一种芍药无土促成栽培方法[发明专利]

(10)申请公布号 CN 102613052 A
(43)申请公布日 2012.08.01C N  102613052 A
*CN102613052A*
(21)申请号 201210093116.5
(22)申请日 2012.03.31
A01G 31/00(2006.01)
(71)申请人马小海
地址730000 甘肃省兰州市安宁区营门村一
(72)发明人马小海
(54)发明名称
一种芍药无土促成栽培方法
(57)摘要
本发明涉及芍药的栽培方法,具体为一种解
决催花后芍药营养差的问题,使其成花质量高,生
产周期短的芍药无土促成栽培方法;其包括苗盆
准备,苗木准备,温度控制,湿度控制,光照控制和
营养控制;所述的苗盆准备中先在苗盆底部铺入
2-6厘米的炉渣,然后填装基质;基质包括以下体
积比的成分:草炭3-4,蛭石1-2,珍珠岩1-2。本发
明通过无土栽培技术,能够有效的防止有土栽培
对芍药带来的不良影响,再结合人工手段控制芍
药花的物候期因素,并且及时的补充各种所需营
养,
从各个因素使得芍药快速苏醒,进入生长期,保证了生长所需的营养;通过本发明培育出来的
芍药,不仅枝繁叶茂,而且花朵直径大,泽艳丽,
花期时间长,观赏性强。
(51)Int.Cl.
权利要求书1页  说明书3页
(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请
权利要求书 1 页  说明书 3 页
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1.一种芍药无土促成栽培方法,其包括苗盆准备,苗木准备,温度控制,湿度控制,光照控制和营养控制;其特征在于,所述的苗盆准备中先在苗盆底部铺入2-6厘米的炉渣,然后填装基质;所述的基质包括以下体积比的成分:草炭3-4,蛭石1-2,珍珠岩1-2。
2.如权利要求1所述的一种芍药无土促成栽培方法,其特征在于,所述的温度控制中,在种植后的20天内,将温度控制在10-15℃;在种植20天后,将温度控制在18-25℃。
3.如权利要求1所述的一种芍药无土促成栽培方法,其特征在于,所述的湿度控制中,在苗盆准备时,基质中的含水量为40-60%;在种植后的7天内,每日叶面喷水4-6次;种植7天后每隔一日喷水4-6次;整个栽培过程中空气湿度为75-85%。
4.如权利要求1所述的一种芍药无土促成栽培方法,其特征在于,所述的光照控制中,在种植后,采用全光照,时间长度为11-15小时,强度为30000-50000lux ;叶片完全伸展后,光照时间不变,光照强度减弱,为15000-25000lux 。
5.如权利要求1所述的一种芍药无土促成栽培方法,其特征在于,所述的营养控制中,所用的营养液包
括以下质量比的成分:尿素3-5,磷酸二氢钾5-7,硫酸镁0.2-0.4,硫酸铜0.2-0.4,硫酸锌0.1-0.3,硫酸亚铁0.1-0.3,水5000;营养液每4天浇灌一次,每株的浇灌量为200-300ml 。权  利  要  求  书CN 102613052 A
一种芍药无土促成栽培方法
技术领域
[0001] 本发明涉及芍药的栽培方法,具体为一种芍药无土促成栽培方法。
背景技术
[0002] 芍药是芍药科芍药属的著名草本花卉,在中国的栽培历史超过4900年,是中国栽培最早的一种花卉,位列草本之首,被人们誉为“花仙”和“花相”,且被列为“六大名花”之一,又被称为“五月花神”,因自古就作为爱情之花,现已被尊为七夕节的代表花卉。[0003] 芍药的根由根颈、块根、须根三部分组成。根颈头是根的最上部,颜较深,着生有芽;块根由根颈下方生出,呈纺锤形或长柱形;须根主要从块根上生出,是吸收水分和养料的主要器官,并可逐渐演化成块根,根可入药。芍药的芽丛生在根颈上,冬季在地下越冬,春初随气温上升,萌芽出土。芍药的芽为混合芽,既发育成生殖器官花,又形成营养器官茎和叶;其茎由根部簇生,基部圆柱形,上端多棱角;其叶的末端由三片小叶组成一
