基本放大电路

2.1在括号内用"?"或"×"表明下列说法是否正确。
(1)只有电路既放大电流又放大电压,才称其有放大作用;(  )
(2)可以说任何放大电路都有功率放大作用;(  )
(3)放大电路中输出的电流和电压都是由有源元件提供的;(  )
(4)电路中各电量的交流成份是交流信号源提供的;(  )
(5)放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作;(  )
(6)由于放大的对象是变化量,所以当输入信号为直流信号时,任何放大电路的输出都毫无变化;(  )
(7)只要是共射放大电路,输出电压的底部失真都是饱和失真。(  )
(8)晶体管的输入电阻rbe是一个动态电阻,故它与静态工作点无关。(  )
(9)在基本共射放大电路中,若晶体管的β增大一倍,则电压放大倍数相应地增大一倍。(  )                                           
(10)共集放大电路的电压放大倍数总是小于1,故不能用来实现功率放大。(  )
(11)只有当两个晶体管的类型相同(都为NPN管或都为PNP管)时才能组成复合管。(  )                                                   
(12)复合管的类型(NPN或PNP)与组成它的最前面的管子类型相同。(  )
(13)只要把两个晶体管的复合管,一定可以提高管子的输入电阻。  (  )
(14)复合管的β值近似等于组成它的各晶体管β值的乘积。      (  )
(15)复合管的空透电流等于组成它的各晶体管的空透电流之和。  (  )
(16)两个同类晶体管(例如都是NPN管)复合,由于两管的UBE叠加,受温度的影响增大,所以它产生的漂移电压比单管大。                    (  )
(17)由于场效应管的栅极几乎不取电流,所以两个场效应管不能组成复合管。(  )
(18)通常的BJT管在集电极和发射极互换使用时,仍有较大的电流放大作用。(    )
 (19)通常的JFET管在漏极和源极互换使用时,仍有正常的放大作用。(    )
 (20)有人测得某晶体管的UBE=0.7V,IB=20μA,因此推算出rbe=UBE/IB=0.7V/20μA=35kΩ。 (    )                                               
 (21)有人测得晶体管在UBE=0.6V,IB=5μA,因此认为在此工作点上的rbe大约为26mV/IB=5.2kΩ。(    )                                       
 (22)有人测得当UBE=0.6V,IB=10μA。考虑到当UBE=0V时IB=0因此推算得到              (    )
2.2试分析图2.2所示各电路是否能够放大正弦交流信号,简述理由。设图中所有电容对交流信号均可视为短路。
图2.2
2.3在图2.3所示电路中, 已知VCC=12V,晶体管的?=100,=100kΩ。填空:要求先填文字表达式后填得数。
(1)当=
0V时,测得UBEQ=0.7V,若要基极电流IBQ=20μA, 则 和RW之和Rb=            ≈    kΩ;而若测得UCEQ=6V,则Rc=            ≈    kΩ。
(2)若测得输入电压有效值=5mV时,输出电压有效值=0.6V, 则电压放大倍       
图2.3        数=            ≈    。
若负载电阻RL值与RC相等 ,则带上负载
                  后输出电压有效值=      =    V。
2.4已知图2.3所示电路中VCC=12V,RC=3kΩ,静态管压降UCEQ=6V;并在输出端加负载电阻RL,其阻值为3kΩ。选择一个合适的答案填入空内。
(1)该电路的最大不失真输出电压有效值Uom≈      ;
A.2V        B.3V        C.6V
(2)当=1mV时,若在不失真的条件下,减小RW,则输出电压的幅值将      ;
A.减小        B.不变      C.增大
(3)在=1mV时,将Rw调到输出电压最大且刚好不失真,若此时增大输入电压,则输出电压波形将      ;
A.顶部失真        B.底部失真    C.为正弦波
(4)若发现电路出现饱和失真,则为消除失真,可将      。
A.RW减小      B.Rc减小      C.VCC减小
2.5现有直接耦合基本放大电路如下:
A.共射电路    B.共集电路    C.共基电路
D.共源电路    E.共漏电路
选择正确答案填入空内,只需填A、B、......
