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一种改进的HBT小信号等效电路模型建立方法[发明专利]

专利名称：一种改进的HBT小信号等效电路模型建立方法专利类型：发明专利

发明人：张金灿，刘博，孙立功，张雷鸣，尹育聪

申请号：CN201510744097.1

申请日：20151104

公开号：CN105184032A

公开日：

20151223

专利内容由知识产权出版社提供

摘要：一种改进的HBT小信号等效电路模型建立方法，包括：1、提取极间金属引线交叠电容参数；2、提取本征参数：（1）从完整的HBT散射参数中剥离掉焊盘寄生参数和器件电阻参数，对得到的阻抗参数Z进行加减运算并取实部和虚部，分别得到基极内电阻R和基极扩散电容C；（2）将R、C 从阻抗参数Z中剥离，并进行变换，利用得到的导纳参数Y提取电阻参数、电容参数、互导参数和延迟时间；3、由极间金属引线交叠电容参数、本征参数、以及焊盘寄生参数、器件电阻参数这四个参数，得到HBT小信号等效电路模型。本发明引入金属引线间交叠电容和基极扩散电容C，提高了HBT 小信号等效电路的仿真精度。

申请人：河南科技大学

地址：471000 河南省洛阳市涧西区西苑路48号

国籍：CN

代理机构：洛阳公信知识产权事务所(普通合伙)

代理人：罗民健

本文发布于:2024-09-23 11:21:22，感谢您对本站的认可！

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