不同方向的第二导引臂708的延伸。在一些实施例中，散构件714提供与集光器表面207相邻设置的平坦的表面或基本上平坦的表面。在一些实施例中，第二导引臂708的末端附接到所述平坦表面。在一些实施例中，第二导引臂708的末端附接到所述平坦表面的中间部分。在一些实施例中，当吹扫气体未引入源容器210时，第二导引臂708向集光器206的背侧缩回。在一些实施例中，第二导引臂构件708延伸到源容器210中以将吹扫气体引导至集光器表面207，以“洗涤”沉积在集光器表面207上的锡液滴碎屑(在图14中以h1示出)。在一些实施例中，第二导引臂708进一步延伸到源容器210中以将吹扫气体引导到集光器表面207周围的区域，以防止锡液滴碎屑落在集光器表面207上(在图14中以h2示出)。在一些实施例中，处理器306确定第二导引臂708延伸到源容器210的长度。107.请参考图15，在本发明的一些实施例中，光源200包括配置有散构件714的集光器206，散构件714影响吹扫气体从集光器206的背侧流入源容器210的流动，以促进沉积在集光器表面207上的锡液滴碎屑的去除。在图15所示的实施例中，散构件714引导吹扫气体朝向各种方向。在一些实施例中，吹扫气体被散构件714引导朝向集光器表面207(在图15中以h3示出)。在一些实施例中，吹扫气体被散构件714引导朝向集光器表面207周围的区域(在图15中以h4示出)。在一些实施例中，散构件714和集光器表面207之间的距离(例如，图15中的h3和h4)是可调的。在一些实施例中，处理器306确定散构件714的位置。在非限制性实例中，散构件714在一个方向上彼此相邻设置(例如，h3和h4相等)。在另一非限制性实例中，如图15所示，散构件714不设置在一个方向中(例如，h3和h4不相等)。108.请参考图16，在本发明的一些实施例中，光源200包括配置有可调整散构件716的集光器206，可调整散构件716影响吹扫气体从集光器206的背侧流入源容器210的流动，以促进沉积在集光器表面207上的锡(sn)液滴碎屑的去除。109.在图16所示的实施例中，利用可调整散构件716，吹扫气体的流动方向被引导至集光器表面207和集光器表面207的周围区域。110.在一些实施例中，可调整散构件716包括第一平翼构件717和第二平翼构件718。第一平翼部件717和第二平翼部件718与枢纽704连接。在一些实施例中，可调整散构件716包括第一弯曲翼构件720和第二弯曲翼构件721。第一弯曲翼构件720和第二弯曲翼构件721与枢纽704连接。在一些实施例中，两个翼构件之间的角度是可调的。在非限制性实例中，所述角度(例如，v、v'、w和w')为45度以下，以将大部分的吹扫气体引导到集光器表面207。在非限制性实例中，所述角度(例如，v、v'、w和w')大于45度，以将大部分的吹扫气体引导到集光器表面207的周围区域。在一些实施例中，每个角度(例如，v、v'、w和w')个别设置。在一些实施例中，处理器306确定角度(例如，v、v'、w和w')以去除锡液滴碎屑或冷却集光器表面207。111.请参考图1，光源200包括用于控制光源200的组件的控制器300，以通过减少氢化锡(snh4)分解的机会来维持或改善自清洁工艺的结果，其中光源200的组件包括液滴产生器202、液滴捕集器204和光产生器220。112.在一些实施例中，处理器306包括人工智能控制器307，人工智能控制器307包括主脉冲光控制器320、液滴生成控制器322、热电致冷模块控制器324和吹扫气流控制器326。113.主脉冲光控制器320用于通过采用一个或多个人工智能技术来确定和/或预测主脉冲光的适当照明时序和/或照明角度a、a'。液滴生成控制器322用于通过采用一种或多种人工智能技术来确定和/或预测液滴的适当速度和/或液滴的行进路径。热电致冷模块控制器324用于通过采用一种或多种人工智能技术来控制热电致冷模块408的操作。吹扫气流控制器326用于通过采用一种或多种人工智能技术来控制引导吹扫气体流动的操作。