一种用于信号放大的MOS管电阻及其偏置电路

(19)中华人民共和国国家知识产权局

	(12)发明专利说明书
		(10)申请公布号 CN 113359941 A (43)申请公布日 2021.09.07

(21)申请号 CN202110579129.2

(22)申请日 2021.05.26

(71)申请人清华大学

地址 100084 北京市海淀区清华园

(72)发明人余占清张伟牟亚陈世萍严鑫

(74)专利代理机构 11594 北京知联天下知识产权代理事务所(普通合伙)

代理人张迎新;史光伟

(51)Int.CI

G05F3/26(20060101)

权利要求说明书说明书幅图

(54)发明名称

一种用于信号放大的MOS管电阻及其偏置电路

(57)摘要

本发明公开了一种用于信号放大的MOS管电阻及其偏置电路，所述MOS管电阻电路包括共源共栅电流镜控制电路以及与所述共源共栅电流镜控制电路连接的MOS管组；所述共源共栅电流镜控制电路包括多个晶体管；所述MOS管组包括P沟道的PMOS管和N沟道的NMOS管，所述PMOS管和所述NMOS管的源极相连，所述PMOS管的栅极和漏极与所述共源共栅电流镜控制电路中的一段镜像支路连接，所述NMOS管的栅极和漏极与所述共源共栅电流镜控制电路中的另一段镜像支路连接。本发明相对于其他解决方案而言，具有高跨阻增益倍数、高精度、高线性度、低噪声、低功耗、体积小等优势。

法律状态

法律状态公告日	法律状态信息	法律状态
2021-09-24	实质审查的生效	实质审查的生效
2021-09-07	公开	公开
2022-09-23	授权	发明专利权授予
2023-01-13	著录事项变更IPC(主分类):G05F 3/26专利申请号:2021105791292变更事项:发明人变更前:余占清张伟牟亚陈世萍严鑫变更后:张伟余占清牟亚陈世萍严鑫	著录事项变更