(1)输入电阻最小的电路是      ,最大的是      ;
(2)输出电阻最小的电路是      ;
(3)有电压放大作用的电路是      ;
(4)有电流放大作用的电路是      ;
(5)高频特性最好的电路是      ;
 (6)输入电压与输出电压同相的电路是      ;反相的电路是      。
2.6选择正确答案填入扩号内
(1)在基本放大电路的三种组态中,输入电阻最大的放大电路是(    ) 
A.共射放大电路        B.共基放大电路 
C.共集放大电路        D.不能确定       
(2)在基本共射放大电路中,负载电阻RL减小时,输出电阻RO将(    )
A.增大        B.减少        C.不变        D.不能确定       
 (3)在三种基本放大电路中,输入电阻最小的放大电路是(    )
A.共射放大电路        B.共基放大电路 
C.共集放大电路        D.不能确定       
(4)在电路中我们可以利用(    )实现高内阻信号源与低阻负载之间较好的配合。
A  共射电路    B 共基电路    C 共集电路      D  共射-共基电路
(5)在基本放大电路的三种组态中,输出电阻最小的是(    )
A.共射放大电路        B.共基放大电路 
C.共集放大电路        D.不能确定       
(6)在由NPN晶体管组成的基本共射放大电路中,当输入信号为1kHz,5mV的正弦电压时,输
出电压波形出现了底部削平的失真,这种失真是(    )
A. 饱和失真    B.截止失真    C.交越失真    D.频率失真
 (7)以下电路中,可用作电压跟随器的是(    )
A.差分放大电路            B.共基电路
  C.共射电路                D.共集电路
 (8)晶体三极管的关系式iE=f(uEB)|uCB代表三极管的
A.共射极输入特性              B.共射极输出特性
C.共基极输入特性              D.共基极输出特性           
(9)在由PNP晶体管组成的基本共射放大电路中,当输入信号为1kHz,5mV的正弦电压时,输出电压波形出现了顶部削平的失真,这种失真是(    )
A. 和失真    B.截止失真    C.交越失真    D.频率失真
(10)对于基本共射放大电路, Rb减小时,输入电阻Ri将(    )
A.增大      B.减少      C.不变      D.不能确定       
 (11)在基本共射放大电路中,信号源内阻RS减小时,输入电阻Ri将(    ) 
A.增大        B.减少        C.不变        D.不能确定   
 (12)在三种基本放大电路中,电压增益最小的放大电路是(    )
A.共射放大电路        B.共基放大电路 
C.共集放大电路        D.不能确定                           
 (13)在三种基本放大电路中,电流增益最小的放大电路是(    )
A.共射放大电路        B.共基放大电路 
C.共集放大电路        D.不能确定 
(14)在晶体管放大电路中,测得晶体管的各个电极的电位如图1.6(14)所示,该晶体管的类型是                                      (    )
A. NPN型硅管                       
B. PNP型硅管     
C. NPN型锗管                      2V 1.3V 6V
D. PNP型锗管                      图2.6(14)                   
(15)某三极管各个电极的对地电位如图2.6(15)所示,可判断其工作状态是(    )
A. 饱和                             
B. 放大
C. 截止       
D. 已损坏                                                                             
                              图2.6(15)
 (16)对于同一个晶体管而言,反向电流最小的是 (    )
A.ICBO      B.ICES      C.ICER        D.ICEO
 (17)温度升高时,晶体管的反向饱和电流ICBO将 (    )
A.增大        B.减少        C.不变        D.不能确定       
 (18)下列选项中,不属三极管的参数是(    )
A.电流放大系数β                    B.最大整流电流IF
C.集电极最大允许电流ICM            D.集电极最大允许耗散功率PCM 
(19)温度升高时,三极管的β值将(    )
A.增大        B.减少        C.不变        D.不能确定       
 (20)下列对场效应管的描述中,不正确的是 (    )
A  场效应管具
