存储器晶粒、存储器及感测存储器晶粒内部温度状态的方法与流程

1.本发明是有关于一种存储器晶粒及其存储器、以及感测存储器晶粒内部温度状态的方法，其中，存储器晶粒及其存储器具有温度感测功能。

背景技术：

2.存储器，如闪存等，其工作温度会随着系统与闪存的操作而增加。高温将带给闪存一定的冲击，例如在功能性和生命期都会有所影响。随着闪存的温度的提高，闪存功能有可能会失效，而使得闪存无法正常运作。
3.此外，闪存的数据保持能力也取决于在每个闪存晶粒内每个存储单元的电荷存储水平。电荷的损失率更与闪存的数据存储的温度相关，而且高温会加速电荷的损失率增加，而使得数据保持能力变差。还有，高温造成闪存的数据保持能力劣化，也使得闪存的存储系统的生命期缩短。
4.虽然可以在存储器晶粒附近设置温度传感器，但是所感测到的温度往往无法精确地呈现存储器晶粒内部的工作温度，且存储器系统也无法实时监控存储器晶粒内部的温度状态。
5.因此，有需要一种可以解决上述问题的感测存储器晶粒内部温度的架构与方法。

技术实现要素：

6.依据本发明一实施例，提出一种具有温度感测功能的存储器晶粒。存储器晶粒包括：至少一温度监控接脚，用以输出所述存储器晶粒内部的温度状态；温度传感器，设置在所述存储器晶粒内，用以感测所述存储器晶粒内部的工作温度；以及控制逻辑单元，耦接至所述温度传感器，用以接收所述工作温度，并且耦接至所述至少一个温度监控接脚。其中所述控制逻辑单元将所述工作温度与从所述存储器晶粒的外部接收的至少一阈值进行比较以产生比较结果，并且依据比较结果，在所述至少一温度监控接脚输出所述温度状态。
7.在上述存储器晶粒中，在所述工作温度小于所述至少一阈值时，所述温度状态为正常状态，在所述工作温度大于所述至少一阈值时，所述温度状态为过临界状态。
8.在上述存储器晶粒中，控制逻辑单元可还包括：存储单元，用以存储所述至少一阈值；以及比较器，具有输入端，分别耦接至所述存储单元与所述温度传感器，以及输出端，耦接至所述至少一温度监控接脚。所述比较器从所述温度传感器与所述存储装置分别接收所述工作温度与所述至少一阈值，并且比较所述工作温度与所述至少一阈值以产生所述比较结果。
9.在上述存储器晶粒中，所述存储器晶粒在从外部接收到预设命令后，接收所述至少一阈值，并将所述至少一阈值存储到所述存储单元。
10.在上存储器晶粒中，与所述存储器晶粒耦接的主控器通过监控所述至少一温度监控接脚的状态，以实时取得所述存储器晶粒的所述温度状态。
11.在上述存储器晶粒中，在所述存储器晶粒被供电的期间，所述控制逻辑单元持续
比较述工作温度与所述至少一阈值。
12.在上述存储器晶粒中，所述存储器晶粒至少包括用于闪存、磁性存储器、嵌入式多媒体卡、安全数字卡、通用闪存存储或固态硬盘的存储器晶粒。
13.依据本发明一实施例，提出一种具有温度感测功能的存储器，包括：至少一存储器晶粒；以及主控器，耦接至至少一存储器晶粒，用以控制所述至少一存储器晶粒。所述至少一存储器晶粒包括：至少一温度监控接脚，用以输出所述存储器晶粒内部的温度状态；温度传感器，设置在所述至少一存储器晶粒内，用以感测所述至少一存储器晶粒内部的工作温度；以及控制逻辑单元，耦接至所述温度传感器，用以接收所述工作温度，并且耦接至所述至少一个温度监控接脚。所述控制逻辑单元将所述工作温度与从所述主控器接收的至少一阈值进行比较，并且依据比较结果，在所述至少一温度监控接脚输出所述温度状态给所述主控器。
14.在上述存储器中，所述主控器发送预定命令给所述至少一存储器晶粒，以将所述至少一阈值发送给所述至少一存储器晶粒。
15.在上述存储器中，在所述工作温度小于所述至少一阈值时，所述温度状态为正常状态，在所述工作温度大于所述至少一阈值时，所述温度状态为过临界状态。
16.在上述存储器中，所述控制逻辑单元还包括：存储单元，用以从所述主控器接收并存储所述至少一阈值；以及比较器，具有输入端，分别耦接至所述存储单元与所述温度传感器，以及输出端，耦接至所述至少一个温度监控接脚。其中所述比较器从所述温度传感器与所述存储装置与所述温度传感器分别接收并比较所述工作温度与所述至少一阈值，以产生所述比较结果。
