一种氧化铝陶瓷料带的烧结方法及装置与流程



1.本发明属于陶瓷烧结技术领域,具体涉及一种氧化铝陶瓷料带的烧结方法及装置。


背景技术:



2.氧化铝陶瓷具有较好的传导性、机械强度和耐高温等特点,用途广泛。带有印刷电路图案的多层陶瓷料带可应用于电子通讯或用作其他部件等,该产品制备一般包括:陶瓷生坯带直接放置在烧结炉中承烧板上进行烧结。
3.然而,氧化铝陶瓷料带在还原性气氛中高温烧结时,容易产生翘曲、形变等问题。其中,为了保证烧结时料带整体的平整性和单只产品的平整性,行业内通常严格控制烧结时陶瓷料带和使用浆料的匹配性,还要对烧结条件进行优化,保证料带中有机成分的及时排出,控制烧结过程陶瓷料带的收缩速度。现有料带产品的烧结过程复杂,工艺稳定性有待提高。


技术实现要素:



4.有鉴于此,本发明的目的在于提供一种氧化铝陶瓷料带的烧结方法及装置,本发明能降低氧化铝陶瓷料带对烧结条件的敏感性,提高烧结工艺过程的稳定性,提高陶瓷料带烧结后的平整性,降低烧结工艺的波动性。
5.本发明提供一种氧化铝陶瓷料带的烧结方法,包括以下步骤:
6.将第一垫片、氧化铝料带产品生坯和第二垫片依次层叠放置在烧结设备承烧板上,进行烧结,得到氧化铝陶瓷料带产品;
7.所述第一垫片和第二垫片的面积均大于氧化铝料带产品生坯接触面积;所述第一垫片和第二垫片为组成相同的成瓷粉体流延片。
8.在本发明的实施例中,所述成瓷粉体流延片的制备原料包括成瓷粉体、粘性树脂和溶剂,利用流延方式制成。
9.在本发明的实施例中,所述成瓷粉体选用al2o3、zro2、sio2、aln、sin、sic、mgo、tio2和cao中的一种或几种;
10.所述粘性树脂选用聚乙烯醇缩丁醛、纤维素类物质、聚甲基丙烯酸甲酯和聚甲基丙烯酸丁酯的一种或几种。
11.在本发明的实施例中,所述成瓷粉体和选用的粘性树脂的质量比为100:5~8。
12.在本发明的实施例中,所述成瓷粉体流延片的制备原料还包括分散剂;所述成瓷粉体和分散剂的质量比为100:0.2~2。
13.在本发明的实施例中,所述溶剂为醇类、酯类、甲苯类和丙酮中的一种或几种;
14.所述分散剂为鱼油、司盘系列、吐温系列、丙烯酸系列和改性硅油系列中的一种或几种。
15.在本发明的实施例中,所述烧结的最高温度为1600-1650℃。
16.本发明提供一种氧化铝陶瓷料带的烧结装置,包括具有承烧板的烧结设备,使用时在所述承烧板上设置有平行的第一垫片和第二垫片,所述第一垫片和第二垫片之间用于放置氧化铝料带产品生坯;
17.所述第一垫片和第二垫片的面积均大于氧化铝料带产品生坯接触面积;所述第一垫片和第二垫片为组成相同的成瓷粉体流延片。
18.在本发明的实施例中,所述成瓷粉体流延片比氧化铝陶瓷料带产品厚10-30%。
19.在本发明的实施例中,所述成瓷粉体流延片满足密度在2.0~2.5g/cm3,和/或,收缩率为13~16%。
20.与现有技术相比,本发明在烧结时,分别把辅助料带烧结的一个垫片(称为第一垫片,以此类推)放置于氧化铝陶瓷料带产品生坯之下,另一个垫片盖于该料带产品生坯之上,形成“三明治”结构;所对应的烧结装置中,所述第一垫片和第二垫片的面积均大于氧化铝料带产品生坯接触面积;两个垫片为组成相同的成瓷粉体流延片。在本发明中,由于料带产品生坯被辅助烧结的两个垫片包于其中,可以减少气氛波动等造成的影响。同时,所述辅助烧结的垫片在重力的作用下,可以对料带产品产生一定压力,使产品在水平方向上收缩变得均匀,这样降低了产品收缩变形的趋势,使产品保持平整,降低了单只产品烧结后的翘曲度。实践中,采用本发明此种烧结技术后,料带产品整片平整,没有“波浪状”;且料带产品翘曲度在10μm以下。
