一种防止高深宽比密集微纳抗蚀剂结构粘连与倒塌的装置

1.本实用新型涉及半导体与微电子技术领域，更具体的，涉及一种防止高深宽比密集微纳抗蚀剂结构粘连与倒塌的装置。

背景技术：

2.随着半导体与微电子技术的发展，微纳芯片的特征尺寸已深入到一百纳米，甚至十纳米以下，给微纳芯片制造提出了越来越高的挑战。其中，高高宽比(或高深宽比)密集微纳结构的制造尤为困难。高高宽比(或高深宽比)密集微纳结构是微纳光学器件(如光栅、光子筛、波带片等)和储存器中非常常见的结构形式。这些结构往往需要通过光刻、刻蚀、薄膜沉积或者电镀等复杂的微加工途径来实现，并且一般都需要借助抗蚀剂材料实现图形结构的多次转移而最终成型于衬底材料。如图1所示，制作过程中，高高宽比(或高深宽比)密集微纳抗蚀剂结构非常容易发生粘连与倒塌，致使图形转移的失败。
3.经研究，导致高高宽比(或高深宽比)密集微纳抗蚀剂结构发生粘连与倒塌的主要原因是在图形转移的多道工艺中，由于高高宽比(或高深宽比)密集微纳抗蚀剂结构缝隙或孔洞残留的液体(如显影液、定影液、清洗液等)具有表面张力，在干燥、蒸发过程中这些液体对微纳结构的作用力不断发生变化，引起抗蚀剂结构受力不平衡，从而发生粘连与倒塌。其基本过程如图2所示。
4.因此，为了克服残留液体表面张力对高高宽比(或高深宽比)密集微纳抗蚀剂结构稳定性的影响，人们开发了不同的技术方法。如设法减少加工步骤，从而减小发生粘连与倒塌的几率；或者通过化学方法降低工艺过程所使用试剂的表面张力，如在各种试剂中加入表面活性剂等；或者在上述需要使用液体试剂的工艺步骤中引入超临界流体干燥技术，极大降低试剂的表面张力。
5.上述列举的解决方法都有各自的局限性。在目前功能日趋多样化、性能提升需求越来越紧迫的形势下，微纳器件的结构复杂度越来越大，对加工步骤的压缩非常有限。虽然可以通过往试剂中添加表面活性剂等方法减小试剂表面张力，但加入的成分可能引起抗蚀剂结构表面粗糙度的增加，不利于纳米级高高宽比(或高深宽比)密集图形的转移。超临界流体干燥技术虽然可以极大降低试剂表面张力，但往往需要较复杂的专业设备和装置，还需要对超临界介质(如超临界co2)等的存储与输运，增加开发与制备成本。

技术实现要素：

6.本实用新型为了解决以上现有技术存在的不足与缺陷的问题，提供了一种防止高深宽比密集微纳抗蚀剂结构粘连与倒塌的装置，通过该装置运用较为简单的物理原理消除高高宽比(或高深宽比)密集微纳抗蚀剂结构粘连与倒塌。
7.为实现上述本实用新型目的，采用的技术方案如下：
8.一种防止高深宽比密集微纳抗蚀剂结构粘连与倒塌的装置，所述的装置包括能产生均恒电场的容器式装置本体、用于承载待处理微纳器件进行工艺处理的器皿；
9.所述的器皿设置容器式装置本体的内腔中；
10.所述的器皿上设有排出器皿中工艺处理溶液的排水管，
11.在排出工艺处理溶液后，所述的排出容器式装置本体产生的均恒电场能作用于器皿中的待处理微纳器件，且产生均恒电场的电场方向与待处理微纳器件的高度方向一致。
12.本实用新型所述的装置工作原理如下：