17.在上述存储器中，所述至少一存储器晶粒在从所述主控器接收到所述预定命令后，接收所述至少一阈值，并将所述至少一阈值存储到所述存储单元。
18.在上述存储器中，在所述存储器被供电的期间，所述控制逻辑单元持续比较述工作温度与所述至少一阈值，且所述主控器持续监控所述至少一温度监控接脚的状态，以实时取得所述至少一存储器晶粒内的所述温度状态。
19.在上述存储器中，所述记至少一存储器晶粒可以至少包括用于闪存、磁性存储器、嵌入式多媒体卡、安全数字卡、通用闪存存储或固态硬盘的存储器晶粒。
20.依据本发明另一实施例，提出一种感测存储器晶粒内部温度状态的方法，其中存储器晶粒内设置温度传感器，以感测存储器晶粒内部的工作温度。所述感测存储器晶粒内部温度状态的方法包括：从所述存储器晶粒外部接收至少一阈值；将所述工作温度与所述至少一阈值进行比较，以产生一比较结果；以及将与所述比较结果相应的所述温度状态，经由所述存储器晶粒的至少一温度监控接脚输出到与所述存储器晶粒耦接的主控器。
21.在上述方法中，在所述工作温度小于所述至少一阈值时，所述温度状态为正常状态，在所述工作温度大于所述至少一阈值时，所述温度状态为过临界状态。
22.在上述方法中，所述主控器发送预定命令给所述存储器晶粒，以将所述至少一阈值发送给所述存储器晶粒。
23.在上述方法中，所述存储器晶粒在从所述主控器接收到所述预定命令后，接收并存储所述至少一阈值。
24.在上述方法中，所述主控器持续监控所述至少一温度监控接脚的状态，以实时取
得所述存储器晶粒内的所述温度状态。
25.在上述方法中，在所述存储器晶粒被供电运作的期间，持续比较所述工作温度与所述至少一阈值，并将与所述比较结果相应的所述温度状态持续经由所述存储器晶粒的至少一温度监控接脚输出所述主控器。
26.基于上述实施方式，通过在存储器晶粒内部设置温度传感器，其可以正确地感测到存储器晶粒内部的实际工作温度。此外，通过设置温度监控接脚，存储器的主控器可以实时地监控到存储器晶粒内部的工作温度。
附图说明
27.图1依据本发明实施例绘示具有温度感测功能的存储器的架构示意图。
28.图2依据本发明实施例绘示图1的控制逻辑单元的电路示意图。
29.图3绘示本实施例的阈值设定的一实施方式的时序示意图。
30.图4绘示本实施例的阈值设定的另一实施方式的时序示意图。
31.图5依据本实施例所绘示的感测存储器晶粒内部温度的流程示意图。
32.图6a绘示主控器对存储器晶粒设定阈值的流程示意图。
33.图6b绘示存储器晶粒写入阈值的流程示意图。
34.【符号说明】
35.100：存储器结构
36.110：存储器晶粒
37.112：存储器数组
38.114：页缓冲器
39.116a：x-译码器
40.116b：y-译码器
41.120：高压电路
42.122：地址计数器
43.124：温度传感器
44.126：数据缓冲器
45.130：控制逻辑单元
46.132：存储单元
47.134：比较器
48.140：i/o端口
49.150：主控器
50.tth：温度阈值
51.td：工作温度
52.thermal#：温度监控接脚
53.s100～s110、s120～s122、s130～s132：各步骤
具体实施方式
54.图1依据本发明实施例绘示具有温度感测功能的存储器的架构示意图。如图1所
示，本实施例的存储器100至少包括存储器晶粒110和主控器(host controller)150，其中主控器150耦接存储器晶粒110，用以对存储器晶粒110进行控制，如读取、写入、擦除等既有的功能。
