铝电解电容内部结构图以上是OST（台湾的一个电容厂）的一个加工厂提供的。以下表格是结构图当中各个部位的详细说明：
NO部件所用材料供应商
1LEAD LINE（外引线）TINNED CP WIRE KOJOKU
2TERMINAL（内引线）ALUMINUM WIRE KOHOKU
3RUBBER SEAL（胶封）IIR/EPT QIANG AN
贴片铝电解电容4AL-FOIL(+)（铝箔）FORMED ALUMINUM FOIL MASTUSHITA,JCC 5AL-FOIL(-)（铝箔）ETCHED/FORMED ALUMINUM
FOIL
GUAN YE
6CASE（电容外壳）ALUMINUM CASE XING YU
7SLEEVE（塑料外皮）PVC QI YUAN YIN LIN
8SEPARATOR（电解纸）ELECTROLYTE PAPER DA FU
我们可以注意3个地方：AL-FOIL(+)、AL-FOIL(-)、SEPARATOR，这些都是电容内部机构的关键部件，一些国内公司还无法做到。我们可以看出，这些都是从日本JCC等公司进口的，对电容品质的保证起到了很重要的作用。
电解电容的八个基本参数详解[一]
参数一：电容值
电容值C=Q/U。
要计算主板CPU供电部位对电容容量的需求，使用如下公式：
C = I/(?V/?t)
假如CPU的电流I为50A, ?V=50mV时，?t=10μS。则容量要求为
C=10000μf。要得到理想的滤波效果的话，就要求要7颗1500μf的电容并联使用。
参数二：耐压值
耐压值是表示电容＋/－极之间的最大压差，如果出现过压现象，电容就会处于击穿状态，漏电流增大，电容内部发热巨增，电容内部的电解液会因高温变成气体致使电容内部压力增大。当这个压力超过电解电容的铝外壳承受压力的时候，电容就会发生爆炸。CPU的工作电压一般在1～2V之间，电容耐压能在4V以上就一般不会出问题，前提是电容极性不得插反！ 参数三：损耗正切值
损耗正切值用tgδ表示，它是交流电压下介质中的能量损耗标称。损耗跟温度及电压有关系，损耗值越小，电容发热就越小，热量对电容的工作寿命有
很大的影响。
参数四：ESR
ESR即Equivalent Series Resistance（等效串联电阻），主板CPU供电
部分都是用的LOW ESR的电容，主板的CPU输入电容的ESR的要求值可根据以
下公式计算：
而INTEL Pentium 4处理器的要求是取3.06GHz CPU I CC=65.4A。则根据公式(1)、(2)可以得到最大ΔV TRAN=148.1mV。根据公式可以得到
R CESR/NC=2.26mΩ（全文摘自www.pcpop，有修改），当电容个数达到7个时，要求的
电容ESR值为 2.26X7=17.4mΩ。常用的高品质电容ESR参数也才13 mΩ，如RUBYCON的MBZ系列的电容，ESR值在100KHZ的测试条件下标准值为13 mΩ。
雷同的还有TAICON的HI系列，SAMXON（OST及松下等公司的电容代工厂）的GD系列。
电容爆浆
ESR值越大，滤除纹波效果就越差，尤其市面上很多只有4—5颗输出电容的
主板，将会影响主板的稳定性，用高频CPU时就更明显了。甚至还有些用较差
品牌，或是没有保证的国产电容，可能还会出现象XX等厂曾出现电容爆裂现象。参数五：纹波电流
纹波电流即RIPPLE CURRENT（也称涟波电流），电容具有“通交流，阻直流”的特性，纹波电流就是用了通交流的特性，将有害的交流成分滤掉，使直
