专利名称：直拉单晶炉热屏装置及提高拉晶速率的方法专利类型：发明专利 发明人：丁亚国，李玲玲，梁万亮，马国忠，顾燕滨
申请号：CN202111639258.2
申请日：20211229
公开号：CN114369866A
公开日：
20220419
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：本发明提供一种直拉单晶炉热屏装置及提高拉晶速率的方法，属于提高拉晶速率工艺的技术领域，包括：导流筒、水冷屏，所述导流筒位于所述水冷屏的下方，所述水冷屏的内侧壁设置有凹坑，单晶炉加热器位于炉体底部，布设于坩埚底部或侧壁上，单晶硅拉制过程中，加热器的温度自加热炉底部向上折射，本发明在所述水冷屏的内侧壁设置凹坑，通过凹坑能够增加水冷屏的热折射方向，使得热折射向上，减少热折射直接折射在晶棒上，利于晶棒的降温，且所述凹坑有利于增大水冷屏散热面积，且增加了水冷屏的吸热效率，提高加热炉腔内散热效率，进而使得单晶棒拉制的过程中拉速提高，进而拉制单晶棒的产率提高。 申请人：宁夏申和新材料科技有限公司
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国籍：CN
代理机构：宁夏三源鑫知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人：孙彦虎
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