55.在此实施例中，存储器晶粒110以nand闪存晶粒作为解说例，但是本发明并不受限于此，举凡各种存储器架构都可以应用本发明的温度感测架构。如图1所示，存储器晶粒110具有控制逻辑单元130、输入输出端口140、存储器数组110、x-译码器(x-dec)116a、y-译码器(y-dec)116b、页缓冲器114、高压电路120、地址计数器122、数据缓冲器126等等的基本电路方块。存储器晶粒110的基本电路方块的功能与运作方式基本上与既有架构相同或类似，其实际架构也不影响本实施例的实施，故在此省略其详细说明。
56.根据本发明实施例，如图1所示，在存储器晶粒110内还包括温度传感器124与温度监控接脚thermal#。温度传感器124设置在存储器晶粒110内，用以感测存储器晶粒110内部的工作温度td。控制逻辑单元130耦接至温度传感器124，用以接收工作温度td，并且将工作温度td与温度阈值(以下简称阈值)tth进行比较，并且依据比较结果，在温度监控接脚thermal#输出存储器晶粒110内的温度状态。阈值tth是从外部的主控器150对存储器晶粒110进行写入，在一实施方式，阈值tth是写入(存储)到控制逻辑单元130。根据本实施例，存储器100会提供预定命令，让主控器150告知存储器晶粒110要设定阈值tth。之后，存储器晶粒110便会经由数据总线io[7∶0]接收此阈值tth。此处，预定命令可以是存储器100的规格中尚未被使用的备用命令。关于阈值tth的设定，下面会再详细说明。
[0057]
此外，本实施例的温度传感器124是设置在存储器晶粒110内，因此温度传感器124可以很精确地感测到存储器晶粒110内部的实际工作温度td。温度传感器124基本上可以采用任何已知的半导体工艺来形成，其可以在形成存储器晶粒110时，一并将温度传感器124制作在其中，以便在制作存储器晶粒110时可以同时形成。此外，温度传感器124只要可以达到感测存储器晶粒110的内部工作温度td即可，其种类并没有特别限制。温度传感器124的设置位置只要可以容易且精确地感测存储器晶粒110的内部工作温度td即可，其设置位置也不会特别地限制。
[0058]
如图1所示，温度监控接脚thermal#一方面可以通过io端口140而连接到控制逻辑单元130，另一方面也连接到主控器150。温度监控接脚thermal#可以是使用存储器晶粒110的备用接脚(未使用)，也可以是额外增设的接脚，本实施例并不特别限制此温度监控接脚thermal#的形式。根据本实施例，如前所述，控制逻辑单元130将工作温度td与阈值tth的比较结果，在温度监控接脚thermal#输出温度状态。借此，主控器150可以随时监控温度监控接脚thermal#的状态，而实时取得存储器晶粒110内部的温度是否超过阈值tth。
[0059]
在一实施例中，当工作温度td小于阈值tth时，制逻辑单元130可以判断出存储器晶粒110内部的温度状态为“正常状态(normal status)”，而在监控温度监控接脚thermal#维持例如高电平(h)状态。当工作温度td大于阈值tth时，控制逻辑单元130可以判断出存储器晶粒110内部为高温的状态，并将该温度状态定义为“过临界状态(over threshold status)”。监控温度监控接脚thermal#的状态就会从如高电平(h)状态转换成低电平(l)状态。如此，主控器150通过监控温度监控接脚thermal#的输出状态，便可以很快地取得存储器晶粒110内部的温度状态。
[0060]
图2依据本发明实施例绘示图1的控制逻辑单元的电路示意图。在图2中，控制逻辑
单元130仅例示出与本实施例相关的电路构件的例子，控制逻辑单元130未绘出的其他电路构件基本上与既有的控制逻辑单元类似或相同，故在此不详加绘示与说明。如图2所示，控制逻辑单元130至少包括存储单元132与比较器134。存储单元132是用以从存储器晶粒110外部(亦即主控器150)接收并存储阈值tth。存储单元132例如可以使用缓存器的架构或其他任何可以达到存储功能的架构，本实施例并未特别做限制。此外作为一变化例，虽未图标，存储器晶粒110从外部接收的阈值tth也可以存储在如ram的存储器中，之后控制逻辑单元130再从ram存储器读取阈值tth而与感测到的工作温度td进行比较。