束叶,两侧又各有一束叶,两侧的每一束叶通常情况下由四片小叶组成,小叶形状多样,颜丰富,可作为观叶植物。芍药的花一般独开在茎的顶端或近顶端叶腋处,也有一些稀有品种,是两花或三花并出的,原种花白,园艺品种花丰富,有白、粉、红、紫、黄、绿、黑和复等,花型也较为多变。
[0004] 芍药在一年之中,各种器官受气候条件的制约,发生相应变化的时期,称为物候期。影晌芍药开花物候的主要因素有1)气温:在同一地区,芍药花期的早晚与春天气温变化密切相关,温度可影响整个开花的过程;2)水分与降雨:水分和降雨对花期的影响不大,在花前充分灌水或遇降雨,有助于芍药开花,花朵硕大,花艳丽;但若遇到较大的降雨,花朵受损,会提前败落;若花前土壤含水量低,则会使花朵变小,花不艳,花期缩短;3)海拔高度:海拔高度可影响气温、光照和湿度等的变化,从而影响花期;4)光照:光照常与温度相伴而对植物生长发育和花期产生重大影响;花前光照不足,会影响花,使之不够浓艳,花期光照强烈,再伴以温度升高,会使花期缩短或灼伤花朵。因此,在花期搭遮阳棚,会延长芍药的花期。
[0005] 芍药作为一种观赏花卉,目前在春季上市的盆栽芍药中,全部都是采用前一年秋季搭建温棚,并使用激素涂抹芽点,促进花芽萌发,花蕾发育正常时再连根挖起,带土装盆,整理后上市的,由于催芽时采用药剂处理,生长所需的营养全部来自于根和茎的积累,因此催花芍药的营养不足,导致其花朵变小,花浅,叶片发育不完整,观赏价值大大的降低,而且移栽入盆,必须要经过暖苗期,反
而延长了上市的时间。
发明内容
[0006] 本发明的目的在于提供一种利用无土栽培,解决催花后芍药营养差的问题,使其成花质量高,生产周期短的芍药无土促成栽培方法。
[0007] 本发明的技术方案如下所示:
[0008] 一种芍药无土促成栽培方法,其包括苗盆准备,苗木准备,温度控制,湿度控制,光
照控制和营养控制;其特征在于,所述的苗盆准备中先在苗盆底部铺入2-6厘米的炉渣,然后填装基质;所述的基质包括以下体积比的成分:草炭3-4,蛭石1-2,珍珠岩1-2。[0009] 进一步,所述的温度控制中,在种植后的20天内,将温度控制在10-15℃;在种植20天后,将温度控制在18-25℃。
[0010] 进一步,所述的湿度控制中,在苗盆准备时,基质中的含水量为40-60%;在种植后的7天内,每日叶面喷水4-6次;种植7天后每隔一日喷水4-6次;整个栽培过程中空气湿度为75-85%。
[0011] 进一步,所述的光照控制中,在种植后,采用全光照,时间长度为11-15小时,强度为30000-50000lux;叶片完全伸展后,光照时间不变,光照强度减弱,为15000-25000lux。[0012] 进一步,所
述的营养控制中,所用的营养液包括以下质量比的成分:尿素3-5,磷酸二氢钾5-7,硫酸镁0.2-0.4,硫酸铜0.2-0.4,硫酸锌0.1-0.3,硫酸亚铁0.1-0.3,水5000;营养液每4天浇灌一次,每株的浇灌量为200-300ml。
[0013] 本发明一种芍药无土促成栽培方法,通过利用无土栽培技术,能够有效的防止有土栽培植物所带来的昆虫卵、幼虫以及土壤真菌、病菌等对芍药带来的不良影响,再结合人工手段控制芍药花的物候期因素,并且及时的补充各种所需营养,不仅仅是依靠原有根茎的储备,从各个因素使得芍药快速苏醒,进入生长期,保证了植株生长所需的营养;通过本发明培育出来的芍药,不仅枝繁叶茂,而且花朵直径大,泽艳丽,花期时间长,花和叶的观赏性都很强;同时由于采用无土栽培,因此芍药盆花搬运方便,养护简单,无异味。
