集成电路FinFET复杂三维结构描述文件的生成方法和系统

(19)中华人民共和国国家知识产权局

	(12)发明专利说明书
		(10)申请公布号 CN 114021505 A (43)申请公布日 2022.02.08

(21)申请号 CN202210010288.5

(22)申请日 2022.01.06

(71)申请人青岛展诚科技有限公司

地址 266000 山东省青岛市市南区山东路39号

(72)发明人马胜军孙玕袁鹏飞孙延辉

(74)专利代理机构 37332 青岛恒昇众力知识产权代理事务所(普通合伙)

代理人苏友娟

(51)Int.CI

G06F30/31(20200101)

G06F30/39(20200101)

权利要求说明书说明书幅图

(54)发明名称

集成电路FinFET复杂三维结构描述文件的生成方法和系统

(57)摘要

本发明涉及晶体管技术领域，特别提供了一种集成电路FinFET复杂三维结构描述文件的生成方法和系统，具体包括以下步骤：获取集成电路物理版图信息，版图信息只包含平面二维数据；获取FinFET的工艺参数，包括栅极沟道的具体深度参数、源漏极Fin结构的具体参数；根据得到的具体参数生成描述FinFET结构的描述文件，描述文件主要包括栅极沟道结构和源漏极Fin结构；结合三维描述语言得到完整的版图三维结构。本发明在保证结构精准的前提下更简洁，更高效的生成复杂结构，省略了复杂的层生成过程，更贴合芯片的生产过程。

法律状态

法律状态公告日	法律状态信息	法律状态
2022-02-08	公开	公开
2022-02-25	实质审查的生效	实质审查的生效
2022-05-17	授权	发明专利权授予