[0114]“人工智能”在本文中用于广泛地阐述任何可以学习知识(例如，基于训练资料)的计算智能系统和方法，并使用此类学习到的知识来调整其解决一个或多个问题的方法，举例来说，基于经由输入电路302接收的诸如测量值(例如，来自热影像撷取装置232的热影像资料和来自热电致冷模块408的温度资料)的接收输入做出推断。人工智能机器可以采用例如类神经网络、深度学习、卷积类神经网络(convolutionalneuralnetwork)、贝叶斯程序学习(bayesianprogramlearning)及图案识别技术等来解决例如确定主脉冲光的照明时序等问题。另外，人工智能可以包括以下计算技术中的任何一种或组合：约束程序(constraintprogram)、模糊逻辑(fuzzylogic)、分类、常规人工智能(conventionalartificialintelligence)、符号操作(symbolicmanipulation)、模糊集合理论(fuzzysettheory)、演化计算(evolutionarycomputation)、控制论(cybernetics)、数据挖掘(datamining)、近似推理(approximatereasoning)、无导数优化(derivative-freeoptimization)、决策树(decisiontrees)和/或软计算。采用一种或多种计算智能技术，主脉冲光控制器320可以进行学习以确定和/或预测主脉冲光的适当照明时序和/或照明角度a、a'。[0115]在一些实施例中，基于集光器表面温度知识(例如，在各个位置、在暴露于等离子体之前和之后的集光器表面207的温度)，人工智能控制器307对储存在存储器304中的集光器表面温度资料库进行校正，以优化或改进用于确定等离子体的方向的集光器表面温度资料库。换句话说，人工智能控制器307响应于集光器表面温度资料库和由一个或多个人工智能技术产生的实际结果而不断地修改其行为，并在集光器表面温度资料库中更新等离子体的方向。[0116]在一些实施例，基于集光器表面温度知识(例如，在各个位置、在暴露于等离子体之前和之后的集光器表面207的温度)，热电致冷模块控制器324和吹扫气流控制器326对储存在存储器304中的集光器表面温度资料库进行校正，以优化或改进用于控制热电致冷模块408和分别流向集光器206不同位置的气流(例如，图13中在枢纽704处的第一导引臂706和第二导引臂708之间的角度，图14中的高度h1和高度h2，图15中的高度h3和高度h4，图16中的角度v、角度v'、角度w、角度w')的集光器表面温度资料库。换句话说，热电致冷模块控制器324和吹扫气流控制器326中的每一个都响应于集光器表面温度资料库和由一个或多个人工智能技术产生的实际结果而不断地修改其行为，并在集光器表面温度资料库中更新等离子体的方向。[0117]在一些实施例中，基于主脉冲光照射知识，主脉冲光控制器320对储存在存储器304中的主脉冲光资料库进行校正，以针对特定环境优化或改进主脉冲光资料库(例如，来自集光器表面207上不同位置的温度测量值)。换句话说，主脉冲光控制器320响应于主脉冲光资料库和一个或多个人工智能技术产生的实际结果而不断地修改其行为，并更新主脉冲光资料库中的主脉冲光的照明时序和/或照明角度a、a'。[0118]在一些实施例中，基于液滴生成知识，液滴生成控制器322对储存在存储器304中的预脉冲光资料库进行校正，以针对特定环境优化或改进预脉冲光资料库(例如，来自集光器表面207上不同位置的温度测量值)。换句话说，液滴生成控制器322响应于预脉冲光资料库和一个或多个人工智能技术产生的实际结果而不断地修改其行为，并更新预脉冲光资料库中液滴的速度和/或液滴的行进路径。[0119]图17是根据本发明的一个或多个实施例的说明调整吹扫气体的方向以降低氢化锡(snh4)分解的可能性的方法的流程图。[0120]如上所述，在一些实施例中，在每个热电致冷模块408中获得的温度测量值被传输到控制器300的处理器306。在一些实施例中，来自热电致冷模块408的温度测量值用于确定吹扫气体的方向(例如，方向朝向集光器表面207)。