13.光学或电子束抗蚀剂多为有机聚合物，在微纳器件加工过程中往往都需经过涂覆和烘烤，其内部溶剂基本发挥完全，使其固态结构的杨氏模量达较大数值。如果给缝隙或孔洞中残留有各种操作溶液的高高宽比(或高深宽比)密集微纳抗蚀剂结构施加垂直电场，抗蚀剂结构在沿电场方向的不同区域处发生极化，分化出带正电和带负电的两端。高高宽比(或高深宽比)密集结构的上端感应出相同一电极，使得高高宽比(或高深宽比)密集结构上端之间产生一定的静电排斥力。由于静电排斥力的存在，较好地抵消了由于残留液体蒸发而失去与环境大气压力的平衡。相应的高高宽比(或高深宽比)密集结构的下端由于感应出相同另一电极，因此高高宽比(或高深宽比)密集结构的下端之间也产生一定的静电排斥力，从而有效防止了高高宽比(或高深宽比)密集微纳抗蚀剂结构的粘连与倒塌。
14.利用本实用新型所述的装置，可以不需更改或删减器件的制作步骤，不使用化学添加剂，也不使用像超临界介质这样的额外物质，运用较为简单的物理原理消除高高宽比(或高深宽比)密集微纳抗蚀剂结构粘连与倒塌。
15.优选地，所述的装置还包括用于对器皿中待处理微纳器件进行辅助加热的加热装置，所述的加热装置紧贴着器皿。
16.优选地，所述的器皿的底侧设有排水孔，所述的排水管的一端与排水孔连通；所述的排水管的另一端延伸出所述的容器式装置本体外部。
17.进一步地，所述的器皿上还设有用于控制排水管导通的第一开关。
18.优选地，所述的容器式装置本体的侧面设有若干个镂空结构。
19.优选地，所述的容器式装置本体的内腔中设有两个金属板；其中一个金属板设置在器皿的底部；另一个所述的金属板设置在器皿的上方；在通电状态下，两个金属板之间产生均恒电场能覆盖整个器皿。
20.进一步地，所述的两个金属板之间连接有直流稳压电路、控制直流稳压电源通断的第二开关；所述的第二开关的一端与其中一个金属板的一端电性连接，所述的第二开关的另一端与直流稳压电源的一电极端电性连接。
21.再进一步地，所述的直流稳压电路包括用于降压的降压变压器、将降压后的交流电转换为直流电的整桥电路、稳压器；
22.所述的降压变压器的输入端用于外接市电；
23.所述的降压变压器的输出端与整桥电路的输入端电性连接；
24.所述的整桥电路的第一输出端通过稳压器与一金属板电性连接；
25.所述的整桥电路的第二输出端与另一金属板电性连接。
26.再进一步地，所述的直流稳压电路还包括第一电阻、可调电阻、第一电容；
27.所述的整桥电路的第一输出端与稳压器的第一引脚电性连接；
28.所述的稳压器的第二引脚的分别一金属板、第一电阻的一端、第一电容的一端电性连接；
29.所述的第一电阻的另一端与可调电阻的第一固定引脚电性连接；
30.所述的可调电阻的第二固定引脚接在第二输出端与另一金属板之间；
31.所述的可调电阻的可调引脚接在第二输出端与另一金属板之间；
32.所述的第一电容的另一端接在第二输出端与另一金属板之间；
33.所述的稳压器的第三引脚接在第一电阻与可调电阻之间。
34.优选地，所述的器皿中装有工艺处理溶液，所述的待处理微纳器件浸没在所述的工艺处理溶液中。
35.本实用新型的有益效果如下：
36.本实用新型将用于承载待处理微纳器件的器皿放置在容器式装置本体中，先利用排水管将器皿中的工艺处理溶液排出后，有效的防止所施加的静电场对显影、定影、清洗等过程产生其他不可知的影响。再接通电源使得容器式装置本体能产生均恒电场的容器式装置本体，利用所述的排出容器式装置本体产生的均恒电场能作用于器皿中的待处理微纳器件，且产生均恒电场的电场方向与待处理微纳器件的高度方向一致。在高深宽比密集结构的下端之间、上端之间都产生一定的静电排斥力，从而有效防止了高深宽比密集微纳抗蚀剂结构的粘连与倒塌。
附图说明
37.图1是现有技术中高高宽比密集微纳抗蚀剂结构发生粘连与倒塌现象的示意图。
