降低存储芯片过擦除概率的方法、电子设备及存储介质与流程

1.本技术涉及存储芯片技术领域，具体而言，涉及降低存储芯片过擦除概率的方法、电子设备及存储介质。

背景技术：

2.nor flash存储芯片进行擦除操作时，需要使所有需要被擦除的存储单元的阈值电压都被擦除至读取电压左边，若nor flash存储芯片中存在容易被擦除的存储单元，容易被擦除的存储单元在擦除至读取电压左边后容易产生漏电而导致出现过擦除的现象。
3.针对上述问题，目前尚未有有效的技术解决方案。

技术实现要素：

4.本技术的目的在于提供一种降低存储芯片过擦除概率的方法、电子设备及存储介质，能够有效地降低存储芯片出现过擦除现象的概率。
5.第一方面，本技术提供了一种降低存储芯片过擦除概率的方法，用于降低存储芯片过擦除的概率，其包括以下步骤:获取上述存储芯片中的易擦除存储单元组，上述易擦除存储单元组为上述存储芯片中阈值电压最低的若干存储单元；利用冗余单元替换上述易擦除存储单元组。
6.本技术提供的一种降低存储芯片过擦除概率的方法，先获取存储芯片中的易擦除存储单元组，再利用冗余单元替换易擦除存储单元组，以替换掉存储阵列中最容易被擦除的存储单元，从而尽可能地减少存储阵列中容易被擦除的存储单元的数量，进而有效地降低存储芯片出现过擦除现象的概率。
7.可选地，上述获取上述存储芯片中的易擦除存储单元组，上述易擦除存储单元组为上述存储芯片中阈值电压最低的若干存储单元的步骤之前还包括步骤：对上述存储芯片进行冗余替换。
8.该技术方案在获取存储芯片中的易擦除存储单元组之前，先对存储芯片进行冗余替换，以替换存储芯片中无法擦除或损坏的存储单元，从而避免出现由于存储芯片中存在无法擦除或损坏的存储单元而导致无法获取存储芯片中的易擦除存储单元组的情况。
9.可选地，上述利用冗余单元替换上述易擦除存储单元组的步骤包括：利用上述冗余替换后剩余的冗余单元替换上述易擦除存储单元组。
10.可选地，上述获取上述存储芯片中的易擦除存储单元组的步骤包括：基于预设变化的第一电压和/或预设变化的第一脉冲信号对上述存储芯片进行擦除操作，以获取第一位线的数量和第二位线的数量，使上述第一位线的数量与第二位线的数量相等，上述第一位线为上述易擦除存储单元组所在的位线，上述第二位线为上述冗余替换后剩余的冗余单元所在的位线。
11.可选地，上述获取上述存储芯片中的易擦除存储单元组的步骤包括：
基于预设变化的第一电压和/或预设变化的第一脉冲信号对上述存储芯片和上述冗余替换后剩余的冗余单元同时进行擦除操作，以获取第一位线的数量和第三位线的数量，使上述第一位线的数量与上述第三位线的数量相等，上述第一位线为上述易擦除存储单元组所在的位线，上述第三位线为其上所有上述冗余单元均为有效剩余冗余单元的位线，上述有效剩余冗余单元为上述剩余的冗余单元中未被擦除的冗余单元。
12.由于第三位线为其上所有冗余单元均为未被擦除的冗余单元的位线，因此该技术方案能够保证存储阵列中最容易被擦除的存储单元全部被替换成冗余阵列中未被擦除的冗余单元。
13.可选地，上述利用冗余单元替换上述易擦除存储单元组的步骤包括：利用上述第三位线替换上述第一位线。
14.可选地，上述获取上述存储芯片中的易擦除存储单元组的步骤包括：基于预设的第一电压和/或预设的第一脉冲信号对上述存储芯片进行擦除操作，以获取上述易擦除存储单元组。
15.可选地，上述第一电压小于第二电压，上述第二电压为上述存储芯片进行擦除操作时使用的擦除电压。
16.第二方面，本技术还提供了一种电子设备，包括处理器以及存储器，上述存储器存储有计算机可读取指令，当上述计算机可读取指令由上述处理器执行时，运行如上述第一方面提供的方法中的步骤。
17.第三方面，本技术还提供了一种存储介质，其上存储有计算机程序，上述计算机程序被处理器执行时运行如上述第一方面提供的方法中的步骤。
18.由上可知，本技术提供的一种降低存储芯片过擦除概率的方法、电子设备及存储介质，先获取存储芯片中的易擦除存储单元组，再利用冗余单元替换易擦除存储单元组，以替换掉存储阵列中最容易被擦除的存储单元，从而尽可能地减少存储阵列中容易被擦除的存储单元的数量，进而有效地降低存储芯片出现过擦除现象的概率。