附图说明
21.图1为本发明实施例中烧结时第一垫片和第二垫片的示意图。
具体实施方式
22.下面将对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员经改进或润饰的所有其它实例,都属于本发明保护的范围。应理解,本发明实施例仅用于说明本发明的技术效果,而非用于限制本发明的保护范围。实施例中,所用方法如无特别说明,均为常规方法。
23.本发明提供了一种氧化铝陶瓷料带的烧结方法,包括以下步骤:
24.将第一垫片、氧化铝料带产品生坯和第二垫片依次层叠放置在烧结设备承烧板上,进行烧结,得到氧化铝陶瓷料带产品;
25.所述第一垫片和第二垫片的面积均大于氧化铝料带产品生坯接触面积;所述第一垫片和第二垫片为组成相同的成瓷粉体流延片。
26.相应的,本发明提供了一种氧化铝陶瓷料带的烧结装置,包括具有承烧板的烧结设备,使用时在所述承烧板上设置有平行的第一垫片和第二垫片,所述第一垫片和第二垫片之间用于放置氧化铝料带产品生坯。
27.采用本发明的料带烧结技术,能降低氧化铝陶瓷料带对烧结条件的敏感性,提高烧结工艺过程的稳定性,提高陶瓷料带烧结后的平整性,降低烧结工艺的波动性。
28.本发明实施例首先制备辅助烧结料带的垫片(也可称为辅助烧结料带),其原料包括成瓷粉体、有机树脂、有机溶剂等,使用流延技术制作成成瓷粉体流延片;可根据烧结料
带产品的尺寸,把两个垫片裁切成要求尺寸。
29.本发明实施例所述的成瓷粉体称为陶瓷粉,可选用al2o3(三氧化二铝)、zro2(二氧化锆)、sio2(二氧化硅)、aln(氮化铝)、sin(氮化硅)、sic(碳化硅)、mgo(氧化镁)、tio2(二氧化钛)和cao(氧化钙)中的一种或几种搭配;优选为三氧化二铝和/或二氧化硅,适于形成流延片材。在一些实施例中,可以选取化学还原法或电熔法制得的氧化铝粉(al2o3),其中电熔氧化铝是以优质铝氧化粉为原料,经电熔提炼结晶而成,纯度高。
30.并且,上述的有机树脂是具有较高粘性的高分子树脂材料,优选为聚乙烯醇缩丁醛(pvb)、纤维素类物质、聚甲基丙烯酸甲酯和聚甲基丙烯酸丁酯的一种或几种组合。其中,所述的纤维素类物质具体为乙基纤维素、羟乙基纤维素、醋酸纤维素等;聚甲基丙烯酸甲酯和聚甲基丙烯酸丁酯属于丙烯酸类树脂材料。所述的有机溶剂可为醇类、酯类、甲苯类和丙酮中的一种或几种,具体使用乙醇、丁醇、异丙醇、甲苯、二甲苯、丙酮、乙酸乙酯、乙酸丁酯、乙酸异戊酯中的一种或几种组合的溶剂。
31.本发明一些实施例所述成瓷粉体流延片的制备原料还包括分散剂;所述分散剂优选为鱼油、司盘系列、吐温系列(如吐温80)、丙烯酸系列和改性硅油系列中的一种或几种组合。本发明对各原料的来源没有特殊限制,可以采用市售原料。
32.在本发明一些实施例中,所述的陶瓷粉成分为含50%以上al2o3和其它氧化物的混合物;可通过磨料设备把以上成分分散成均匀的混合物,混合物为液态。然后,本发明实施例通过把所述的液态混合物置于流延机,进行烘干,形成有要求厚度的高粘度树脂和陶瓷粉混合成分的片材,可称之为辅助料带。该辅助料带具有一定的韧性和柔性,可以用于加工。
33.本发明实施例主要将氧化铝料带产品生坯进行烧结,一般通过在料带生坯上印刷电路线图案,把多层料带重叠、压制,形成立体结构;最后把多层料带进行烧结,完成产品的制作。为了和料带烧结制品进行区分,本技术实施例命名上述的辅助烧结料带为垫片;所述氧化铝料带产品生坯的陶瓷成分中,含al2o
3 50%以上。