有输入电阻高,热稳定性好等优点;
  B  场效应管的两种主要类型是MOSFET和JFET;
  C  场效应管工作时多子、少子均参与导电;
  D  场效应管可以构成共源、共栅、共漏这几种基本类型的放大器。
 (21)在放大电路中,场效应管应工作在漏极特性的(    )
  A.可变电阻区  B.截止区  C.饱和区  D.击穿区
 (22)表征场效应管放大作用的重要参数是(    )
   A.电流放大系数β        B.跨导gm=ΔID/ΔUGS                     
   C.开启电压UT              D.直流输入电阻RGS 
 (23)下列选项中,不属场效应管直流参数的是 (    )
A.饱和漏极电流IDSS          B.低频跨导gm                     
C.开启电压UT                              D.夹断电压UP
 (24)双极型晶体三极管工作时参与导电的是(    )
A  多子        B  少子      C  多子和少子      D  多子或少子
 (25)双极型晶体三极管在放大状态工作时的外部条件是(    )
A  发射结正偏,集电结正偏          B  发射结正偏,集电结反偏
C  发射结反偏,集电结反偏          D  发射结反偏,集电结正偏
 (26)温度升高时,晶体管的电流放大系数β    ,反向饱和电流ICBO    ,正向结电压UBE      。(a.变大,d.变小,c.不变)
 (27)温度升高时,晶体管的共射输入特性曲线将    ,输出特性曲线将    ,而且输出特性曲线之间的间隔将    。(a.上移,b.下移,c.左移,d.右移,e.增大,f.减小,g.不变)
 (28)用万用表判别放大电路中处于正常工作的某个晶体管的类型(指NPN型还是PNP型)与三个电极时以测出      最为方便。
     a.中极间电阻    b.各极对地电位  c.各极电流
2.7  填空:
 (1)场效应管从结构上分成            和                  两大类型。它们的导电过程仅仅取决于            载流子。
 (2)场效应管属于          控制型器件。
 (3)双极型晶体管从结构上看可以分成            和                两种类型,它们工作时有        和        两种载流子参于导电。
 (4)双极型晶体管从结构上看可以分成      和      两种类型,它们工作时有    和    两种载流子参与导电。场效应管从结构上分成    和
两大类型,它们的导电过程仅仅取决于      载流子的流动。
电压跟随器电路图
 (5)场效应管属于      控制型器件,而晶体管若用简化的h参数等效电路来分析则可以认为是      控制型器件。
 (6)晶体三极管用来放大时,应使发射结处于    偏置,集电结处于    偏置。
 (7)晶体管穿透电流ICEO是集-基反向饱和电流ICBO的    倍。在选用管子时,一般希望ICEO尽量    。       
 (8)某
晶体管的极限参数PCM=150mW,ICM=100mA,U(BR)CED=30V。若它的工作电压UCE=10V,则工作电流IC不得超过    mA;若工作电压UCE=1V,则工作电流不得超过      mA;若工作电流IC=1mA,则工作电压不得超过    V。
 (9)已知某晶体管的fT=150MHz,,则当其工作频率为50MHz时
  (10)写出晶体管在共基接法下的电流分配关系式ic=f(iE):
                      。写出晶体管在共射接法下的电流分配关系
  式ic=f(iB):                  。   
 (11)NPN型晶体管在什么情况下IB=-Ic?设电流正方向为流向电极。
 (12)下列四组晶体三极管的关系式分别代表三极管的什么特性曲线?
  1、    (共  极输  特性);
  2、    (共  极输  特性);
  3、    (共  极输  特性);
  4、    (共  极输  特性); 
 (13)某放大电路的负载开路时的输出电压为4V,接入3K?的负载电阻后输出电压降为3V,这说明放大电路的输出电阻为                。
 (14)双极型晶体管工作在放大区的偏置条件是发射结      、集电结      。
  (15)对于基本共射放大电路,试判断某一参数变化时放大电路动态性能的变化情况(a.增大,b.减小,c.不变),选择正确的答案填入空格。
  Rb减小时,输入电阻Ri    ; Rb增大时,输出电阻Ro    ;信号源内阻Rs增大时,输入电阻Ri    ;信号源内阻Rs减小时,电压放大倍数    ;负载电阻RL增大时,电压放大倍数    ;负载电阻RL减小时,输出电阻Ro    。
2.8  在表2.8中,比较晶体管和场效应管两种器件的性能,在你认为正确的栏中画√:               
              表2.8
性能 晶体管 场效应管 静态输入电流哪个小些?  放大作用哪个大些(静态电流相同时)?  受温度影响哪个小些? 