19.本技术的其他特征和优点将在随后的说明书阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本技术实施例了解。本技术的目的和其他优点可通过在所写的说明书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。
附图说明
20.图1为包含正常编程状态和正常擦除状态的存储单元的阈值电压分布图。
21.图2为由正常的编程状态擦除至出现过擦除现象时的存储单元的阈值电压分布图。
22.图3为本技术实施例提供的降低存储芯片过擦除概率的方法的流程图。
23.图4为本技术实施例提供的一种电子设备的结构示意图。
24.附图标记：101、处理器；102、存储器；103、通信总线。
具体实施方式
25.下面将结合本技术实施例中附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在
此处附图中描述和示出的本技术实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。因此，以下对在附图中提供的本技术的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本技术的范围，而是仅仅表示本技术的选定实施例。基于本技术的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
26.应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。同时，在本技术的描述中，术语“第一”、“第二”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
27.nor flash存储芯片包括存储阵列和冗余阵列，存储阵列包括多个存储单元，冗余阵列包括多个冗余单元。如图1所示，图1为包含正常编程（program）状态和正常擦除（erase）状态的存储单元的阈值电压分布图，nor flash存储芯片进行擦除操作时，需要使所有需要被擦除的存储单元的阈值电压（vth）都被擦除至读取电压（vrf）左边，如图2所示，图2为由正常的编程状态擦除至出现过擦除现象时的存储单元的阈值电压分布图，若nor flash存储芯片的待擦除存储单元中存在容易被擦除的存储单元，容易被擦除的存储单元在所有存储单元均完成擦除后容易被过度擦除而产生漏电，即引起过擦除现象。
28.如图3所示，第一方面，本技术提供了一种降低存储芯片过擦除概率的方法，用于降低存储芯片过擦除的概率，其包括以下步骤:s1、获取存储芯片中的易擦除存储单元组，易擦除存储单元组为存储芯片中阈值电压最低的若干存储单元；s2、利用冗余单元替换易擦除存储单元组。
29.其中，读取电压为存储芯片进行读取操作时使用的电压，若读取电压高于存储单元的阈值电压，则读取该存储单元得到的数据为1；若读取电压低于存储单元的阈值电压，则读取该存储单元得到的数据为0，因此可以根据读取到的数据判断对应的存储单元是否完成擦除/编程操作。步骤s1的存储单元位于存储芯片的存储阵列中，步骤s1的原理为：存储阵列中存在容易被擦除的存储单元和难以被擦除的存储单元，在一个完整的擦除操作过程中，容易被擦除（阈值电压相对较低）的存储单元能更快地被擦除成功，因此在对存储芯片中的存储阵列施加一定的擦除电压进行擦除操作后，通过读取存储单元内的数据是否为1来判断该存储单元的阈值电压是否较低，存储阵列中阈值电压最低的若干个存储单元即为最容易被擦除的存储单元，从而实现获取存储芯片中的易擦除存储单元组。应当理解的是，为了避免由于存储单元的存储数据为1而导致该存储单元被判断为阈值电压较低的存储单元，在执行步骤s1之前需要对存储芯片进行全片编程，以使存储芯片的所有存储单元的存储数据均为0。