34.本发明一些实施例按配方把原材料混合好,在球磨分散条件下,使用流延工艺制作出辅助烧结料带。考虑到制备垫片时不同成瓷粉体的粒度差异,按100份计,本发明实施例选用的成瓷粉体和粘性树脂比例优选为:成瓷粉体:粘性树脂=100:5~8(质量比),进一步为100:5.2~7.5。所述粘性树脂含量低于此比例会导致辅助料带强度不够、容易掉粉;树脂含量高于此比例会导致辅助料带过于柔软、难以在流延过程脱离膜带。所述的成瓷粉体和溶剂的比例可为:粉体:溶剂=100:40~60(质量比),优选控制溶剂的比例是为了适应球磨工艺,可以根据实际条件进行调整,不会影响最终结果。此外,所述成瓷粉体和分散剂比例为:粉体:分散剂=100:0.2~2(质量比)。分散剂比例过低会使球磨效率降低,并且料浆的稳定性变差;分散剂比例过高,会导致辅助烧结料带质量变差。
35.本发明实施例把包含上述制备原料的混合物进行真空除泡,使用流延机进行流延,设置一定的流延厚度,最高温度可为180℃,从而处理得到相应厚度的垫片(两个垫片为组成相同的成瓷粉体流延片)。
36.通过流延工艺制作好辅助烧结料带后,本发明实施例对辅助料带性质进行测试。两个辅助料带的厚度需要和烧结产品相匹配,辅助料带厚度要较烧结产品厚10~30%为宜。例如烧结产品厚度为0.5mm,辅助料带厚度为0.55~0.65mm最佳。辅助料带厚度偏低会
对烧结产品的束缚影响小,整平辅助效果不足。辅助料带厚度偏大会导致对烧结产品束缚过大,影响烧结产品烧结后尺寸。所述的辅助料带的密度在2.0~2.5g/cm3,其优选的密度和烧结产品密度一致为最佳。辅助料带的收缩率为13~16%,优选的收缩率和烧结产品收缩率一致为最佳。此外,所述的辅助料带要求表面平整,光洁、无缺陷。
37.根据氧化铝料带产品生坯的尺寸,把垫片切成相应尺寸,其中,第一垫片和第二垫片的面积均大于生坯接触面积,例如长和宽分别较烧结制品多10mm,使辅助料带将料带产品包于其中,叠放结构如图1所示。
38.本发明实施例将第一垫片铺在烧结设备承烧板上,把氧化铝料带产品生坯放置在第一垫片上,再把第二垫片放置在氧化铝料带产品生坯上,保证烧结制品生坯位于两个垫片的中央位置。在本发明的具体实施例中,一般采用多个垫片。
39.本发明一些实施例在第一层承烧板上放置承烧块,然后放置第二层承烧板,按同样方式放置烧结制品生坯,并按同样方式叠放4层承烧板;然后把整个结构放置于烧结炉中,按照烧结参数进行烧结,最高温度可为1600-1650℃、优选最高温度为1640℃,从而得到整体的氧化铝陶瓷料带烧结制品。其中,本发明实施例采用还原气氛烧结炉设备,通入氢气和氮气进行电极图案的防氧化保护,承烧板要求表面平整(此外,本发明用于保护气氛烧结的条件还可以推广在空气中烧结)。本发明此种方法烧结最高温度可以达到1650℃,所述的辅助料带可以根据烧结制品的厚度、大小进行调整,工艺灵活性高。
40.本发明实施例通过增加辅助料带的烧结技术,辅助料带在烧结时和制品同时收缩,通过对烧结制品的限制,抑制烧结制品由于受力不均匀而产生的形变,实现烧结制品的均匀收缩,从而实现烧结制品整体的平整性。可见,本发明实施例提高了氧化铝陶瓷料带产品整版的平整性。未采用此种烧结方法前,整版产品边缘呈“波浪状”,难以保证同一平面;使用此种烧结方法后,料带产品整片平整,没有“波浪状”。
41.此外,本发明还降低了单只产品烧结后的翘曲度。未采用此种方法烧结前,单只产品翘曲度大于10μm,最大时可以达到60μm,采用此种方法烧结后,料带产品翘曲度在10μm以下。