流成分更纯，有助于CPU的工作稳定。
从公式I=U/R可以看出，它是跟ESR值是成正比关系的，在同等条件下
（同材料，同环境等），ESR值越低，电容的耐纹波电流能力越强，尤其是在
主板开关电源部分（如，CPU的电源部分在MOS管的前端）显得尤为重要，耐
纹波电流能力差，ESR值大，发热量就会增大，电容的寿命将会极大的降低，
甚至很容易出现爆裂现象。
参数六：耐温值
电解电容一般耐温值有85℃及105℃两种，在环境差的条件下，选择高耐
温的电容器有利于延长电容的工作寿命。
参数七：漏电流
电容在直流的条件下也不是完全绝缘的，漏电流的要求一般为I≤0.01CU，漏电流越小越好，漏电流小，电容的发热量小。
参数八：电容寿命
电容寿命计算公式为
Lx=Lo X 2【to-(tx+Δ
t)】/10
这是正常使用下电容的寿命公式，Lo=2000小时。
上图是TAICON的LOW ESR电容HI系列参数要求
电容的寿命跟工作温度有很大的关系，通常所说的2000小时的工作寿命，是指电容在工作温度下，如105℃，80％工作电压（加上纹波电压不超过标称电压），加上标称的纹波电流（如TAICON的2200UF/6.3V HI系列，10X20的电容，纹波电流为2.55A），工作2000小时参数变化率在要求的范围内，无故障出现（如电容爆等）。所以，要求高寿命的电容，跟选择好品质的电容是相依相存的，电容每个参数的好与坏都会直接影响到电容的工作寿命。
贴片铝电解液电容是如今的板卡上最常见的电容之一。事实上其它种类的贴片电解电容，例如铝固体聚合物电容的制造方法也和它类似，只是阴极采用的材料不是电解液，而是固体聚合物等等。
贴片铝电解液电容是显卡上最常见的电容
贴片铝电解液电容的制造过程包括九个步骤，我们就按顺序逐一为大家讲解：
第一步：铝箔的腐蚀。
假如拆开一个铝电解液电容的外壳，你会看到里面是若干层铝箔和若干层电解纸，铝箔和电解纸贴附在一起，卷绕成筒状的结构，这样每两层铝箔中间就是一层吸附了电解液的电解纸了。
因此首先我们谈谈铝箔的制造方法。为了增大铝箔和电解质的接触面积，电容中的铝箔的表面并不是光滑的，而是经过电化腐蚀法，使其表面形成凹凸不平的形状，这样能够增大7~8倍的表面积。普通铝箔一平方米的价格在10元人民币左右，而经过这道工艺之后，它的价格将升到40~50元/平米。电化腐蚀的工艺是比较复杂的，其中涉及到腐蚀液的种类、浓度、铝箔的表面状态、腐蚀的速度、电压的动态平衡等等。我们国家目前在这方面的制造工艺还不够成熟，因此用于制造电容的经过电化腐蚀的铝箔目前还主要依赖进口。
第二步：氧化膜形成工艺。
铝箔经过电化腐蚀后，就要使用化学办法，将其表面氧化成三氧化二铝——也就是铝电解电容的介质。在氧化之后，要仔细检查三氧化二铝的表面，看是否有斑点或者龟裂，将不合格的排除在外。
第三步：铝箔的切割。
这个步骤很容易理解。就是把一整块铝箔，切割成若干小块，使其适合电容制造的需要。
第四步：引线的铆接。
电容外部的引脚并不是直接连到电容内部，而是通过内引线与电容内部连接的。因此，在这一步当中我们就需要将阳极和阴极的内引线，与电容的外引线通过超声波键合法连接在一起。外引线通常采用镀铜的铁线或者氧化铜线以减少电阻，而内引线则直接采用铝线与铝箔直接相连。大家注意这些小小的步骤无一不对精密加工要求很高。
第五步：电解纸的卷绕。
