DCT ( Direct Conversion Transmitter)
由于现今智能手机要求的RF功能越来越多，这连带使得零件数目越来越多，且越来越要求轻薄短小[1]， 而DCT架构，又称ZIF (Zero IF)架构，顾名思义，去除掉了中频的零件，由于具备了低成本，低复杂度，以及高整合度，这使得DCT架构的收发器，在手持装置，越来越受欢迎[2]。 但连带也有一些缺失，例如I/Q Imbalance，Carrier Leakage，DC-offset，VCO Pulling……等[2]，下面章节将逐一介绍。
下图为典型的DCT架构:
1
2
I/Q Imbalance
由[4]可知，DCT架构，容易有I/Q Imbalance现象，以电路角度而言，会发生
在DAC到Mixer的路径上，以及Phase Shifter中[6]
而由[5]可知，差分讯号具有较佳的抗干扰能力，因此I/Q 讯号多半都会设 计成差分形式，如上图所示，而差分讯号需符合等长，间距固定，以及间距不宜过大的要求，但实际Layout很难完全符合这些需求，因此也容易有I/Q Imbalance现象，导致EVM与Iamge的问题，进而引起讯号质量劣化[4]，若将LO与Mixer设计成差分型式，以及透过校正，都有助于I/Q Imbalance的改善[7-8]。
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DC Offset & Carr
若LO 与Mixer 的隔离度RF的发射端路径上[11]。成分，称之为DC Offset[4]，会产生LO Leakage，即LO
另外，若Mixer的线性度不佳，
。
4
当LO直接泄漏至RF的发射端路径上时，会出现在讯号邻近处[13]，
而上图中的Image，便是来自于I/Q Imbalance。
至于DC Offset，则是会产生Carrier Leakage，直接座落在主频上，影响讯号质量[10]。
由上图可知，当讯号振幅很低时，Carrier Leakage的振幅远比讯号还大，这使得EVM也连带变差[14]。
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升频
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