42.本发明所述的烧结技术包括其烧结工艺及装置,降低了氧化铝陶瓷料带产品的烧结敏感性。未采用此种方法烧结前,料带产品烧结后外观、烧曲波动大,无规律。采用此种方法烧结后,料带产品受到露点、氧含量、气流量等烧结条件的影响明显降低。本发明提高了烧结工艺过程的稳定性,降低了波动性。
43.为了进一步理解本技术,下面结合实施例对本技术提进行具体地描述。但是应当理解,这些实施例是在以本发明技术方案为前提下进行实施,给出了详细的实施方式和具体的操作过程,只是为进一步说明本发明的特征和优点,而不是对本发明权利要求的限制,本发明的保护范围也不限于下述的实施例。
44.本发明以下实施例中,所采用的粘性树脂等原料均为市售。
45.实施例1:
46.选取化学还原法制得的氧化硅粉sio24300g,加入pvb树脂(可乐丽b30h)240g,加入溶剂1800g,溶剂为乙酸乙酯、二甲苯、乙醇,比例为3:5:2(质量比)。使用司盘80为分散剂。陶瓷粉:司盘80为100:0.5。使用行星磨进行分散,至氧化硅粉粒径d50=15μm时结束。把得到的液态混合物进行真空除泡,使用流延机进行流延,设置流延厚度为0.5mm,最高温度
为180℃,分别制成0.5mm厚的多个垫片。根据烧结制品的尺寸,把垫片切成相应尺寸,长和宽分别较烧结制品多10mm。
47.辅助料带的密度在2.0~2.5g/cm3,优选的密度和烧结产品密度一致为最佳。辅助料带的收缩率为13~16%,优选的收缩率和烧结产品收缩率一致为最佳。辅助料带表面平整、光洁无缺陷。
48.把第一垫片铺在承烧板上,把氧化铝陶瓷料带产品生坯(即烧结制品生坯)放置在第一垫片上,生坯厚度为0.42mm,长度110mm,宽度100mm。再把第二垫片放置在烧结制品生坯上,保证烧结制品生坯位于两个垫片的中央位置。在第一层承烧板上放置承烧块,然后放置第二层承烧板,按同样方式放置烧结制品生坯,并按同样方式叠放4层承烧板。然后,把上述整个结构放置于烧结炉中,按照烧结参数进行烧结,烧结曲线分为排胶段、烧结段和降温段。烧结段最高温度1640℃,保温时间为3小时。
49.实施例2:
50.选取化学还原法制得的氧化铝粉4300g,加入pvb树脂(可乐丽b30h)240g,加入溶剂1800g,溶剂为乙酸乙酯、二甲苯、乙醇,比例为3:5:2(质量比)。使用司盘80为分散剂。陶瓷粉:司盘80为100:0.5。使用行星磨进行分散,至氧化铝粒径d50=15μm时结束。把得到的液态混合物进行真空除泡,使用流延机进行流延,设置流延厚度为0.5mm,最高温度为180℃,分别制成0.5mm厚的多个垫片。根据烧结制品的尺寸,把垫片切成相应尺寸,长和宽分别较烧结制品多10mm。
51.把第一垫片铺在承烧板上,把氧化铝陶瓷料带产品生坯(即烧结制品生坯)放置在第一垫片上,生坯厚度为0.42mm,长度110mm,宽度100mm。再把第二垫片放置在烧结制品生坯上,保证烧结制品生坯位于两个垫片的中央位置。在第一层承烧板上放置承烧块,然后放置第二层承烧板,按同样方式放置烧结制品生坯,并按同样方式叠放4层承烧板。然后,把上述整个结构放置于烧结炉中,按照烧结参数进行烧结,烧结曲线分为排胶段、烧结段和降温段。烧结段最高温度1640℃,保温时间为3小时。
52.实施例3:
53.选取电熔法制得的氧化铝粉4300g,加入聚甲基丙烯酸甲酯(分子量为18万)240g,加入溶剂1800g,溶剂为乙酸乙酯、二甲苯、乙醇,比例为2:6:2(质量比)。使用司盘80为分散剂。陶瓷粉:司盘80为100:0.5。使用行星磨进行分散,至氧化铝粉粒径d50=15μm时结束。把得到的液态混合物进行真空除泡,使用流延机进行流延,设置流延厚度为0.5mm,最高温度为180℃,分别制成0.5mm厚的多个垫片。根据烧结制品的尺寸,把垫片切成相应尺寸,长和宽分别较烧结制品多10mm。
