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一种三维集成高压碳化硅模块封装结构[发明专利]

专利名称：一种三维集成高压碳化硅模块封装结构

专利类型：发明专利

发明人：王来利，侯晓东，赵成，王见鹏，马定坤，杨成子，杨旭申请号：CN201910428016.5

申请日：20190522

公开号：CN110246835A

公开日：

20190917

专利内容由知识产权出版社提供

摘要：发明公开了一种三维集成高压碳化硅模块封装结构，其包括自上而下的源极基板、芯片子模块、上驱动端子、上驱动基板、陶瓷外壳、可集成水冷散热器的金属基板、进水口、出水口、芯片子模块、下驱动端子、下驱动基板、漏极基板，其中芯片子模块由驱动连接基板、功率源极金属块、驱动栅极金属柱、驱动栅极金属柱、碳化硅裸片、绝缘结构等组成。采用三维集成结构让回路不收二维布局的局限，寄生参数大幅降低；采用集成水冷散热器的中间基板能保证每层芯片都是双面散热结构，提高模块的散热效率；采用外接解耦电容组，减小电压振荡的同时也不会影响模块内部的可靠性；采用金属平板作为引出端子，能够与现有的电网输变电系统相兼容。

申请人：西安交通大学

地址：710049 陕西省西安市咸宁西路28号

国籍：CN

代理机构：西安通大专利代理有限责任公司

代理人：范巍

本文发布于:2024-09-24 14:22:29，感谢您对本站的认可！

本文链接：https://www.17tex.com/tex/1/410040.html

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