[0061]
比较器134具有输入端，其分别耦接至存储单元132与温度传感器124。比较器134还具有输出端，其耦接至温度监控接脚thermal#。通过此架构，比较器134可以接收存储在存储单元132内的阈值tth以及来自温度传感器124所感测到的存储器晶粒110内部的工作温度td，并且将工作温度td与阈值tth进行比较，以产生一比较结果。控制逻辑单元130便可以依据此比较结果在温度监控接脚thermal#上输出高电平(h)状态或低电平(l)状态，使主控器150可以实时地监控存储器晶粒110内的温度状态。
[0062]
图3绘示本实施例的阈值设定的一实施方式的时序示意图。参考图1与图3，在本实施例中，存储器100会提供一预定命令来做为告知存储器晶粒110将要设定温度的阈值tth。首先，在命令(cmd)周期，主控器150会经由io总线io[7：0]送出一预定命令(如80h)给存储器晶粒110。存储器晶粒110在收到此预定命令变被告知即将进行阈值tth的设定。之后，在地址周期，主控器150会经由io总线io[7：0]送出一地址数据给存储器晶粒110，告知存储器晶粒110要将阈值tth写入如图2所示的存储单元132的哪一个地址。
[0063]
接着，存储器晶粒110会备妥等待主控器150发送阈值tth。接着，在数据周期1～4，主控器150将阈值tth经由io总线io[7：0]写入到存储器晶粒110中。在此实施例，是将阈值tth写入到存储器晶粒110的控制逻辑单元130的存储单元132中。在此过程，r/b#信号线(备妥/忙碌#信号线)将转换为低电平一段时间tbusy，表示阈值tth正在写入控制逻辑单元130的存储单元132中。当r/b#信号线再次转换为高电平，存储器晶粒110已经结束写入并设定好阈值tth。
[0064]
之后，主控器150便实时监控温度监控接脚thermal#。当存储器晶粒110的内部的工作温度td小于阈值tth时，温度监控接脚thermal#便一直呈现出如高电平(h)状态。此时，主控器150通过实时监控温度监控接脚thermal#，便可以实时取得存储器晶粒110的工作温度td为正常状态。反之，当工作温度td大于阈值tth时，温度监控接脚thermal#的状态便从高电平(h)状态转换成低电平(l)状态。如此，主控器150通过实时监控温度监控接脚thermal#，便可以实时取得存储器晶粒110的工作温度td为过临界状态。
[0065]
图4绘示本实施例的阈值设定的另一实施方式的时序示意图。图4与图3的差异在于，图4的实施方式是以一个数据周期将阈值tth经由io总线io[7：0]写入到存储器晶粒110中。因此，写入阈值tth所需要的数据周期数可以依据实际需求来决定。
[0066]
图5是依据本实施例所绘示的感测存储器晶粒内部的温度状态的流程示意图。在此实施例，如前所述在存储器晶粒110内部设置了温度传感器124(见图1)。首先，参考图1与图5，在步骤s100，存储器晶粒110从外部接收温度的阈值tth。此阈值tth的设定是由主控器150端进行。
[0067]
图6a绘示主控器对存储器晶粒设定阈值的流程示意图。如图1与图6a所示，在步骤
s120，主控器150送出预定命令给存储器晶粒。借此，主控器150告知存储器晶粒110将要设定阈值tth，亦即如图3或图4所示，在命令周期送出预定命令给存储器晶粒110，以及在地址周期送出地址数据给存储器晶粒110。接着，在步骤s112，主控器150送出阈值tth，亦即如图3或图4所示，在数据周期送出阈值tth给存储器晶粒110。
[0068]