54.把第一垫片铺在承烧板上,把氧化铝陶瓷料带产品生坯(即烧结制品生坯)放置在第一垫片上,生坯厚度为0.42mm,长度110mm,宽度100mm。再把第二垫片放置在烧结制品生坯上,保证烧结制品生坯位于两个垫片的中央位置。在第一层承烧板上放置承烧块,然后放置第二层承烧板,按同样方式放置烧结制品生坯,并按同样方式叠放4层承烧板。然后,把上述整个结构放置于烧结炉中,按照烧结参数进行烧结,烧结曲线分为排胶段、烧结段和降温段。烧结段最高温度1640℃,保温时间为3小时。
55.对比例:
56.把氧化铝烧结制品生坯放置在承烧板上,生坯厚度为0.42mm,长度110mm,宽度
100mm。保证样品位于承烧板中间位置。在第一层承烧板上放置承烧块,然后放置第二层承烧板,按同样方式放置烧结制品生坯,并按同样方式叠放4层承烧板。然后,把上述整个结构放置于烧结炉中,按照烧结参数进行烧结,最高温度1640℃,得到对比样品。
57.性能测试:取出不同实施例烧结制品和对比样品,肉眼对比整片制品外观。把烧结制品分割成单只产品,用影像测量仪测量单只样品侧边的最高点和最低点高度差的绝对值。取单片中不同位置进行测试,每个实施例测试20只单只产品。结果如下:
58.观察得到,对比样品的整版产品边缘呈“波浪状”,难以保证同一平面;本发明实施例得到的料带产品整片平整,没有“波浪状”。根据表1,对比例的料带产品烧结后外观、烧曲波动大,无规律。本发明实施例中氧化铝陶瓷料带产品对烧结敏感性较低,该陶瓷料带烧结后平整性较高。
59.对比例单只产品翘曲度大于10μm,最大时可以达到60μm,本发明实施例料带产品翘曲度在10μm以下。
60.表1本发明实施例单只样品平整性测试结果
[0061][0062]
实施例4:
[0063]
选取电熔法制得的氧化铝粉4300g,加入聚甲基丙烯酸甲酯(分子量为18万)240g,加入溶剂1800g,溶剂为乙酸乙酯、二甲苯、乙醇,比例为2:6:2(质量比)。使用司盘80为分散剂。陶瓷粉:司盘80为100:0.5。使用行星磨进行分散,至氧化铝粒径d50=15μm时结束。把得到的液态混合物进行真空除泡,使用流延机进行流延,设置流延厚度为0.3mm,最高温度为180℃,分别制成0.3mm厚的多个垫片。根据烧结制品的尺寸,把垫片切成相应尺寸,长和宽分别较烧结制品多10mm。
[0064]
把第一垫片铺在承烧板上,把氧化铝陶瓷料带产品生坯(即烧结制品生坯)放置在第一垫片上,生坯厚度为0.42mm,长度110mm,宽度100mm。再把第二垫片放置在烧结制品生坯上,保证烧结制品生坯位于两个垫片的中央位置。在第一层承烧板上放置承烧块,然后放置第二层承烧板,按同样方式放置烧结制品生坯,并按同样方式叠放4层承烧板。然后,把上述整个结构放置于烧结炉中,按照烧结参数进行烧结,烧结曲线分为排胶段、烧结段和降温段。烧结段最高温度1640℃,保温时间为3小时。
[0065]
实施例5:
[0066]
选取电熔法制得的氧化铝粉4300g,加入聚甲基丙烯酸甲酯(分子量为18万)240g,
加入溶剂1800g,溶剂为乙酸乙酯、二甲苯、乙醇,比例为2:6:2(质量比)。使用司盘80为分散剂。陶瓷粉:司盘80为100:0.5。使用行星磨进行分散,至氧化铝粒径d50=15μm时结束。把得到的液态混合物进行真空除泡,使用流延机进行流延,设置流延厚度为0.6mm,最高温度为180℃,分别制成0.6mm厚的多个垫片。根据烧结制品的尺寸,把垫片切成相应尺寸,长和宽分别较烧结制品多10mm。