在一些实施例中，来自热电致冷模块408的温度测量值配合基于热影像资料生成的温度分布资料以用于确定吹扫气体的方向。在一些实施例中，使用基于热影像资料生成的温度分布资料来确定吹扫气体的方向。[0121]请参考图17，调整吹扫气体的方向以降低氢化锡(snh4)分解的发生的方法包括：工序s500，接收来自热电致冷模块408的温度测量值；工序s502，基于来自热电致冷模块408的温度测量值生成温度分布资料；工序s504，确定间隔s的位置；以及工序s506，调整从确定的间隔s流出的吹扫气体的方向。[0122]接收来自热电致冷模块408的温度测量值的工序s500包括接收来自每个热电致冷模块408的温度测量值(即，温度资料)的工序。在一些实施例中，控制器300的处理器306直接接收温度资料。在一些实施例中，处理器306经由pid控制器412间接接收温度资料。[0123]基于来自热电致冷模块408的温度测量值生成温度分布资料的工序s502包括基于来自热电致冷模块408的温度测量值生成温度分布资料(即，温度资料)的工序。处理器306进一步在存储器304中储存作为温度分布资料的温度测量值和热电致冷模块408的对应位置(例如，x-y和x-y-z)。[0124]确定间隔s的位置的工序s504包括确定集光器表面207上的一个(或多个)位置的工序，即基于温度分布资料，预期所述集光器表面207上的位置在暴露于等离子体之后其温度会提高至预定温度以上。在一些实施例中，基于温度分布资料，处理器306确定传输了在预定温度以上的温度测量值的热电致冷模块408。在一些实施例中，基于温度分布资料和集光器表面温度资料库(储存在存储器304中)，处理器306确定集光器表面207上的位置，即预期所述集光器表面207上的位置在暴露于等离子体之后其温度会提高至预定温度以上，其中集光器表面温度资料库包括在各个位置、在暴露于等离子体之前和之后的集光器表面207的温度历程。在一些实施例中，处理器306利用一个或多个人工智能技术来确定位置。基于集光器表面207的确定位置，处理器306确定在确定位置内或相邻的对应间隔s。[0125]调整从确定的间隔s流出的吹扫气体的方向的工序s506包括调整对应导流构件702(如图13所示)、对应散构件714(如图15所示)或对应可调整散构件(如图16所示)中的至少一个的工序。[0126]若对应导流构件702被配置为引导或重新引导来自确定间隔s的吹扫气体的流动，处理器306经由输出电路308将导流构件控制信号传输至导流构件702(例如，枢纽704或挠曲点以引导或重新引导吹扫气体的流动)。在非限制性实例中，响应于来自处理器306的导流构件控制信号，第一导引臂706和第二导引臂708形成等于或小于90度的角，以将大部分的吹扫气体引导到集光器表面207。[0127]若对应散构件714被配置为引导或重新引导来自确定间隔s的吹扫气体的流动，处理器306经由输出电路308将散构件控制信号传输至第二导引臂708。在非限制性实例中，响应于来自处理器306的散构件控制信号，第二导引臂708延伸到源容器210中，以将大部分的吹扫气体引导到集光器表面207(在图14中以h1示出)。[0128]若对应可调整散构件716被配置为引导或重新引导来自确定间隔s的吹扫气体的流动，处理器306经由输出电路308将可调整散构件控制信号传输至可调整散构件716(例如，枢纽704或挠曲点以引导或重新引导吹扫气体的流动)。在非限制性实例中，响应于来自处理器306的可调整散构件控制信号，可调整散构件的角(例如，v、v'、w和w')为45度以下，以将大部分的吹扫气体引导到集光器表面207。[0129]利用通过有效地将集光器表面207的温度保持在预定温度或在预定温度以下(例如，50℃或50℃以下)而能够维持光(例如euv光)的强度的光源200，将产生显著的制造成本节省，且曝光工序的缺陷少。[0130]利用通过有效地将集光器表面207的温度保持在预定温度或在预定温度以下(例如，50℃或50℃以下)而能够维持光(例如euv光)的强度的光源200，将通过防止集光器表面207上的变形的发生来延长处理器306的使用寿命，所述变形由暴露于锡激发所产生的热等离子体所引起的热应力产生。