晶圆测试工艺过程中引起的ILD（层间介质）破损作者：尹丽莉测试
探针来源：《卷宗》2014年第07期 摘 要：晶圆测试是对半导体晶圆上的每个芯片进行检测，在检测机上安装探针卡，使每个细如毛发的探针与芯片上的焊垫直接接触，进行测试，不合格的芯片会被记录，并在出货前打上墨点，这些不合格品将不再进行下一制程，从而避免封装成本的浪费。然而任何一个制程都会有其潜在的失效模式产生，晶圆测试也不例外。测试过程中造成的对芯片的中间绝缘层破坏就是最为严重的问题之一，他将对芯片的可靠性造成严重影响。 关键字：晶圆测试；中间绝缘层的破坏；潜在失效模式；芯片可靠性
1 中间绝缘层的介绍
ILD叫中间绝缘层， 也叫层间介质，层间介质主要提供器件内部的导体区、金属之间的电绝缘以及与周围环境的隔离防护， 在晶圆测试过程中，可能影响到的是最上一层的ILD， 它紧邻焊点区域下方，如果ILD遭到破坏，芯片的稳定性将会受到影响，严重时下层金属电路会产生短路或断路现象。
2 晶圆测试过程中造成ILD破坏的主要因素
晶圆测试是通过探针机、测试机、探针卡与芯片的焊垫（pad）相互连接，从而对芯片进行测试。整个过程中与芯片的焊垫接触的只有探针卡上的探针，但是任何一个接触点的压力过大，都会累加到最后的芯片pad上面，很有可能会造成对芯片中间绝缘层的破坏， 而且生产过程中的很多参数也会对ILD有影响，所以晶圆测试过程中有很多因素都存在着破坏ILD的潜在风险：
·探针机Z轴的精度、加速度
·焊垫区铝层太薄
·测试机与探针机接触的共面性不好 （所有共面性的差异，最后都会叠加在芯片的焊垫区上，使个别针扎入过深，造成ILD层的破坏）
·探针卡的共面性不好
·探针卡针尖过细， 造成测试时的压力过大
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