[0067]
把第一垫片铺在承烧板上,把氧化铝陶瓷料带产品生坯(即烧结制品生坯)放置在第一垫片上,生坯厚度为0.42mm,长度110mm,宽度100mm。再把第二垫片放置在烧结制品生坯上,保证烧结制品生坯位于两个垫片的中央位置。在第一层承烧板上放置承烧块,然后放置第二层承烧板,按同样方式放置烧结制品生坯,并按同样方式叠放4层承烧板。然后,把上述整个结构放置于烧结炉中,按照烧结参数进行烧结,烧结曲线分为排胶段、烧结段和降温段。烧结段最高温度1640℃,保温时间为3小时。
[0068]
实施例6:
[0069]
选取电熔法制得的氧化铝粉4300g,加入聚甲基丙烯酸甲酯(分子量为18万)350g,加入溶剂2100g,溶剂为乙酸乙酯、二甲苯、乙醇,比例为2:6:2(质量比)。使用司盘80为分散剂。陶瓷粉:司盘80为100:0.5。使用行星磨进行分散,至氧化铝粒径d50=15μm时结束。把得到的液态混合物进行真空除泡,使用流延机进行流延,设置流延厚度为0.5mm,最高温度为180℃,分别制成0.5mm厚的多个垫片。根据烧结制品的尺寸,把垫片切成相应尺寸,长和宽分别较烧结制品多10mm。
[0070]
把第一垫片铺在承烧板上,把氧化铝陶瓷料带产品生坯(即烧结制品生坯)放置在第一垫片上,生坯厚度为0.42mm,长度110mm,宽度100mm。再把第二垫片放置在烧结制品生坯上,保证烧结制品生坯位于两个垫片的中央位置。在第一层承烧板上放置承烧块,然后放置第二层承烧板,按同样方式放置烧结制品生坯,并按同样方式叠放4层承烧板。然后,把上述整个结构放置于烧结炉中,按照烧结参数进行烧结,烧结曲线分为排胶段、烧结段和降温段。烧结段最高温度1640℃,保温时间为3小时。
[0071]
性能测试结果汇总如下:
[0072]
表2本发明实施例烧结制品的性能
[0073] 实施例1实施例2实施例3实施例4实施例5实施例6实施例7密度g/cm32.322.432.472.432.43/2.23收缩率%14.2014.3213.4813.6313.61/16.51
[0074]
表3本发明实施例单只产品的平整性汇总
[0075][0076]
由以上实施例可知,采用本发明此种烧结技术后,料带产品整片平整,没有“波浪状”;且料带产品翘曲度在10μm以下。本发明实施例将料带产品生坯包在辅助烧结的两个垫片之中,可以减少气氛波动等造成的影响。同时,所述辅助烧结的垫片在重力的作用下,可以对料带产品产生一定压力,使产品在水平方向上收缩变得均匀,这样降低了产品收缩变形的趋势,使产品保持平整,降低了单只产品烧结后的翘曲度,利于规模化推广应用。
[0077]
本发明的所述实施例仅仅是为了清楚说明本发明所作的举例,而并非是对本发明实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说,还可在上述说明的基础上做出其它不同形式的变化或变动,这里无需也无法对所有实施方式予以穷举,而这些属于本发明的精神所引申出的显而易见的变化或变动仍处于本发明的保护范围内。
[0078]
以上所述的仅是本发明的优选实施方式,应当指出,对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明原理的前提下,还可以做出若干改进和润饰,这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。