38.图2是发生粘连与倒塌的成因分析的示意图。
39.图3是本发明所述的装置的结构示意图。
40.图4是本发明所述的装置的施加垂直电后的受力分析图。
41.图5是本发明所述的容器式装置本体的结构示意图。
42.图6是本发明所述的直流稳压电路的电路图。
43.图中，1-容器式装置本体、2-器皿、3-加热装置、4-排水管、5-第一金属板、6-第二金属板、7-待处理微纳器件、8-工艺处理溶液、9-密集结构。
具体实施方式
44.下面结合附图和具体实施方式对本实用新型做详细描述。
45.实施例1
46.如图3所示，一种防止高深宽比密集微纳抗蚀剂结构粘连与倒塌的装置，所述的装置包括能产生均恒电场的容器式装置本体1、用于承载待处理微纳器件7进行工艺处理的器皿2、用于对器皿2中待处理微纳器件7进行辅助加热的加热装置3；
47.所述的器皿2设置容器式装置本体1的内腔中；
48.所述的器皿2上设有排出器皿2中工艺处理溶液8的排水管4，
49.在排出工艺处理溶液8后，所述的排出容器式装置本体1产生的均恒电场能作用于器皿2中的待处理微纳器件7，且产生均恒电场的电场方向与待处理微纳器件7的高度方向一致。
50.在一个具体的实施例中，所述的器皿2中装有工艺处理溶液8，所述的待处理微纳器件7浸没在所述的工艺处理溶液8中。
51.本实用新型所述的装置工作原理如下：
52.如图4所示，光学或电子束抗蚀剂多为有机聚合物，在微纳器件加工过程中往往都需经过涂覆和烘烤，其内部溶剂基本发挥完全，使其固态结构的杨氏模量达较大数值。如果给缝隙或孔洞中残留有各种操作溶液的高高宽比(或高深宽比)密集微纳抗蚀剂结构施加垂直电场，抗蚀剂结构在沿电场方向的不同区域处发生极化，分化出带正电和带负电的两端。高高宽比(或高深宽比)密集结构9的上端感应出相同一电极，使得高高宽比(或高深宽比)密集结构9上端之间产生一定的静电排斥力。由于静电排斥力的存在，较好地抵消了由于残留液体蒸发而失去与环境大气压力的平衡。相应的高高宽比(或高深宽比)密集结构9的下端由于感应出相同另一电极，因此高高宽比(或高深宽比)密集结构9的下端之间也产生一定的静电排斥力，从而有效防止了高高宽比(或高深宽比)密集微纳抗蚀剂结构的粘连与倒塌。
53.利用本实用新型所述的装置，可以在不需更改或删减器件的制作步骤，不使用化学添加剂，也不使用像超临界介质这样的额外物质，运用较为简单的物理原理消除高高宽比(或高深宽比)密集微纳抗蚀剂结构粘连与倒塌。
54.所述的工艺处理溶液8为显影液、或定影液、或清洗液等，
55.利用本本实施例所述的装置，操作过程如下：
56.首先将盛有工艺处理溶液8的器皿2放入容器式装置本体1内部的一个合适位置，然后将待处理微纳器件7放入工艺处理溶液8中，再分别利用显影液、定影液、清洗液依次进行显影、定影、清洗等处理，在处理结束后，使待处理微纳器件7与工艺处理溶液8分离的方法是将工艺处理溶液8通过排水管4排出器皿2，而不是将待处理微纳器件7从器皿2中取出，减少高深宽比微纳结构在气液交界面由机械搬运所致的受力不平衡。
57.利用容器式装置本体1产生均恒电场，所述的排出容器式装置本体1产生的均恒电场能覆盖整个器皿2中的待处理微纳器件7，且产生均恒电场的电场方向与待处理微纳器件7的高度方向一致。
58.然后静置数分钟(具体处置时间可实验测定)，等到待处理微纳器件7基本干燥后，切断电源，容器式装置本体1不再产生均恒电场，将器皿2从容器式装置本体1中取出进行后续处理。
