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一种增加碳化硅晶体生长长度的石墨坩埚[发明专利]

专利名称：一种增加碳化硅晶体生长长度的石墨坩埚专利类型：发明专利

发明人：蒲红斌，李小红，刘兵，封先锋

申请号：CN201810159428.9

申请日：20180226

公开号：CN108374197A

公开日：

20180807

专利内容由知识产权出版社提供

摘要：本发明公开了一种增加碳化硅晶体生长长度的石墨坩埚，包括石墨盖和石墨底槽，石墨盖和石墨底槽之间还设置有石墨环，石墨盖位于石墨环的上部封口处，石墨盖下方依次还有碳化硅籽晶、碳化硅粉源，石墨环和石墨底槽之间增加了石墨连接环，石墨连接环与石墨环和石墨底槽之间通过卡槽嵌套连接，石墨盖、石墨环和石墨底槽、石墨连接环均由相同材料的高纯石墨制作而成，高纯石墨是指碳含量大于99.999％的石墨，碳化硅粉源的装料高度低于石墨连接环的位置，避免碳化硅粉的结晶导致石墨连接环与石墨底槽粘结在一起，造成拆卸困难，本发明解决了现有技术中存在的碳化硅生长长度短和生长成本过高的问题。

申请人：西安理工大学

地址：710048 陕西省西安市金花南路5号

国籍：CN碳化硅石墨坩埚

代理机构：西安弘理专利事务所

代理人：韩玙

本文发布于:2024-09-20 21:38:34，感谢您对本站的认可！

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