技术特征:


1.一种氧化铝陶瓷料带的烧结方法,其特征在于,包括以下步骤:将第一垫片、氧化铝料带产品生坯和第二垫片依次层叠放置在烧结设备承烧板上,进行烧结,得到氧化铝陶瓷料带产品;所述第一垫片和第二垫片的面积均大于氧化铝料带产品生坯接触面积;所述第一垫片和第二垫片为组成相同的成瓷粉体流延片。2.根据权利要求1所述的烧结方法,其特征在于,所述成瓷粉体流延片的制备原料包括成瓷粉体、粘性树脂和溶剂,利用流延方式制成。3.根据权利要求2所述的烧结方法,其特征在于,所述成瓷粉体选用al2o3、zro2、sio2、aln、sin、sic、mgo、tio2和cao中的一种或几种;所述粘性树脂选用聚乙烯醇缩丁醛、纤维素类物质、聚甲基丙烯酸甲酯和聚甲基丙烯酸丁酯的一种或几种。4.根据权利要求3所述的烧结方法,其特征在于,所述成瓷粉体和选用的粘性树脂的质量比为100:5~8。5.根据权利要求3所述的烧结方法,其特征在于,所述成瓷粉体流延片的制备原料还包括分散剂;所述成瓷粉体和分散剂的质量比为100:0.2~2。6.根据权利要求5所述的烧结方法,其特征在于,所述溶剂为醇类、酯类、甲苯类和丙酮中的一种或几种;所述分散剂为鱼油、司盘系列、吐温系列、丙烯酸系列和改性硅油系列中的一种或几种。7.根据权利要求1-6任一项所述的烧结方法,其特征在于,所述烧结的最高温度为1600-1650℃。8.一种氧化铝陶瓷料带的烧结装置,包括具有承烧板的烧结设备,其特征在于,使用时在所述承烧板上设置有平行的第一垫片和第二垫片,所述第一垫片和第二垫片之间用于放置氧化铝料带产品生坯;所述第一垫片和第二垫片的面积均大于氧化铝料带产品生坯接触面积;所述第一垫片和第二垫片为组成相同的成瓷粉体流延片。9.根据权利要求8所述的烧结装置,其特征在于,所述成瓷粉体流延片比氧化铝陶瓷料带产品厚10-30%。10.根据权利要求8所述的烧结装置,其特征在于,所述成瓷粉体流延片满足密度在2.0~2.5g/cm3,和/或,收缩率为13~16%。

技术总结


本发明属于陶瓷烧结领域,提供了一种氧化铝陶瓷料带的烧结方法及装置,该烧结方法包括:将第一垫片、氧化铝料带产品生坯和第二垫片依次层叠放置在烧结设备承烧板上,进行烧结,得到氧化铝陶瓷料带产品;所述第一垫片和第二垫片的面积均大于氧化铝料带产品生坯接触面积;所述第一垫片和第二垫片为组成相同的成瓷粉体流延片。在本发明中,由于料带产品生坯被辅助烧结的两个垫片包于其中,可以减少气氛波动等造成的影响。同时,所述辅助烧结的垫片在重力的作用下,可以对料带产品产生一定压力,使产品在水平方向上收缩变得均匀,这样降低了产品收缩变形的趋势,使产品保持平整,降低了单只产品烧结后的翘曲度。低了单只产品烧结后的翘曲度。


技术研发人员:

赵阔 潘月 张栎方 陈征 吕蓓蓓

受保护的技术使用者:

浙江新纳陶瓷新材有限公司

技术研发日:

2022.10.13

技术公布日:

2022/12/9

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