59.待处理微纳器件7在均恒电场中的静置时间视具体工艺而定，例如对pmma电子束光刻胶进行显影，处理时间的典型取值为1分钟，定影时间的典型取值为0.5分钟，但实际的时间设定还要结合曝光剂量与图形曝光面积而适当加长或缩短显影和定影时间。其他需要在溶液中进行的处理过程所需时间同样需视具体工艺而定。
60.实施例2
61.如图3所示，一种防止高深宽比密集微纳抗蚀剂结构粘连与倒塌的装置，所述的装置包括能产生均恒电场的容器式装置本体1、用于承载待处理微纳器件7进行工艺处理的器皿2、用于对器皿2中待处理微纳器件7进行辅助加热的加热装置3；
62.所述的器皿2设置容器式装置本体1的内腔中；
63.所述的器皿2上设有排出器皿2中工艺处理溶液8的排水管4，
64.在排出工艺处理溶液8后，所述的排出容器式装置本体1产生的均恒电场能作用于器皿2中的待处理微纳器件7，且产生均恒电场的电场方向与待处理微纳器件7的高度方向
一致。
65.在一个具体的实施例中，所述的器皿2中装有工艺处理溶液8，所述的待处理微纳器件7浸没在所述的工艺处理溶液8中。
66.本实用新型所述的装置工作原理如下：
67.如图4所示，光学或电子束抗蚀剂多为有机聚合物，在微纳器件加工过程中往往都需经过涂覆和烘烤，其内部溶剂基本发挥完全，使其固态结构的杨氏模量达较大数值。如果给缝隙或孔洞中残留有各种操作溶液的高高宽比(或高深宽比)密集微纳抗蚀剂结构施加垂直电场，抗蚀剂结构在沿电场方向的不同区域处发生极化，分化出带正电和带负电的两端。高高宽比(或高深宽比)密集结构9的上端感应出相同一电极，使得高高宽比(或高深宽比)密集结构9上端之间产生一定的静电排斥力。由于静电排斥力的存在，较好地抵消了由于残留液体蒸发而失去与环境大气压力的平衡。相应的高高宽比(或高深宽比)密集结构9的下端由于感应出相同另一电极，因此高高宽比(或高深宽比)密集结构9的下端之间也产生一定的静电排斥力，从而有效防止了高高宽比(或高深宽比)密集微纳抗蚀剂结构的粘连与倒塌。
68.利用本实用新型所述的装置，可以不需更改或删减器件的制作步骤，不使用化学添加剂，也不使用像超临界介质这样的额外物质，运用较为简单的物理原理消除高高宽比(或高深宽比)密集微纳抗蚀剂结构粘连与倒塌。
69.所述的工艺处理溶液8为显影液、或定影液、或清洗液等，
70.利用本本实施例所述的装置，操作过程如下：
71.首先将盛有工艺处理溶液8的器皿2放入容器式装置本体1内部的一个合适位置，然后将待处理微纳器件7放入工艺处理溶液8中，再分别利用显影液、定影液、清洗液依次进行显影、定影、清洗等处理，在处理结束后，使待处理微纳器件7与工艺处理溶液8分离的方法是将工艺处理溶液8通过排水管4排出器皿2，而不是将待处理微纳器件7从器皿2中取出，减少高深宽比微纳结构在气液交界面由机械搬运所致的受力不平衡。
72.利用容器式装置本体1产生均恒电场，所述的排出容器式装置本体1产生的均恒电场能覆盖整个器皿2中的待处理微纳器件7，且产生均恒电场的电场方向与待处理微纳器件7的高度方向一致。
73.然后静置数分钟(具体处置时间可实验测定)，等到待处理微纳器件7基本干燥后，切断电源，容器式装置本体1不再产生均恒电场，将器皿2从容器式装置本体1中取出进行后续处理。
74.待处理微纳器件7在均恒电场中的静置时间视具体工艺而定，例如对pmma电子束光刻胶进行显影，处理时间的典型取值为1分钟，定影时间的典型取值为0.5分钟，但实际的时间设定还要结合曝光剂量与图形曝光面积而适当加长或缩短显影和定影时间。其他需要在溶液中进行的处理过程所需时间同样需视具体工艺而定。