[0131]根据本发明的一个或多个实施例，提供一种光源，其能够将集光器表面的温度保持在预定温度或在预定温度以下(例如，50℃或50℃以下)。根据本发明的各种实施例，光源包括：处理器；液滴产生器，产生液滴；集光器，将极紫外光反射至中间焦点；光产生器，产生预脉冲光和主脉冲光；以及热影像撷取装置，撷取来自集光器的反射面的热影像。响应于使用预脉冲光和主脉冲光照明液滴，液滴产生极紫外光。[0132]本发明实施例的一种光源，其中所述热影像撷取装置基于从所述集光器的所述反射面发射的红外辐射产生热影像。[0133]本发明实施例的一种光源，其中所述处理器基于所述热影像分析所述集光器的所述反射面的温度分布。[0134]本发明实施例的一种光源，其中所述处理器被配置为调整所述主脉冲光的照明时序，对所述照明时序的所述调整影响从所述液滴产生的等离子体到所述集光器的所述反射面的撞击方向。[0135]本发明实施例的一种光源，其中所述处理器被配置为调整所述主脉冲光的照明角度，对所述照明角度的所述调整影响从所述液滴产生的等离子体到所述集光器的所述反射面的撞击方向。[0136]本发明实施例的一种光源，其中所述处理器被配置为利用所述热影像来确定所述集光器的所述反射面上的最冷位置，或确定所述集光器的所述反射面上预期在暴露于由所述液滴生成的等离子体之后将其温度维持在预定温度以下的位置。[0137]本发明实施例的一种光源，其中所述处理器被配置为调整所述主脉冲光的照明时序，所述照明时序中的所述调整导致所述等离子体撞击在所述集光器的所述反射面的确定的所述位置上。[0138]本发明实施例的一种光源，其中所述处理器被配置为调整所述主脉冲光的照明角度，所述主脉冲光的所述照明角度中的所述调整导致所述等离子体撞击在所述集光器的所述反射面的确定的所述位置上。[0139]本发明实施例的一种光源，其中所述处理器被配置为调整所述主脉冲光的照明角度以及调整所述主脉冲光的照明时序，所述主脉冲光的所述照明角度中的所述调整以及所述主脉冲光的所述照明时序中的所述调整导致所述等离子体撞击在所述集光器的所述反射面的确定的所述位置上。[0140]本发明实施例的一种光源，其中所述处理器被配置为调整所述液滴的速度，所述液滴的所述速度中的所述调整导致所述等离子体撞击在所述集光器的所述反射面的确定的所述位置上。[0141]本发明实施例的一种光源，其中所述处理器被配置为调整所述液滴的行进路径，所述液滴的所述行进路径中的所述调整导致所述等离子体撞击在所述集光器的所述反射面的确定的所述位置上。[0142]本发明实施例的一种光源，其中所述处理器被配置为调整所述液滴的速度及行进路径，所述液滴的所述速度中的所述调整以及所述液滴的所述行进路径中的所述调整导致所述等离子体撞击在所述集光器的所述反射面的确定的所述位置上。[0143]本发明实施例的一种光源，其中所述预定温度小于50℃。[0144]根据本发明的一个或多个实施例，提供一种光源，其能够将集光器表面的温度保持在预定温度或在预定温度以下。根据本发明的各种实施例，光源包括：处理器；液滴产生器，产生液滴；集光器，包括将极紫外光反射至中间焦点的反射面；光产生器，产生预脉冲光和主脉冲光；以及多个热电致冷模块，位于集光器的多个位置。响应于使用预脉冲光和主脉冲光照明液滴，液滴产生极紫外光。[0145]本发明实施例的一种光源，其中所述多个热电致冷模块的每一个传输在所述多个位置处的温度测量值。[0146]本发明实施例的一种光源，其中所述处理器被配置为利用所述温度测量值来确定所述集光器的所述反射面上的最冷位置，或确定所述集光器的所述反射面上预期在暴露于由所述液滴生成的等离子体之后将其温度维持在预定温度以下的位置。[0147]本发明实施例的一种光源，其中所述处理器被配置为调整所述主脉冲光的照明角度或所述主脉冲光的照明时序中的至少一者，所述主脉冲光的所述照明角度中的所述调整导致所述等离子体撞击在所述集光器的所述反射面的确定的所述位置上，所述照明时序中的所述调整导致所述等离子体撞击在所述集光器的所述反射面的确定的所述位置上。