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一种原子层沉积ALD液态源的储存装置[实用新型专利]

专利名称：一种原子层沉积ALD液态源的储存装置专利类型：实用新型专利

发明人：不公告发明人

申请号：CN201620415539.8

申请日：20160510

公开号：CN205979155U

公开日：

20170222

专利内容由知识产权出版社提供

摘要：本实用新型公开了一种原子层沉积(ALD)液态源的储存装置，包括源瓶瓶体，所述源瓶瓶体内部顶部为弧形顶面，所述源瓶瓶体内部底部中心为U型储源槽，所述源瓶瓶体外侧顶部设有1/2VCR 口，所述1/2VCR口两侧分别连接隔膜阀一和隔膜阀二，所述隔膜阀一用于接通载气，所述隔膜阀二为源蒸汽出口。本实用新型提供的一种原子层沉积(ALD)液态源的储存装置，实现了ALD源与水、氧的绝对隔绝，更能提高了ALD源在工艺过程中较高的利用率，保证了ALD源储存的安全性，降低ALD 工艺过程成本，可以直接应用于ALD工艺的规模化应用。

申请人：苏州复纳电子科技有限公司

地址：215600 江苏省苏州市张家港市经济开发区(市高新技术创业服务中心)

国籍：CN

代理机构：苏州润桐嘉业知识产权代理有限公司

代理人：赵丽丽

本文发布于:2024-09-22 23:14:42，感谢您对本站的认可！

本文链接：https://www.17tex.com/tex/1/397202.html

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