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碳化硅MOSFET器件的元胞结构及碳化硅MOSFET器件[发明专利]

专利名称：碳化硅MOSFET器件的元胞结构及碳化硅MOSFET器件

专利类型：发明专利

发明人：戴小平，王亚飞，陈喜明，李诚瞻，罗海辉

申请号：CN201911089381.4

申请日：20191108

公开号：CN112786679A

公开日：

20210511

专利内容由知识产权出版社提供

摘要：本公开提供一种碳化硅MOSFET器件的元胞结构及碳化硅MOSFET器件。该碳化硅MOSFET器件的元胞结构包括：位于元胞结构两侧且在所述漂移层表面内设置的第二导电类型阱区、位于所述阱区表面内的第一导电类型源区和位于元胞结构中心且与所述源区、所述阱区以及所述漂移层接触的栅结构。还包括位于所述源区上方且与所述源区形成欧姆接触的源极金属层，在元胞结构两侧，所述漂移层于其未被所述阱区覆盖的区域向下设置有侧部沟槽，所述侧部沟槽中设置有与所述侧部沟槽下方的所述漂移层形成肖特基接触的肖特基金属层。本公开通过在碳化硅MOSFET器件的元胞结构级别集成了SBD，改善碳化硅双极退化现象，提高芯片可靠性，并降低模块封装成本、提高模块电气特性。

申请人：株洲中车时代电气股份有限公司

地址：412001 湖南省株洲市石峰区时代路169号

国籍：CN

代理机构：北京聿宏知识产权代理有限公司

本文发布于:2024-09-20 22:46:47，感谢您对本站的认可！

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