[0148]本发明实施例的一种光源，其中所述处理器被配置为调整所述液滴的速度或所述液滴的行进路径中的至少一者，所述液滴的所述速度中的所述调整导致所述等离子体撞击在所述集光器的所述反射面的确定的所述位置上，所述液滴的所述行进路径中的所述调整导致所述等离子体撞击在所述集光器的所述反射面的确定的所述位置上。[0149]根据本发明中的一个或多个实施例，用于半导体制造工艺的生成极紫外光的方法，包括在多个位置处测量集光器的温度。所述方法包括基于在多个位置处测量集光器的温度，通过处理器确定等离子体到集光器表面的撞击方向。所述方法还包括通过处理器调整液滴的速度、液滴的行进路径、主脉冲光的照明角度或主脉冲光的照明时序中的至少一者。[0150]本发明实施例的一种生成极紫外光的方法，其中在所述多个位置处测量所述集光器的所述温度由热影像撷取装置或多个热电致冷模块或两者执行。[0151]以上概述了若干实施例的特征，以使所属领域中的技术人员可更好地理解本公开的各个方面。所属领域中的技术人员应理解，他们可容易地使用本公开作为设计或修改其他工艺及结构的基础来施行与本文中所介绍的实施例相同的目的和/或实现与本文中所介绍的实施例相同的优点。所属领域中的技术人员还应认识到，这些等效构造并不背离本公开的精神及范围，而且他们可在不背离本公开的精神及范围的条件下对其作出各种改变、代替及变更。当前第1页12当前第1页12

技术特征：

1.一种光源，用于光刻制造工艺，所述光源包括：处理器；液滴产生器，产生液滴；集光器，将极紫外光反射至中间焦点；光产生器，产生预脉冲光和主脉冲光；以及热影像撷取装置，撷取来自所述集光器的反射面的热影像，其中响应于使用所述预脉冲光和所述主脉冲光照明所述液滴，所述液滴产生所述极紫外光。2.根据权利要求1所述的光源，其中所述热影像撷取装置基于从所述集光器的所述反射面发射的红外辐射产生热影像。3.根据权利要求1所述的光源，其中所述处理器被配置为调整所述主脉冲光的照明时序，对所述照明时序的所述调整影响从所述液滴产生的等离子体到所述集光器的所述反射面的撞击方向。4.根据权利要求1所述的光源，其中所述处理器被配置为调整所述主脉冲光的照明角度，对所述照明角度的所述调整影响从所述液滴产生的等离子体到所述集光器的所述反射面的撞击方向。5.根据权利要求1所述的光源，其中所述处理器被配置为利用所述热影像来确定所述集光器的所述反射面上的最冷位置，或确定所述集光器的所述反射面上预期在暴露于由所述液滴生成的等离子体之后将其温度维持在预定温度以下的位置。6.一种光源，用于光刻制造工艺，所述光源包括：处理器；液滴产生器，产生液滴；集光器，包括将极紫外光反射至中间焦点的反射面；光产生器，产生预脉冲光和主脉冲光；以及多个热电致冷模块，位于所述集光器的多个位置，其中响应于使用所述预脉冲光和所述主脉冲光照明所述液滴，所述液滴产生所述极紫外光。7.根据权利要求6所述的光源，其中所述多个热电致冷模块的每一个传输在所述多个位置处的温度测量值。8.根据权利要求7所述的光源，其中所述处理器被配置为利用所述温度测量值来确定所述集光器的所述反射面上的最冷位置，或确定所述集光器的所述反射面上预期在暴露于由所述液滴生成的等离子体之后将其温度维持在预定温度以下的位置。9.一种生成极紫外光的方法，用于半导体制造工艺，所述生成极紫外光的方法包括：在多个位置处测量集光器的温度；基于在所述多个位置处测量所述集光器的所述温度，通过处理器确定等离子体到集光器表面的撞击方向；以及通过处理器调整液滴的速度、所述液滴的行进路径、主脉冲光的照明角度或所述主脉冲光的照明时序中的至少一者。10.根据权利要求9所述的生成极紫外光的方法，其中在所述多个位置处测量所述集光
器的所述温度由热影像撷取装置或多个热电致冷模块或两者执行。

技术总结

本发明提供一种能够将集光器表面的温度保持在预定温度或在预定温度以下的光源以及生成极紫外光的方法。根据本发明的各种实施例的光源包括：处理器；液滴产生器，用于产生液滴以产生极紫外光；集光器，用于将极紫外光反射至中间焦点；光产生器，用于产生预脉冲光和主脉冲光；以及热影像撷取装置，用于撷取来自集光器的反射面的热影像。光器的反射面的热影像。光器的反射面的热影像。