2.9  在某放大电路中,晶体管三个电极的电流如图2.9所示。已量出I1=-1.2mA,I2=-0.03mA,I3=1.23mA。由此可知:
  1、电极①是    极,电级②是    极,电极③是    极。
  2、此晶体管的电流放大系数约为      。
  3、此晶体管的类型是      型(PNP或NPN)。
1.10 测得工作在放大电路中两个晶体管的三个电极电流如下图所示
(1)判断它们各是NPN管还是PNP管,在图中标出e,b,c极;
(2)估算(b)图晶体管的 和  值。   
1.11已知晶体管工作在放大区,并测得各电极对地电位如图1.11所示。试在图中画出各晶体管的电路符号,并说明是锗管还是硅管。
2.12有两只晶体管,一只的β=200,ICEO=200μA;另一只的β=100,ICEO=10μA,其它参数大致相同。你认为应选用哪只管子?为什么?
2.13已知两只晶体
管的电流放大系数β分别为50和100,现测得放大电路中这两只管子两个电极的电流如图2.13所示。分别求另一电极的电流,标出其实际方向,并在圆圈中画出管子。
图2.13
2.14测得放大电路中六只晶体管的直流电位如图2.14所示。在圆圈中画出管子,并分别说明它们是硅管还是锗管。
图2.14
2.15电路如图2.15所示,晶体管导通时UBE=0.7V,β=50。试分析VBB为0V、1V、1.5V三种情况下T的工作状态及输出电压uO的值。
         图2.15                                图2.16
2.16电路如图2.16所示,试问β大于多少时晶体管饱和?
2.17分别判断图2.17所示各电路中晶体管是否有可能工作在放大状态。
                 图2.17
2.18按要求填写下表。
电路名称 连接方式(e、c、b) 性能比较(大、中、小)  公共极 输入极 输出极  R i R o 其它 共射电
路        共集电路        共基电路         
2.19分别改正图2.19所示各电路中的错误,使它们有可能放大正弦波信号。要求保留电路原来的共射接法和耦合方式。
图2.19
2.20画出图2.20所示各电路的直流通路和交流通路。设所有电容对交流信号均可视为短路。
图2.20
2.21电路如图2.21(a)所示,图(b)是晶体管的输出特性,静态时UBEQ=0.7V。利用图解法分别求出RL=∞和RL=3kΩ时的静态工作点和最大不失真输出电压Uom(有效值)。
图2.21
2.22在图2.22所示电路中,已知晶体管的?=80,rbe=1kΩ,=20mV;静态时UBEQ=0.7V,UCEQ=4V,IBQ=20μA。判断下列结论是否正确,凡对的在括号内打"?",否则打"×"。
图2.22
(1)(  ) (2)(  )
(3)(  )    (4)(  )
(5)(  )      (6) (  )
(7)(  )        (8)(  )
(9)(  )        (10)(  )
(11)≈20mV (  )        (12)≈60mV (  )
2.23电路如图2.23所示,已知晶体管?=50,在下列情况下,用直流电压表测晶体管的集电极电位,应分别为多少?设VCC=12V,晶体管饱和管压降UCES=0.5V。
(1)正常情况      (2)Rb1短路      (3)Rb1开路
(4)Rb2开路        (5)RC短路
图2.23
2.24电路如图2.24所示,晶体管的?=80,=100Ω。分别计算RL=∞和RL=3kΩ时的Q点、、Ri 和Ro。
  图2.24
2.25在图2.24所示电路中,由于电路参数不同,在信号源电压为正弦波时,测得输出波形如图2.25(a)、(b)、(c)所示,试说明电路分别产生了什么失真,如何消除。

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