75.在一个具体的实施例中，所述的装置还包括用于对器皿2中待处理微纳器件7进行辅助加热的加热装置3，所述的加热装置3紧贴着器皿2。所述的加热装置3的作用时可以在器皿2排出工艺处理溶液8后的干燥过程，即可以满足显影、定影、清洗、干燥等工艺过程需要进行加热的情况；可以选择性进行辅助加热，具体是否需要辅助加热，由不同工艺的目的和技术指标决定。
76.本实施例中所述的加热装置3的工作原理是将电能转变成热能以加热物体，根据电能转换方式的不同，电加热通常分为电阻加热、感应加热、电弧加热、电子束加热、红外线加热和介质加热等。
77.本实施例利用加热装置3对器皿2进行整体均匀加热，实现对器皿2中的待处理微纳器件7进行烘干。
78.在一个具体的实施例中，所述的加热装置3采用电阻加热，因此可以设置在器皿2底部、或器皿2的四周，且紧贴器皿2。本实施例将加热装置3设置在器皿2的底部，该设置有两种作用，一方面抬高器皿2而便于其内工艺处理溶液8的排出，另一方面可提供辅助加热功能。为了防止所述的加热装置3直接对器皿2进行加热对损坏器皿2，可以在加热装置3与器皿2直接加入导热片，所述的导热片的另一个作用使得加热更加均匀。
79.本实用新型所述的装置可以对抗高深宽比微纳抗蚀剂结构在干燥过程中由于受力不平衡所致的粘连与倒塌。
80.在一个具体的实施例中，所述的器皿2的底侧设有排水孔，所述的排水管4的一端与排水孔连通；所述的排水管4的另一端延伸出所述的容器式装置本体1外部。本实施例中，所述的排水管4与排水孔连接的一端的高度高于排水管4延伸出所述的容器式装置本体1外部的另一端，有利于将器皿2内部的工艺处理溶液8排尽。
81.在一个具体的实施例中，所述的器皿2上还设有用于控制排水管4导通的第一开关。所述的第一开关位于所述的排水管4的一端与排水孔之间，当需要排出器皿2内的工艺处理溶液8时，打开第一开关，排水管4导通，由此排出器皿2内的工艺处理溶液8。
82.实施例3
83.基于实施例1、或实施例2所述的装置，本实施例针对容器式装置本体1的具体结构进行详细说明，
84.在一个具体的实施例中，如图5所示，所述的容器式装置本体1采用长方体结构，所述的容器式装置本体1的侧面设有若干个镂空结构。所述的容器式装置本体1也可以设置为圆柱体结构、或其他立方体结构，在此不做任何限定，只要能产生均恒电场即可。
85.在一个具体的实施例中，所述的容器式装置本体1的内腔中设有两个金属板；其中一个金属板设置在器皿2的底部；另一个所述的金属板设置在器皿2的上方；在通电状态下，两个金属板之间产生均恒电场能覆盖整个器皿2。本实施例将位于器皿2的上方的金属板称为第一金属板5、设置在器皿2的底部的金属板称为第二金属板6。若所述的加热装置3设置在器皿2的底部，所述的第二金属板6设置在加热装置3的底部，所述的加热装置3、器皿2位于第二金属板6、第一金属板5之间。
86.所述的容器式装置本体1具有绝缘性能，采用绝缘材料制作而成。
87.在一个具体的实施例中，所述的两个金属板之间连接有直流稳压电路、控制直流稳压电源通断的第二开关；所述的第二开关的一端与第一金属板5的一端电性连接，所述的第二开关的另一端与直流稳压电源的一电极端电性连接。在另一个具体的实施例中，所述的第二开关的一端也可以与第二金属板6的一端电性连接，所述的第二开关的另一端与直流稳压电源的一电极端电性连接。具体将第二开关与哪个金属板连接，具体看将第二开关与直流稳压电源的哪一个电极连接更加安全。
