第七章 CVD工序
7.1 CVD工序的目的
7.2 CVD工艺的基本原理
7.3 CVD的设备构成和主要性能指标
7.4 CVD 工序的主要工艺参数和工艺质量评价
7.5特种气体供应管理系统
7.1 CVD工序的目的
7.1.1 CVD目的
在一定压强、温度条件下输入高频电压使气体源电离形成等离子体，在基板表面发生气相化学反应，生长出各种功能薄膜。 A(g) + B(g) energy C(s) + 副产物
7.1.1.1 CVD film介绍
Film | Gas |
G-SiNX（GH&GL） | SiH4+NH3+H2 |
a-Si（AH&AL） | SiH4+H2 |
n＋a-Si（NP） | SiH4+PH3+H2 |
P-SiNX（PV） | SiH4+NH3+H2 |
| |
7.1.1.2各层薄膜的功能
1. G: Gate SiNx （绝缘层）
作用：防止M1与I层导通
2. a-Si （半导体）
作用：导通层，电子在该层产生
3. N: N+ a-Si （掺杂半导体）
作用：降低界面电位差，降低I层与M2之间的电位差
4. Passivation (保护层)
作用：该层的作用是保护M2，防止其发生氧化，腐蚀
7.1.1.3生成各层的化学反应原理
（1）SiNX:H
SiH4 + NH3 + N2 → SiNX: H
（2） a-Si:H
薄膜生产线
SiH4 + H2 → a-Si:H
（3）n＋a-Si:H
SiH4 + PH3 + H2 →n＋a-Si:H
7.2 CVD工艺的基本原理
通过前一章节的学习，我们应该对CVD的功能有了一定的了解，其实自从CVD镀膜技术被发现至今，已经得到了很大的发展，已经衍生出许多不同类型的CVD成膜方式。 按反应室内压力分：
APCVD: Atmospheric pressure CVD
SACVD: Sub Atmospheric pressure CVD
LPCVD: Low Pressure CVD
ULPCVD: Ultra-low pressure CVD
UHV_CVD: Ultra-high vacuum CVD
按能量供给方式分：
热活化式：Thermally-activated CVD
等离子辅助式：Plasma Enhanced CVD (PE-CVD)
射频方式：（Radio Frequency CVDundefinedRFCVD)
微波方式：（Microwave CVD)
电子回旋共振式：（Electron Cyclotron Resonance CVD)
引控式（Remote PCVD)
磁控式(Magnetic PCVD)
光辅助式：Photo-assisted CVD
雷射辅助式：Laser-induce CVD
下面将就PECVD系统构造、原理及特征等内容进行详细的说明，其他种类的CVD镀膜方式本节不做赘述：
PECVD技术是上世纪70年代初发展起来的新工艺，主要是为了适应现代半导体工业的发展，制取优质介质膜。现代科技对半导体器件的可靠性和稳定性要求越来越高，为了防止器件制造过程中的表面玷污，必须进行表面钝化，用PECVD法制备的钝化膜的沉积实在低温下（200～400℃）进行的，钝化效果好，失效时间长，具有良好的热学和化学稳定性。80年代末随着TFT-LCD产业的兴起，PECVD技术在低温，大面积镀膜方向上具备其他CVD镀膜无可比拟的优势，进一步推进了平板显示业的发展，更新，基板尺寸更大的生产线被制造出来。平板显示产业也得以发生了革命性的变化。
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