专利类型:发明专利
发明人:王孝强,匙芳廷,周道辉,阴金玉,安鹏,邹浩,何源,税胡高远,唐娇,林静若岚
申请号:CN202010818883.2
申请日:20200814
公开号:CN111909559A
公开日:
20201110
专利内容由知识产权出版社提供
摘要:本发明涉及放射性表面可剥离去污剂及其制备方法,属于高分子化学涂料应用于核设施表面放射性去污技术领域。放射性表面可剥离去污剂,以聚乙烯醇为主成膜剂,水做溶剂,并添加助剂制备而成;所述助剂由以下组分组成:胶凝剂、分散剂、增强剂、表面活性剂、胶黏剂、螯合剂、辅助成膜剂、润滑剂、防冻剂、增塑剂、凡士林、乳化剂和增稠剂。本发明制备的可剥离膜去污剂成膜性好、保质期长、可剥离性良好,能满足短中期储存与放射性废物坑及热室用不锈钢表面的作业要求。
申请人:西南科技大学
地址:621010 四川省绵阳市涪城区西南科技大学
国籍:CN
代理机构:成都希盛知识产权代理有限公司