一种基于阵元特征模式的阵列天线电性能分析方法[发明专利]

专利名称:一种基于阵元特征模式的阵列天线电性能分析方法专利类型:发明专利
发明人:娄顺喜,王伟,钱思浩,葛潮流,段宝岩
申请号:CN201811474242.9
申请日:20181204
公开号:CN109670140A
公开日:
20190423
专利内容由知识产权出版社提供
摘要:本发明公开了一种基于阵元特征模式的阵列天线电性能分析方法,包括阵元辐射模式的确定;阵元在阵中环境下的模式激励系数的计算;阵列天线远场方向图的计算;阵列天线激励端口网络参数求解。本发明严格考虑了阵元间的互耦效应,可精确分析阵列天线电性能。所提方法可用于揭示阵元间的互耦效应本质,对于阵列天线的分析与设计具有重要工程意义。
申请人:西安电子科技大学
地址:710071 陕西省西安市碑林区太白南路2号
国籍:CN
代理机构:西安通大专利代理有限责任公司
代理人:姚咏华

本文发布于:2024-09-21 12:29:59,感谢您对本站的认可!

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标签:天线   专利   模式   电性能   激励   计算
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