30.步骤s2利用冗余阵列中的冗余单元的物理地址来替换易擦除存储单元组中的存储单元的物理地址，以实现利用冗余单元替换易擦除存储单元组。步骤s2利用冗余阵列中的冗余单元替换易擦除存储单元组中的存储单元，以替换掉存储阵列中最容易被擦除的存储单元，从而尽可能地减少存储阵列中容易被擦除的存储单元的数量，进而有效地降低存储芯片过擦除的概率。应当理解的是，步骤s2的替换过程与现有技术的冗余替换的过程相似，其区别在于：本技术的被替换对象为易擦除存储单元组，易擦除存储单元组并非无法使用的存储单元，而现有技术的冗余替换的被替换对象为无法使用（如无法擦除或损坏等）的存储单元。
31.本技术提供的一种降低存储芯片过擦除概率的方法，先获取存储芯片中的易擦除存储单元组，再利用冗余单元替换易擦除存储单元组，以替换掉存储阵列中最容易被擦除的存储单元，从而尽可能地减少存储阵列中容易被擦除的存储单元的数量，进而有效地降低存储芯片出现过擦除现象的概率。此外，由于容易被擦除的存储单元的阈值电压与相对于容易被擦除的存储单元而言不易被擦除的存储单元的阈值电压不同，因此利用冗余单元替换易擦除存储单元组能够提高了各个存储单元的阈值电压的一致性，从而有效地减少出现过擦除现象时所需要的修复时间，进而有效地提高存储芯片的擦除效率。
32.现有技术为了提高冗余替换的便利性，一般使用冗余单元所在的位线代替无法擦除或损坏的存储单元所在的位线，由于本技术的替换过程与现有技术的冗余替换的过程类似，因此为了提高本技术利用冗余单元替换易擦除存储单元组的便利性，在一些优选实施例中，步骤s2包括：s21、利用冗余单元所在的位线替换易擦除存储单元组所在的位线。
33.该实施例能够有效地提高利用冗余单元替换易擦除存储单元组的便利性，且在出现同一条字线上存在多个阈值电压最低的存储单元的情况时，该实施例能一次性将该字线上的所有阈值电压最低的存储单元替换成冗余单元。
34.在一些优选实施例中，在获取到易擦除存储单元组后，基于相同的擦除条件对冗余阵列中的冗余单元进行擦除操作，以获取冗余阵列中未被擦除的冗余单元，步骤s2利用冗余阵列中未被擦除的冗余单元替换易擦除存储单元组，以进一步提高存储单元的阈值电压的一致性。
35.在获取存储芯片中的易擦除存储芯片组时，若存储芯片中存在无法擦除或损坏的存储单元，存储芯片可能无法对存储单元进行擦除操作，从而导致无法获取存储芯片中的易擦除存储单元组。为了解决该技术问题，在一些实施例中，步骤s1之前还包括步骤：s0、对存储芯片进行冗余替换。
36.其中，步骤s0的具体工作流程为：1、获取存储芯片中无法擦除或损坏的存储单元；2、利用冗余单元替换无法擦除或损坏的存储单元。该技术方案在获取存储芯片中的易擦除存储单元组之前，先对存储芯片进行冗余替换，以替换存储芯片中无法擦除或损坏的存储单元，从而避免出现由于存储芯片中存在无法擦除或损坏的存储单元而导致无法获取存储芯片中的易擦除存储单元组的情况。
37.在一些实施例中，在完成对存储芯片的冗余替换后，步骤s2包括：s21’、利用冗余替换后剩余的冗余单元替换易擦除存储单元组。
38.由于该实施例利用冗余替换后剩余的冗余单元替换易擦除存储单元组，因此该实施例能够有效地避免出现冗余替换后冗余阵列中的无法擦除或损坏的存储单元重新被替换到存储阵列的情况。在一些优选实施例中，步骤s21’可以为利用冗余替换后剩余的冗余单元所在的位线替换易擦除存储单元组所在的位线，该实施例能最大化地合理利用冗余阵列，从而提高存储芯片的质量。
39.实施例1降低存储芯片过擦除概率的方法包括步骤：s1、基于预设的第一电压对存储芯片进行擦除操作，以获取易擦除存储单元组；s2、利用冗余单元替换易擦除存储单元组。
40.其中，步骤s1的预设的第一电压小于第二电压，第二电压为存储芯片进行擦除操作时使用的擦除电压。该实施例的工作原理为：基于较小的第一电压对存储芯片进行擦除操作并获取存储芯片中各个存储单元的阈值电压，由于存储阵列中的存储单元的阈值电压分布呈正态分布，存储阵列中存在容易被擦除的存储单元和难以被擦除的存储单元，在一个完整的擦除操作过程中，容易被擦除（阈值电压相对较低）的存储单元能更快地被擦除成功，在其他的擦除条件均与存储芯片处于正常状态时的擦除条件相同的情况下，阈值电压最低的若干个存储单元即为存储阵列中最容易被擦除的存储单元，从而实现获取存储芯片中的易擦除存储单元组。