图6b绘示存储器晶粒写入阈值的流程示意图。反之，在存储器晶粒110侧的处理流程则如图6b所示，在步骤s130，存储器晶粒110接收主控器150送出的预定命令，即存储器晶粒110被告知主控器150即将送出阈值tth给存储器晶粒110。接着，在步骤s132，存储器晶粒110接收并存储阈值tth。例如依据图3或图4所示，基于在地址周期接收的地址数据，存储器晶粒110将阈值tth存储到控制逻辑单元130中的存储单元132(见图2)。
[0069]
在此方法进行中，设置在存储器晶粒110内的温度传感器124会持续地感测存储器晶粒110内部的工作温度td。接着，如图5所示，在步骤s102，将感测到的存储器晶粒110内部工作温度td与阈值tth进行比较。例如，可以利用图2所示的控制逻辑单元130的比较器134来比较工作温度td与阈值tth。
[0070]
接着，在步骤s104，判断工作温度td是否大于阈值tth。此判断例如可以由比较器134的输出来决定。比较器134可以依据比较结果来输出高电平(h)或低电平(l)。亦即，控制逻辑单元130可以基于接收到的工作温度td与阈值tth来输出存储器晶粒110内部的温度状态。
[0071]
在步骤s106，当工作温度td小于阈值tth时，亦即步骤s104的判断结果为“否”，则存储器晶粒110会经由温度监控接脚thermal#送出“正常状态”的信号(即，h状态)给主控器150。亦即，当工作温度td小于阈值tth时，比较器134可以输出如高电平(h)状态，并经由温度监控接脚thermal#输出对应该比较结果(即，高电平(h)状态)的温度状态，即“正常状态”。此时，因为主控器150可以实时监控温度监控接脚thermal#的状态，也就是可以实时确认存储器晶粒110内部的温度状态为“正常状态”。之后，此流程继续执行步骤s110，判断存储器100的供电是否关闭。
[0072]
在步骤s108，当工作温度td大于阈值tth时，亦即步骤s104的判断结果为“是”，则存储器晶粒110会送出“过临界状态”的信号(即，l状态)给主控器150。亦即，当工作温度td大于阈值tth时，比较器134可以输出如低电平(l)状态，并经由温度监控接脚thermal#输出对应该比较结果(即，低电平(l)状态)的温度状态，即“过临界状态”。此时，因为主控器150可以实时监控温度监控接脚thermal#的状态，也就是可以实时确认存储器晶粒110内部的温度状态为“过临界状态”。之后，继续执行步骤s110，判断存储器100的供电是否关闭。
[0073]
在步骤s110，如果存储器100持续被供电，亦即判断结果为“是”，其表示存储器100仍持续在运作，存储器晶粒110内部的工作温度td需要被持续监控，则流程会回到步骤s102，重复步骤s102～步骤s110的流程。反之，若在步骤s110的判断结果为“否”，则结束，其表示存储器100已经停止运作，不需要在监控存储器晶粒110内部的工作温度td。
[0074]
此外，上述实施例的存储器架构是以存储器晶粒110为闪存(如nand闪存)作为说明例，但是本发明并不局限于此，任何型态的存储器(或主控器)都可以采用本发明的技术手段来进行感测存储器晶粒内部的温度。例如，存储器晶粒110至少可以包括但不局限用于闪存、磁性存储器、嵌入式多媒体卡(embedded multimedia card，emmc)、安全数字卡(secure digital memory card，sd卡)、通用闪存存储(universal flash storage，ufs)或
固态硬盘的存储器晶粒(solid-state drive，ssd)等。
[0075]
在上述的说明中，实施方式是设置一根温度监控接脚thermal#和一个阈值tth为例子。但是本实施例也可以设置成多根温度监控接脚thermal#1～thermal#n)和多个阈值tth1～tthn。以设置2根温度监控接脚thermal#1、thermal#2和2个阈值tth1、tth2为例，主控器150可以通过监控温度监控接脚thermal#1、thermal#2的高电平状态和低电平状态，而得知工作温度td与阈值tth1、tth2(假设tth2＞tth1)之间的关系。例如，温度监控接脚thermal#1呈现高电平状态，而温度监控接脚thermal#2呈现低电平状态，可以得知目前存储器晶粒110的内部温度td为大于阈值tth1但小于阈值tth2。因此，在此例中，三种状态，即td＜tth1、th1＜td＜tth2、td＞tth2。因此，本发明的实施方式可以进一步地根据需求来设置多根温度监控接脚thermal#和多个阈值tth，以更定义出更多种的温度状态。