电容中的电解液并非直接灌进电容，呈液态浸泡住铝箔，而是通过吸附了电解液的电解纸与铝箔层层贴合。这当中，选用的电解纸与普通纸张的配方有些不同，是呈微孔状的，纸的表面不能有杂质，否则将影响电解液的成分与性能。而这一步，就是将没有吸附电解液的电解纸，和铝箔贴在一块，然后卷进电容外壳，使铝箔和电解纸形成类似“101010”的间隔状态。
第六步：电解液的浸渍。
当电解纸卷绕完毕之后，就将电解液灌进去，使电解液浸渍到电解纸上。随着电解液配方的改进以及电解纸制造技术的提升，如今铝电解液电容的ESR 值也逐渐得以提升，变成以前的若干分之一。
第七步：装配。
这一步就是将电容外面的铝壳装配上，同时连接外引线，电容到这时已经基本成型了。
第八步：卷边。
如果是那种“包皮”电容，就需要经过这一步，将电容外面包覆的PVC膜套在电容铝壳外面。不过如今使用PVC膜的电容已经越来越少，主要原因在于这种材料并不符合环保的趋势，而和性能表现没有太大关系。
第九步：组合装配。
如果是直插封装，就不需要经过这步
这是贴片铝电解电容制造的最后一步。这一步就是将SMT贴片封装工艺所需要的黑塑料底板元件装
在电容底部。对元件的要求，首先是密封效果要好；第二是耐热性能要好；第三还要具备耐化学性，不能和电容内部的电解液一类物质产生化学反应。这块小塑料板叫做“端子板”，其制造精度要求是非常高，因为一旦大小不合适，要么影响电容的密封性（过小），或者阻挡PCB上电容附近其它元件的装配（过大）。
钽二氧化锰电容的制造过程
板卡上除了常见的贴片铝电解液电容外，偶尔还会出现比其更加高档的钽二氧化锰电容，也就是我们熟悉的钽电容。钽二氧化锰电容的外观呈立方体，体积较小，与体积相对偏大，且外观为圆筒状的铝电解液电容截然不同。不仅是外观，钽二氧化锰电容的内部结构也和铝电解液电容不一样。那么，这种电容又是如何制造出来的呢？
钽电容是“高档的象征”
可以说将二氧化锰作为阴极的钽二氧化锰电容的制造过程，比将固体聚合物作为阴极的电容还要复杂。因为PPY和PEDT这类固体聚合物，只需要直接放置入电容内部，而钽二氧化锰电容内部的二氧化锰，由于溶解性较差，熔点较高，无法预先紧密贴合，所以只能用硝酸锰热分解生成。
制造钽电容首先需要高纯度的钽粉。其纯度至少应该在99.9%以上，目前
这方面能达到的最高工艺是99.9999%。首先，将钽粉和有机溶剂掺杂在一起，按照一定的形状加压成形，同时埋入钽引线。
然后，在2000度以上的真空高温环境下，将掺杂有机溶剂的钽粉在真空中进行烧结变成类似于海绵的状态，同时和引线真正地融合在一起。（一定要保证真空环境，杜绝氧气，因为钽的熔点非常高，低于2000度无法熔化，而在2000度时，钽会和氧气发生剧烈反应，也就是爆炸所以一定不能有氧气混入）
接下来就要把烧结以后的海绵状的钽进行氧化而得到介质——五氧化二钽。这一步是将海绵状的钽，泡在磷酸溶液里面电解，氧化后表面即生成五氧化二钽。五氧化二钽的介电常数非常高，在27左右，性能高于铝电解电容的三氧化二铝介质（介电常数7左右）。
然后就是阴极材质——二氧化锰的生成。这一环节，是将液态的硝酸锰加入钽块，然后将其在水蒸汽（催化剂）环境中进行热分解，分别成二氧化锰与二氧化氮。为了使氧化膜能够真正完全黏附在二氧化锰上，这道工序要进行好几次（掺入，分解，再掺入……）。硝酸锰吸附性好，生成的二氧化锰可以完全吸附在海面状钽块内部的无数个小孔当中。假如这里直接使用固体的二氧化锰，就无法达到这种效果，这就是为什么二氧化锰只能在制造过程中得到的原
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