41.实施例2降低存储芯片过擦除概率的方法包括步骤：s1、基于预设的第一脉冲信号对存储芯片进行擦除操作，以获取易擦除存储单元组；s2、利用冗余单元替换易擦除存储单元组。
42.其中，步骤s1的预设的第一脉冲信号短于第二脉冲信号，第二脉冲信号为存储芯片进行擦除操作时使用的脉冲信号。该实施例的工作原理为：基于较短的第一脉冲信号对存储芯片进行擦除操作并获取存储芯片中各个存储单元的阈值电压，由于存储阵列中的存储单元的阈值电压分布呈正态分布，存储阵列中存在容易被擦除的存储单元和难以被擦除的存储单元，在一个完整的擦除操作过程中，容易被擦除（阈值电压相对较低）的存储单元能更快地被擦除成功，在其他的擦除条件均与存储芯片处于正常状态时的擦除条件相同的情况下，阈值电压最低的若干个存储单元即为存储阵列中最容易被擦除的存储单元，从而实现获取存储芯片中的易擦除存储单元组。
43.实施例3降低存储芯片过擦除概率的方法包括步骤：s1、基于预设的第一电压和预设的第一脉冲信号对存储芯片进行擦除操作，以获取易擦除存储单元组；s2、利用冗余单元替换易擦除存储单元组。
44.其中，步骤s1的预设的第一电压小于第二电压，第二电压为存储芯片进行擦除操作时使用的擦除电压，预设的第一脉冲信号短于第二脉冲信号，第二脉冲信号为存储芯片进行擦除操作时使用的脉冲信号。该实施例的工作原理为：基于较小的第一电压和较短的第一脉冲信号对存储芯片进行擦除操作，由于存储阵列中的存储单元的阈值电压分布呈正态分布，存储阵列中存在容易被擦除的存储单元和难以被擦除的存储单元，在一个完整的擦除操作过程中，容易被擦除（阈值电压相对较低）的存储单元能更快地被擦除成功，在其他的擦除条件均与存储芯片处于正常状态时的擦除条件相同的情况下，阈值电压最低的若干个存储单元即为存储阵列中最容易被擦除的存储单元，从而实现获取存储芯片中的易擦除存储单元组。
45.实施例4降低存储芯片过擦除概率的方法包括步骤：s0、对存储芯片进行冗余替换；s1、基于预设变化的第一电压对存储芯片进行擦除操作，以获取第一位线的数量
和第二位线的数量，使第一位线的数量与第二位线的数量相等，第一位线为易擦除存储单元组所在的位线，第二位线为冗余替换后剩余的冗余单元所在的位线；s2、利用第二位线替换第一位线。
46.其中，步骤s1的预设变化的类型可以为递增型、递减型或阶梯型等，预设变化的类型优选为递增型。该实施例的工作原理为：由于在其他的擦除条件均与存储芯片处于正常状态时的擦除条件相同时，基于不同大小的第一电压对存储芯片进行擦除操作获取到的第一位线的数量可能不同，因此基于预设变化的第一电压对存储芯片进行擦除操作能使第一位线的数量与第二位线的数量相等。由于第一位线的数量与第二位线的数量相等，因此相较于实施例1-3，该实施例能够避免出现由于第一位线的数量大于第二位线的数量而导致无法将第一位线全部替换或由于第一位线的数量小于第二位线的数量而造成第二位线剩余的情况。
47.实施例5降低存储芯片过擦除概率的方法包括步骤：s0、对存储芯片进行冗余替换；s1、基于预设变化的第一脉冲信号对存储芯片进行擦除操作，以获取第一位线的数量和第二位线的数量，使第一位线的数量与第二位线的数量相等，第一位线为易擦除存储单元组所在的位线，第二位线为冗余替换后剩余的冗余单元所在的位线；s2、利用第二位线替换第一位线。
48.其中，步骤s1的预设变化的类型可以为递增型、递减型或阶梯型等，预设变化的类型优选为递增型。该实施例的工作原理为：由于在其他的擦除条件均与存储芯片处于正常状态时的擦除条件相同时，基于不同长短的第一脉冲信号对存储芯片进行擦除操作获取到的第一位线的数量可能不同，因此基于预设变化的第一脉冲信号对存储芯片进行擦除操作能使第一位线的数量与第二位线的数量相等。由于第一位线的数量与第二位线的数量相等，因此相较于实施例1-3，该实施例能够避免出现由于第一位线的数量大于第二位线的数量而导致无法将第一位线全部替换或由于第一位线的数量小于第二位线的数量而造成第二位线剩余的情况。