[0076]
综上所述，根据本发明的实施方式，通过在存储器晶粒110内部设置温度传感器124，其可以正确地感测到存储器晶粒110内部的实际工作温度td。相较于将温度传感器设置在存储器晶粒外，本发明实施例可以更真实地反映出实际工作温度td。
[0077]
此外，根据本实施例，通过设置温度监控接脚，存储器100的主控器150可以实时地监控到存储器晶粒110内部的工作温度td。此外，作为判断存储器晶粒110内部工作温度td的状态的基准的临界温度tth可以通过主控器利用预定命令来对存储器晶粒110进行设定。因此，通过本发明实施例的技术手段，温度传感器124可实时自动且持续地感测存储器晶粒内部的工作温度td，感测到的工作温度td可以实时地与阈值tth作比较，进而主控器150通过持续监控温度监控接脚，可以实时且精确地掌握到存储器晶粒110内部的温度状态。
[0078]
至此，已经结合附图对本公开实施例进行了详细描述。
[0079]
以上所述的具体实施例，对本发明的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明，所应理解的是，以上所述仅为本发明的具体实施例而已，并不用于限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

技术特征：

1.一种存储器晶粒，具有温度感测功能，其中，包括：至少一温度监控接脚，用以输出所述存储器晶粒内部的温度状态；温度传感器，设置在所述存储器晶粒内，用以感测所述存储器晶粒内部的工作温度；以及控制逻辑单元，耦接至所述温度传感器，用以接收所述工作温度，并且耦接至所述至少一个温度监控接脚，其中所述控制逻辑单元将所述工作温度与从所述存储器晶粒的外部接收的至少一阈值进行比较以产生比较结果，并且依据所述比较结果，在所述至少一温度监控接脚输出所述温度状态。2.根据权利要求1所述的具有温度感测功能的存储器晶粒，其中，在所述工作温度小于所述至少一阈值时，所述温度状态为正常状态，在所述工作温度大于所述至少一阈值时，所述温度状态为过临界状态。3.根据权利要求1所述的具有温度感测功能的存储器晶粒，其中，所述控制逻辑单元还包括：存储单元，用以存储所述至少一阈值；以及比较器，具有输入端，分别耦接至所述存储单元与所述温度传感器，以及输出端，耦接至所述至少一温度监控接脚，其中所述比较器从所述温度传感器与所述存储装置分别接收所述工作温度与所述至少一阈值，并且比较所述工作温度与所述至少一阈值以产生所述比较结果。4.根据权利要求3所述的具有温度感测功能的存储器晶粒，其中，所述存储器晶粒在从外部接收到预设命令后，接收所述至少一阈值，并将所述至少一阈值存储到所述存储单元。5.根据权利要求1所述的具有温度感测功能的存储器晶粒，其中，与所述存储器晶粒耦接的主控器通过监控所述至少一温度监控接脚的状态，以实时取得所述存储器晶粒的所述温度状态。6.根据权利要求1所述的具有温度感测功能的存储器晶粒，其中，在所述存储器晶粒被供电的期间，所述控制逻辑单元持续比较述工作温度与所述至少一阈值。7.根据权利要求1所述的具有温度感测功能的存储器晶粒，其中，所述存储器晶粒至少包括用于闪存、磁性存储器、嵌入式多媒体卡、安全数字卡、通用闪存存储或固态硬盘的存储器晶粒。8.一种存储器，具有温度感测功能，其中，包括：至少一存储器晶粒；以及主控器，耦接至至少一存储器晶粒，用以控制所述至少一存储器晶粒，其中所述至少一存储器晶粒包括：至少一温度监控接脚，用以输出所述存储器晶粒内部的温度状态；温度传感器，设置在所述至少一存储器晶粒内，用以感测所述至少一存储器晶粒内部的工作温度；以及控制逻辑单元，耦接至所述温度传感器，用以接收所述工作温度，并且耦接至所述至少一个温度监控接脚，其中所述控制逻辑单元将所述工作温度与从所述主控器接收的至少一阈值进行比较，