88.在本实施例中，待工艺处理溶液8基本排尽后关闭第一开关，然后接通第二开关，
静置数分钟(具体处置时间可实验测定)，待微纳器件样品e基本干燥后，断开第二开关，切断电源，去除器皿2。
89.在一个具体的实施例中，例如可以接如图6所示的直流稳压电路，其可提供5～12v连续可调电压。但可接直流稳压电路不限于下图所示电路，可根据实际所需电压范围选择合适的电路形式。如图6所示，所述的直流稳压电路包括用于降压的降压变压器、将降压后的交流电转换为直流电的整桥电路、稳压器u1；
90.所述的降压变压器的输入端用于外接市电；
91.所述的降压变压器的输出端与整桥电路的输入端电性连接；
92.所述的整桥电路的第一输出端通过稳压器u1与一金属板电性连接；
93.所述的整桥电路的第二输出端与另一金属板电性连接。
94.在本实施例中，所述的第一金属板5可以连接直流稳压电路的正极输出，或第一金属板5也可以连接直流稳压电路的负极输出，相应的第二金属板6可以连接直流稳压电路的负极输出，或第二金属板6也可以连接直流稳压电路的正极输出。在本实施例中，如图3、4所示，电场的方向是从第二金属板6到第一金属板5的过程。
95.在一个具体的实施例中，所述的直流稳压电路还包括第一电阻r1、可调电阻r2、第一电容c1；
96.所述的整桥电路的第一输出端与稳压器u1的第一引脚电性连接；
97.所述的稳压器u1的第二引脚的分别一金属板、第一电阻r1的一端、第一电容c1的一端电性连接；
98.所述的第一电阻r1的另一端与可调电阻r2的第一固定引脚电性连接；
99.所述的可调电阻r2的第二固定引脚接在第二输出端与另一金属板之间；
100.所述的可调电阻r2的可调引脚接在第二输出端与另一金属板之间；
101.所述的第一电容c1的另一端接在第二输出端与另一金属板之间；
102.所述的稳压器u1的第三引脚接在第一电阻r1与可调电阻r2之间。
103.在一个具体的实施例中，所述的直流稳压电路还还包括第二电容c2，所述的第二电容c2的一端与整桥电路的第一输出端电性连接，所述的第二电容c2的另一端与整桥电路的第二输出端电性连接。所述的第二电容c2的作用时将整桥电路的第一输出端与整桥电路的第二输出端分隔开，避免存在电路噪声影响。
104.显然，本实用新型的上述实施例仅仅是为清楚地说明本实用新型所作的举例，而并非是对本实用新型的实施方式的限定。凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本实用新型权利要求的保护范围之内。

技术特征：

1.一种防止高深宽比密集微纳抗蚀剂结构粘连与倒塌的装置，其特征在于：所述的装置包括能产生均恒电场的容器式装置本体(1)、用于承载待处理微纳器件(7)进行工艺处理的器皿(2)；所述的器皿(2)设置容器式装置本体(1)的内腔中；所述的器皿(2)上设有排出器皿(2)中工艺处理溶液(8)的排水管(4)，在排出工艺处理溶液(8)后，所述的排出容器式装置本体(1)产生的均恒电场能作用于器皿(2)中的待处理微纳器件(7)，且产生均恒电场的电场方向与待处理微纳器件(7)的高度方向一致。2.根据权利要求1所述的防止高深宽比密集微纳抗蚀剂结构粘连与倒塌的装置，其特征在于：所述的装置还包括用于对器皿(2)中待处理微纳器件(7)进行辅助加热的加热装置(3)，所述的加热装置(3)紧贴着器皿(2)。