49.实施例6降低存储芯片过擦除概率的方法包括步骤：s0、对存储芯片进行冗余替换；s1、基于预设变化的第一电压和预设变化的第一脉冲信号对存储芯片进行擦除操作，以获取第一位线的数量和第二位线的数量，使第一位线的数量与第二位线的数量相等，第一位线为易擦除存储单元组所在的位线，第二位线为冗余替换后剩余的冗余单元所在的位线；s2、利用第二位线替换第一位线。
50.其中，步骤s1的预设变化的类型可以为递增型、递减型或阶梯型等，预设变化的类型优选为递增型。该实施例的工作原理为：由于在其他的擦除条件均与存储芯片处于正常状态时的擦除条件相同时，基于不同大小的第一电压和不同长短的第一脉冲信号对存储芯片进行擦除操作获取到的第一位线的数量可能不同，因此基于预设变化的第一电压和预设变化的第一脉冲信号对存储芯片进行擦除操作能使第一位线的数量与第二位线的数量相
等。由于第一位线的数量与第二位线的数量相等，因此相较于实施例1-3，该实施例能够避免出现由于第一位线的数量大于第二位线的数量而导致无法将第一位线全部替换或由于第一位线的数量小于第二位线的数量而造成第二位线剩余的情况。此外，由于该实施例基于预设变化的第一电压和预设变化的第一脉冲信号对存储芯片进行擦除操作，因此该实施例还能够避免出现第一电压变化到最小或第一脉冲信号变化到最短时，第一位线的数量仍大于第二位线的数量的情况。
51.实施例7降低存储芯片过擦除概率的方法包括步骤：s0、对存储芯片进行冗余替换；s1、基于预设变化的第一电压对存储芯片和冗余替换后剩余的冗余单元同时进行擦除操作，以获取第一位线的数量和第三位线的数量，使第一位线的数量与第三位线的数量相等，第一位线为易擦除存储单元组所在的位线，第三位线为其上所有冗余单元均为有效剩余冗余单元的位线，有效剩余冗余单元为剩余的冗余单元中未被擦除的冗余单元；s2、利用第三位线替换第一位线。
52.步骤s1的预设变化的类型可以为递增型、递减型或阶梯型等，预设变化的类型优选为递增型。由于第三位线为其上所有冗余单元均为未被擦除的冗余单元的位线，因此该实施例能够保证存储阵列中最容易被擦除的存储单元全部被替换成冗余阵列中未被擦除的冗余单元，且由于该实施例同时对存储芯片和冗余替换后剩余的冗余单元进行擦除操作，因此在获取第一位线的数量后，无需对剩余的冗余单元进行擦除操作以获取第三位线的数量，从而有效地简化获取第一位线的数量和第三位线的数量的流程。
53.实施例8降低存储芯片过擦除概率的方法包括步骤：s0、对存储芯片进行冗余替换；s1、基于预设变化的第一脉冲信号对存储芯片和冗余替换后剩余的冗余单元同时进行擦除操作，以获取第一位线的数量和第三位线的数量，使第一位线的数量与第三位线的数量相等，第一位线为易擦除存储单元组所在的位线，第三位线为其上所有冗余单元均为有效剩余冗余单元的位线，有效剩余冗余单元为剩余的冗余单元中未被擦除的冗余单元；s2、利用第三位线替换第一位线。
54.步骤s1的预设变化的类型可以为递增型、递减型或阶梯型等，预设变化的类型优选为递增型。由于第三位线为其上所有冗余单元均为未被擦除的冗余单元的位线，因此该实施例能够保证存储阵列中最容易被擦除的存储单元全部被替换成冗余阵列中未被擦除的冗余单元，且由于该实施例同时对存储芯片和冗余替换后剩余的冗余单元进行擦除操作，因此在获取第一位线的数量后，无需对剩余的冗余单元进行擦除操作以获取第三位线的数量，从而有效地简化获取第一位线的数量和第三位线的数量的流程。
55.实施例9降低存储芯片过擦除概率的方法包括步骤：s0、对存储芯片进行冗余替换；s1、基于预设变化的第一电压和预设变化的第一脉冲信号对存储芯片和冗余替换