并且依据比较结果，在所述至少一温度监控接脚输出所述温度状态给所述主控器。9.根据权利要求8所述的具有温度感测功能的存储器，其中，所述主控器发送预定命令给所述至少一存储器晶粒，以将所述至少一阈值发送给所述至少一存储器晶粒。10.根据权利要求8所述的具有温度感测功能的存储器，其中，在所述工作温度小于所述至少一阈值时，所述温度状态为正常状态，在所述工作温度大于所述至少一阈值时，所述温度状态为过临界状态。11.根据权利要求9所述的具有温度感测功能的存储器，其中，所述控制逻辑单元还包括：存储单元，用以从所述主控器接收并存储所述至少一阈值；以及比较器，具有输入端，分别耦接至所述存储单元与所述温度传感器，以及输出端，耦接至所述至少一个温度监控接脚，其中所述比较器从所述温度传感器与所述存储装置分别接收并比较所述工作温度与所述至少一阈值，以产生所述比较结果。12.根据权利要求11所述的具有温度感测功能的存储器，其中，所述至少一存储器晶粒在从所述主控器接收到所述预定命令后，接收所述至少一阈值，并将所述至少一阈值存储到所述存储单元。13.根据权利要求8所述的具有温度感测功能的存储器，其中，在所述存储器被供电的期间，所述控制逻辑单元持续比较述工作温度与所述至少一阈值，且所述主控器持续监控所述至少一温度监控接脚的状态，以实时取得所述至少一存储器晶粒内的所述温度状态。14.根据权利要求8所述的具有温度感测功能的存储器，其中，所述记至少一存储器晶粒至少包括用于闪存、磁性存储器、嵌入式多媒体卡、安全数字卡、通用闪存存储或固态硬盘的存储器晶粒。15.一种感测存储器晶粒内部温度状态的方法，其中，存储器晶粒内设置温度传感器，以感测存储器晶粒内部的工作温度，所述感测存储器晶粒内部温度状态的方法包括：从所述存储器晶粒外部接收至少一阈值；将所述工作温度与所述至少一阈值进行比较，以产生一比较结果；以及将与所述比较结果相应的所述温度状态，经由所述存储器晶粒的至少一温度监控接脚输出到与所述存储器晶粒耦接的主控器。16.根据权利要求15所述的感测存储器晶粒内部温度状态的方法，其中，在所述工作温度小于所述至少一阈值时，所述温度状态为正常状态，在所述工作温度大于所述至少一阈值时，所述温度状态为过临界状态。17.根据权利要求15所述的感测存储器晶粒内部温度状态的方法，其中，所述主控器发送预定命令给所述存储器晶粒，以将所述至少一阈值发送给所述存储器晶粒。18.根据权利要求17所述的感测存储器晶粒内部温度状态的方法，其中，所述存储器晶粒在从所述主控器接收到所述预定命令后，接收并存储所述至少一阈值。19.根据权利要求15所述的感测存储器晶粒内部温度状态的方法，其中，所述主控器持续监控所述至少一温度监控接脚的状态，以实时取得所述存储器晶粒内的所述温度状态。20.根据权利要求1所述的感测存储器晶粒内部温度状态的方法，其中，在所述存储器晶粒被供电运作的期间，持续比较所述工作温度与所述至少一阈值，并将与所述比较结果
相应的所述温度状态持续经由所述存储器晶粒的至少一温度监控接脚输出所述主控器。

技术总结

本发明公开了一种存储器晶粒、存储器及感测存储器晶粒内部温度状态的方法。其中，该存储器晶粒具有温度感测功能，具体包括：至少一温度监控接脚，用以输出存储器晶粒内部的温度状态；温度传感器，设置在存储器晶粒内，用以感测存储器晶粒内部的工作温度；以及控制逻辑单元，耦接至温度传感器，用以接收工作温度，并且耦接至至少一个温度监控接脚。控制逻辑单元将工作温度与从外部接收的至少一阈值进行比较，并且依据比较结果，在至少一温度监控接脚输出温度状态。温度状态。温度状态。