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碳化硅的等离子体刻蚀[发明专利]

专利名称：碳化硅的等离子体刻蚀专利类型：发明专利

发明人：李思义

申请号：CN02809053.5

申请日：20020321

公开号：CN1522465A

公开日：

20040818

专利内容由知识产权出版社提供

摘要：本发明公开了一种以对上方和/或下方介电材料层的选择性等离子体刻蚀碳化硅的方法。介电材料可包含二氧化硅，氧氮化硅，氮化硅或各种低k介电材料包括有机低k材料。刻蚀气体包括含体如Cl，含氧气体如O，和载体气体如Ar。为了实现对这些介电材料的所需选择性，选择等离子体刻蚀气体化学以实现所需的碳化硅刻蚀速率，同时介电材料在较慢的速率下被刻蚀。该工艺可用于选择性地刻蚀氢化碳化硅刻蚀光阑层或碳化硅基材。

申请人：兰姆研究公司

地址：美国加利福尼亚

国籍：US

代理机构：中国国际贸易促进委员会专利商标事务所

代理人：任宗华

本文发布于:2024-09-21 11:13:52，感谢您对本站的认可！

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