后剩余的冗余单元同时进行擦除操作，以获取第一位线的数量和第三位线的数量，使第一位线的数量与第三位线的数量相等，第一位线为易擦除存储单元组所在的位线，第三位线为其上所有冗余单元均为有效剩余冗余单元的位线，有效剩余冗余单元为剩余的冗余单元中未被擦除的冗余单元；s2、利用第三位线替换第一位线。
56.步骤s1的预设变化的类型可以为递增型、递减型或阶梯型等，预设变化的类型优选为递增型。由于第三位线为其上所有冗余单元均为未被擦除的冗余单元的位线，因此该实施例能够保证存储阵列中最容易被擦除的存储单元全部被替换成冗余阵列中未被擦除的冗余单元，且由于该实施例同时对存储芯片和冗余替换后剩余的冗余单元进行擦除操作，因此在获取第一位线的数量后，无需对剩余的冗余单元进行擦除操作以获取第三位线的数量，从而有效地简化获取第一位线的数量和第三位线的数量的流程。
57.由上可知，本技术提供的一种降低存储芯片过擦除概率的方法，先获取存储芯片中的易擦除存储单元组，再利用冗余单元替换易擦除存储单元组，以替换掉存储阵列中最容易被擦除的存储单元，从而尽可能地减少存储阵列中容易被擦除的存储单元的数量，进而有效地降低存储芯片出现过擦除现象的概率。
58.第二方面，请参照图4，图4为本技术实施例提供的一种电子设备的结构示意图，本技术提供一种电子设备，包括：处理器101和存储器102，处理器101和存储器102通过通信总线103和/或其他形式的连接机构（未标出）互连并相互通讯，存储器102存储有处理器101可执行的计算机程序，当计算设备运行时，处理器101执行该计算机程序，以执行时执行实施例的任一可选的实现方式中的方法，以实现以下功能：获取存储芯片中的易擦除存储单元组，易擦除存储单元组为存储芯片中阈值电压最低的若干存储单元；利用冗余单元替换易擦除存储单元组。
59.第三方面，本技术实施例提供一种存储介质，其上存储有计算机程序，计算机程序被处理器执行时，执行实施例的任一可选的实现方式中的方法，以实现以下功能：获取存储芯片中的易擦除存储单元组，易擦除存储单元组为存储芯片中阈值电压最低的若干存储单元；利用冗余单元替换易擦除存储单元组。其中，存储介质可以由任何类型的易失性或非易失性存储设备或者它们的组合实现，如静态随机存取存储器（static random access memory, 简称sram），电可擦除可编程只读存储器（electrically erasable programmable read-only memory, 简称eeprom），可擦除可编程只读存储器（erasable programmable read only memory, 简称eprom），可编程只读存储器（programmable red-only memory, 简称prom），只读存储器（read-only memory, 简称rom），磁存储器，快闪存储器，磁盘或光盘。
60.由上可知，本技术提供的一种降低存储芯片过擦除概率的方法、电子设备及存储介质，先获取存储芯片中的易擦除存储单元组，再利用冗余单元替换易擦除存储单元组，以替换掉存储阵列中最容易被擦除的存储单元，从而尽可能地减少存储阵列中容易被擦除的存储单元的数量，进而有效地降低存储芯片出现过擦除现象的概率。
61.在本技术所提供的实施例中，应该理解到，所揭露装置和方法，可以通过其它的方式实现。以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的，例如，上述单元的划分，仅仅为一种逻辑功能划分，实际实现时可以有另外的划分方式，又例如，多个单元或组件可以结合或者可
以集成到另一个机器人，或一些特征可以忽略，或不执行。另一点，所显示或讨论的相互之间的耦合或直接耦合或通信连接可以是通过一些通信接口，装置或单元的间接耦合或通信连接，可以是电性，机械或其它的形式。
62.另外，作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的，作为单元显示的部件可以是或者也可以不是物理单元，即可以上升至一个地方，或者也可以分布到多个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部单元来实现本实施例方案的目的。