具体实施方式
[0014] 实例1
[0015] 一种芍药无土促成栽培方法,其包括以下步奏:
[0016]    a.苗盆准备,先在苗盆底部铺入2厘米的炉渣,然后填装基质;其中基质由体积比为3∶1∶1的草炭、蛭石、珍珠岩组成。
[0017]    b.苗木准备。
[0018]    c.温度控制,在种植后的20天内,将温度控制在10℃;在种植20天后,将温度控制在18℃。
[0019]    d.湿度控制,在苗盆准备时,基质中的含水量为40%;在种植后的7天内,每日叶面喷水4次;种植7天后每隔一日喷水4次;整个栽培过程中空气湿度为75%。[0020]    e.光照控制,在种植后,采用全光照,时间长度为11小时,强度为30000lux;叶片完全伸展后,光照时间不变,光照强度减弱,为15000lux。
[0021]    f.营养控制,所用的营养液包括以下质量的成分:尿素3g,磷酸二氢钾5g,硫酸镁0.2g,硫酸铜0.2g,硫酸锌0.1g,硫酸亚铁0.1g,水5000g;营养液每4天浇灌一次,每株的浇灌量为200ml。
[0022] 实例2
[0023] 一种芍药无土促成栽培方法,其包括以下步奏:
[0024]    a.苗盆准备,先在苗盆底部铺入4厘米的炉渣,然后填装基质;其中基质由体积比为3∶2∶2的草炭、蛭石、珍珠岩组成。
[0025]    b.苗木准备。
[0026]    c.温度控制,在种植后的20天内,将温度控制在12℃;在种植20天后,将温度控制在22℃。
[0027]    d.湿度控制,在苗盆准备时,基质中的含水量为50%;在种植后的7天内,每日叶面喷水5次;种植7天后每隔一日喷水5次;整个栽培过程中空气湿度为80%。[0028]    e.光照控制,在种植后,采用全光照,时间长度为12小时,强度为40000lux;叶片完全伸展后,光照时间不变,光照强度减弱,为20000lux。
[0029]    f.营养控制,所用的营养液包括以下质量的成分:尿素4g,磷酸二氢钾6g,硫酸镁0.3g,硫酸铜0.3g,硫酸锌0.2g,硫酸亚铁0.2g,水5000g;营养液每4天浇灌一次,每株的浇灌量为250ml。
[0030] 实例3
[0031] 一种芍药无土促成栽培方法,其包括以下步奏:
[0032]    a.苗盆准备,先在苗盆底部铺入6厘米的炉渣,然后填装基质;其中基质由体积比为2∶1∶1的草炭、蛭石、珍珠岩组成。
[0033]    b.苗木准备。
[0034]    c.温度控制,在种植后的20天内,将温度控制在15℃;在种植20天后,将温度控制在25℃。
[0035]    d.湿度控制,在苗盆准备时,基质中的含水量为60%;在种植后的7天内,每日叶面喷水6次;种植7天后每隔一日喷水6次;整个栽培过程中空气湿度为85%。[0036]    e.光照控制,在种植后,采用全光照,时间长度为15小时,强度为50000lux;叶片完全伸展后,光照时间不变,光照强度减弱,为25000lux。
[0037]    f.营养控制,所用的营养液包括以下质量的成分:尿素5g,磷酸二氢钾7g,硫酸镁0.4g,硫酸铜0.4g,硫酸锌0.3g,硫酸亚铁0.3g,水5000g;营养液每4天浇灌一次,每株的浇灌量为300ml。的浇灌量为200-300ml。

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标签:芍药   栽培   控制   光照   时间   营养   方法   促成
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