3.根据权利要求1所述的防止高深宽比密集微纳抗蚀剂结构粘连与倒塌的装置，其特征在于：所述的器皿(2)的底侧设有排水孔，所述的排水管(4)的一端与排水孔连通；所述的排水管(4)的另一端延伸出所述的容器式装置本体(1)外部。4.根据权利要求3所述的防止高深宽比密集微纳抗蚀剂结构粘连与倒塌的装置，其特征在于：所述的器皿(2)上还设有用于控制排水管(4)导通的第一开关。5.根据权利要求1所述的防止高深宽比密集微纳抗蚀剂结构粘连与倒塌的装置，其特征在于：所述的容器式装置本体(1)的侧面设有若干个镂空结构。6.根据权利要求1所述的防止高深宽比密集微纳抗蚀剂结构粘连与倒塌的装置，其特征在于：所述的容器式装置本体(1)的内腔中设有两个金属板；其中一个金属板设置在器皿(2)的底部；另一个所述的金属板设置在器皿(2)的上方；在通电状态下，两个金属板之间产生均恒电场能覆盖整个器皿(2)。7.根据权利要求6所述的防止高深宽比密集微纳抗蚀剂结构粘连与倒塌的装置，其特征在于：所述的两个金属板之间连接有直流稳压电路、控制直流稳压电源通断的第二开关；所述的第二开关的一端与其中一个金属板的一端电性连接，所述的第二开关的另一端与直流稳压电源的一电极端电性连接。8.根据权利要求7所述的防止高深宽比密集微纳抗蚀剂结构粘连与倒塌的装置，其特征在于：所述的直流稳压电路包括用于降压的降压变压器、将降压后的交流电转换为直流电的整桥电路、稳压器；所述的降压变压器的输入端用于外接市电；所述的降压变压器的输出端与整桥电路的输入端电性连接；所述的整桥电路的第一输出端通过稳压器与一金属板电性连接；所述的整桥电路的第二输出端与另一金属板电性连接。9.根据权利要求8所述的防止高深宽比密集微纳抗蚀剂结构粘连与倒塌的装置，其特征在于：所述的直流稳压电路还包括第一电阻、可调电阻、第一电容；所述的整桥电路的第一输出端与稳压器的第一引脚电性连接；所述的稳压器的第二引脚的分别一金属板、第一电阻的一端、第一电容的一端电性连接；所述的第一电阻的另一端与可调电阻的第一固定引脚电性连接；
所述的可调电阻的第二固定引脚接在第二输出端与另一金属板之间；所述的可调电阻的可调引脚接在第二输出端与另一金属板之间；所述的第一电容的另一端接在第二输出端与另一金属板之间；所述的稳压器的第三引脚接在第一电阻与可调电阻之间。10.根据权利要求1所述的防止高深宽比密集微纳抗蚀剂结构粘连与倒塌的装置，其特征在于：所述的器皿(2)中装有工艺处理溶液(8)，所述的待处理微纳器件(7)浸没在所述的工艺处理溶液(8)中。

技术总结

本实用新型公开了一种防止高深宽比密集微纳抗蚀剂结构粘连与倒塌的装置，所述的装置包括能产生均恒电场的容器式装置本体、用于承载待处理微纳器件进行工艺处理的器皿、用于对器皿中待处理微纳器件进行辅助加热的加热装置；所述的器皿设置容器式装置本体的内腔中；所述的器皿上设有排出器皿中工艺处理溶液的排水管，在排出工艺处理溶液后，所述的排出容器式装置本体产生的均恒电场能作用于器皿中的待处理微纳器件，且产生均恒电场的电场方向与待处理微纳器件的高度方向一致。通过本实用新型所述的装置，在高深宽比密集结构的下端之间、火下端之间都产生静电排斥力，有效防止了高深宽比密集微纳抗蚀剂结构的粘连与倒塌。高深宽比密集微纳抗蚀剂结构的粘连与倒塌。高深宽比密集微纳抗蚀剂结构的粘连与倒塌。