63.再者，在本技术各个实施例中的各功能模块可以集成在一起形成一个独立的部分，也可以是各个模块单独存在，也可以两个或两个以上模块集成形成一个独立的部分。
64.在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。
65.以上所述仅为本技术的实施例而已，并不用于限制本技术的保护范围，对于本领域的技术人员来说，本技术可以有各种更改和变化。凡在本技术的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本技术的保护范围之内。

技术特征：

1.降低存储芯片过擦除概率的方法，用于降低存储芯片过擦除的概率，其特征在于，所述降低存储芯片过擦除概率的方法包括以下步骤：获取所述存储芯片中的易擦除存储单元组，所述易擦除存储单元组为所述存储芯片中阈值电压最低的若干存储单元；利用冗余单元替换所述易擦除存储单元组。2.根据权利要求1所述的降低存储芯片过擦除概率的方法，其特征在于，所述获取所述存储芯片中的易擦除存储单元组，所述易擦除存储单元组为所述存储芯片中阈值电压最低的若干存储单元的步骤之前还包括步骤：对所述存储芯片进行冗余替换。3.根据权利要求2所述的降低存储芯片过擦除概率的方法，其特征在于，所述利用冗余单元替换所述易擦除存储单元组的步骤包括：利用所述冗余替换后剩余的冗余单元替换所述易擦除存储单元组。4.根据权利要求2所述的降低存储芯片过擦除概率的方法，其特征在于，所述获取所述存储芯片中的易擦除存储单元组的步骤包括：基于预设变化的第一电压和/或预设变化的第一脉冲信号对所述存储芯片进行擦除操作，以获取第一位线的数量和第二位线的数量，使所述第一位线的数量与第二位线的数量相等，所述第一位线为所述易擦除存储单元组所在的位线，所述第二位线为所述冗余替换后剩余的冗余单元所在的位线。5.根据权利要求2所述的降低存储芯片过擦除概率的方法，其特征在于，所述获取所述存储芯片中的易擦除存储单元组的步骤包括：基于预设变化的第一电压和/或预设变化的第一脉冲信号对所述存储芯片和所述冗余替换后剩余的冗余单元同时进行擦除操作，以获取第一位线的数量和第三位线的数量，使所述第一位线的数量与所述第三位线的数量相等，所述第一位线为所述易擦除存储单元组所在的位线，所述第三位线为其上所有所述冗余单元均为有效剩余冗余单元的位线，所述有效剩余冗余单元为所述剩余的冗余单元中未被擦除的冗余单元。6.根据权利要求5所述的降低存储芯片过擦除概率的方法，其特征在于，所述利用冗余单元替换所述易擦除存储单元组的步骤包括：利用所述第三位线替换所述第一位线。7.根据权利要求1所述的降低存储芯片过擦除概率的方法，其特征在于，所述获取所述存储芯片中的易擦除存储单元组的步骤包括：基于预设的第一电压和/或预设的第一脉冲信号对所述存储芯片进行擦除操作，以获取所述易擦除存储单元组。8.根据权利要求7所述的降低存储芯片过擦除概率的方法，其特征在于，所述第一电压小于第二电压，所述第二电压为所述存储芯片进行擦除操作时使用的擦除电压。9.一种电子设备，其特征在于，包括处理器以及存储器，所述存储器存储有计算机可读取指令，当所述计算机可读取指令由所述处理器执行时，运行如权利要求1-8任一项所述方法中的步骤。10.一种存储介质，其上存储有计算机程序，其特征在于，所述计算机程序被处理器执行时运行如权利要求1-8任一项所述方法中的步骤。

技术总结

本申请涉及存储芯片技术领域，具体提供了降低存储芯片过擦除概率的方法、电子设备及存储介质，该方法包括步骤：获取所述存储芯片中的易擦除存储单元组，所述易擦除存储单元组为所述存储芯片中阈值电压最低的若干存储单元；利用冗余单元替换所述易擦除存储单元组；该方法先获取存储芯片中的易擦除存储单元组，再利用冗余单元替换易擦除存储单元组，以替换掉存储阵列中最容易被擦除的存储单元，从而尽可能地减少存储阵列中容易被擦除的存储单元的数量，进而有效地降低存储芯片出现过擦除现象的概率。概率。概率。