高光萃取率的高光效倒装LED芯片及其制备方法

(19)中华人民共和国国家知识产权局

	(12)发明专利说明书
		(10)申请公布号 CN 113555484 A (43)申请公布日 2021.10.26

(21)申请号 CN202110759670.1

(22)申请日 2021.07.06

(71)申请人华南师范大学

地址 510630 广东省广州市天河区中山大道西55号华南师范大学

(72)发明人郭志友徐亮李渊孙慧卿谭秀洋夏凡夏晓宇马建铖张淼

(74)专利代理机构 11919 北京清控智云知识产权代理事务所(特殊普通合伙)

代理人仵乐娟

(51)Int.CI

H01L33/44(20100101)

H01L33/46(20100101)

H01L33/14(20100101)

H01L33/00(20100101)

权利要求说明书说明书幅图

(54)发明名称

高光萃取率的高光效倒装LED芯片及其制备方法

(57)摘要

本发明涉及一种高光萃取率的高光效倒装LED芯片及其制备方法，其包括由N型层、MQW量子阱层和P型层层叠的外延结构，第一开口沿外延结构的边缘布置，第二开口靠近其中心区域布置，第一和第二开口延伸至N型层，电流扩展层布置于P型层上，钝化绝缘层沿第一、第二开口和电流扩展层的表面布置，其中布置于电流扩展层表面的钝化绝缘层中设置有多个孔洞，孔洞暴露电流扩展层；金属反射层布置于P型层上方的钝化绝缘层上，钝化绝缘层包含多个层叠的钝化绝缘层子层，子层的折射率沿电流扩展层指向金属反射层的方向逐渐减小。本发明的芯片结构增大了入射角，光提取效率、芯片表面电流注入均匀性均得以提高，降低了电压、提高了亮度和光效。

法律状态

法律状态公告日	法律状态信息	法律状态
2021-10-26	公开	公开
2021-11-12	实质审查的生效	实质审查的生效
2023-01-06	授权	发明专利权授予