一种半导体器件及制备方法[发明专利]

专利名称：一种半导体器件及制备方法专利类型：发明专利

发明人：卢年端，李泠，耿玓，王嘉玮，刘明申请号：CN201910322463.2

申请日：20190422

公开号：CN110164965A

公开日：

20190823

专利内容由知识产权出版社提供

摘要：本发明公开了一种半导体器件及制备方法，半导体器件包括：自底向上依次设置的衬底、绝缘介质层、源漏电极层、过渡层、有源层、栅介质层和栅电极层；绝缘介质层的部分区域上凸以填充源漏电极层中的源极区和漏极区之间的区域，并填充过渡层中的源极区接触区和漏极区接触区之间的区域；过渡层为二维材料，过渡层与有源层的源漏区接触；源漏电极层与源漏区之间通过过渡层减少接触电阻。本发明提供的器件及制备方法用以解决现有技术中的薄膜晶体管，存在的源漏电极层与有源层间接触电阻过大的技术问题。实现了减小源漏电极层与源漏区之间的接触电阻，极大地降低了载流子注入的势垒，从而达到改善薄膜晶体管性能的作用。

申请人：中国科学院微电子研究所

地址：100029 北京市朝阳区北土城西路3号

国籍：CN

代理机构：北京华沛德权律师事务所

代理人：房德权

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