SOI-LDMOS结构的制作方法及其结构

(19)中华人民共和国国家知识产权局

	(12)发明专利说明书
		(10)申请公布号 CN 114242595 A (43)申请公布日 2022.03.25

(21)申请号 CN202111605302.8

(22)申请日 2021.12.24

(71)申请人苏州华太电子技术有限公司

地址 215000 江苏省苏州市工业园区星湖街328号创意产业园10-1F

(72)发明人岳丹诚黄安东张耀辉

(74)专利代理机构 11240 北京康信知识产权代理有限责任公司

代理人张岳峰

(51)Int.CI

H01L21/336(20060101)

H01L23/367(20060101)

H01L29/78(20060101)

权利要求说明书说明书幅图

(54)发明名称

SOI-LDMOS结构的制作方法及其结构

(57)摘要

本申请提供了一种SOI‑LDMOS结构的制作方法及其结构，该方法包括：首先，提供初始SOI‑LDMOS结构，初始SOI‑LDMOS结构包括依次设置的衬底、埋层氧化层、SOI层以及介质层，SOI层中具有间隔设置的源区以及漏区；然后，形成依次贯穿初始SOI‑LDMOS结构的介质层、源区、埋层氧化层至衬底中的沟槽；最后，在沟槽中填充导热材料，形成导热结构，得到SOI‑LDMOS结构。本申请通过在初始SOI‑LDMOS结构中形成贯穿埋氧化层的沟槽并填充导热材料，提供了热通道，保证了散热能力较强，该沟槽也保证了器件的寄生三极管的基区电阻较小，从而保证了器件的鲁棒性，保证了器件整体性能及可靠性较好。

法律状态

法律状态公告日	法律状态信息	法律状态
2022-03-25	公开	发明专利申请公布
2022-04-12	实质审查的生效IPC(主分类):H01L21/336专利申请号:2021116053028申请日:20211224	实质审查的生效
2022-11-04	著录事项变更IPC(主分类):H01L21/336专利申请号:2021116053028变更事项:申请人变更前:苏州华太电子技术有限公司变更后:苏州华太电子技术股份有限公司变更事项:地址变更前:215000 江苏省苏州市工业园区星湖街328号创意产业园10-1F变更后:215000 江苏省苏州市工业园区星湖街328号创意产业园10-1F	著录事项变更