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温度通知的存储器刷新的制作方法

温度通知的存储器刷新
1.分案申请的相关信息
2.本技术是申请号为201980071437.5、申请日为2019年9月19日、发明名称为“温度通知的存储器刷新”的中国发明专利申请的分案申请。
3.优先权申请
4.本技术要求2018年9月21日提交的美国申请序列号16/138,115的优先权益，所述美国申请以全文引用的方式并入本文中。
技术领域
5.本公开的实施例大体上涉及存储器子系统，且更确切地说，涉及温度通知的存储器刷新。

背景技术：

6.存储器子系统可为存储系统，例如固态驱动器(ssd)，且可包含存储数据的一或多个存储器组件。存储器组件可为例如非易失性存储器组件及易失性存储器组件。一般来说，主机系统可利用存储器子系统以在存储器组件处存储数据且从存储器组件检索数据。

技术实现要素：

7.一方面，本公开涉及一种存储器系统，其包括：存储器组件，其包括：非易失性存储器部分，其包括多个存储器组件元件；以及易失性存储器部分；和处理装置，其在操作时通信地耦合到所述存储器组件，所述处理装置执行包括以下各项的操作：当所述多个存储器组件元件中的单个存储器组件元件打开时：将所述单个存储器组件元件的写入温度计数器存储在所述易失性存储器部分上；和响应于在限定的温度窗口之外的极端温度下在所述单个存储器组件元件上执行的存储器组件写入而更新所存储的写入温度计数器；以及响应于所述单个存储器组件元件被关闭，将所述写入温度计数器存储在所述非易失性存储器部分上。
8.另一方面，本公开涉及一种方法，其包括：当存储器组件的非易失性存储器部分的多个存储器组件元件中的单个存储器组件元件打开时：将所述单个存储器组件元件的写入温度计数器存储在所述存储器组件的易失性存储器部分上；和响应于在限定的温度窗口之外的极端温度下在所述单个存储器组件元件上执行的存储器组件写入而更新所述写入温度计数器；以及响应于所述单个存储器组件元件关闭，将所述写入温度计数器存储在所述非易失性存储器部分上。
9.又一方面，本公开涉及一种包含指令的非暂时性机器可读媒体，所述指令在由处理装置执行时使所述处理装置执行包括以下各项的操作：当存储器组件的非易失性存储器部分的多个存储器组件元件中的单个存储器组件元件打开时：将所述单个存储器组件元件的写入温度计数器存储在所述存储器组件的易失性存储器部分上；和响应于在限定的温度窗口之外的极端温度下在所述单个存储器组件元件上执行的存储器组件写入而更新所述
写入温度计数器；以及响应于所述单个存储器组件元件关闭，将所述写入温度计数器存储在所述非易失性存储器部分上。
附图说明
10.本公开借助于实例示出并且不受附图的限制，在附图中类似标记指示类似元件。
11.图1说明根据本公开的一些实施方案的包含存储器组件的环境的实例。
12.图2说明根据本公开的一些实施方案的超级块的实例。
13.图3说明根据本公开的一些实施方案的在超级块中的块写入温度跟踪的实例。
14.图4说明根据本公开的一些实施方案的用于实施温度通知的存储器刷新的数据结构的实例。
15.图5说明根据本公开的一些实施方案的对于温度通知的存储器刷新的方法的流程图。
16.图6是说明根据本公开的实施方案的实例计算机系统的框图，在所述实例计算机系统内可执行指令集以用于使机器执行本文中所论述的方法中的任何一或多种。
具体实施方式
17.本公开的各方面涉及存储器子系统中的温度通知的存储器刷新。存储器子系统在下文还称为“存储器组件”。存储器子系统的实例是存储系统，例如固态驱动器(ssd)。在一些实施例中，存储器子系统是混合式存储器/存储子系统。通常，主机系统可利用包含一或多个存储器组件的存储器子系统。主机系统可提供数据以存储于存储器子系统处，且可请求从存储器子系统检索的数据。
18.为了以装置的最小装置(例如，固件、处理等)开销避免交叉温度事件，可将极端写入温度计数器维持在超级块层级处以识别刷新候选者。当写入温度可接受(例如，可能与读取温度相关)时，刷新(写入到新的单元)保持数据完整性并以单元本身的磨损为代价减少rber(例如，经由写入放大)。因此，过多的刷新活动导致单元编程及擦除循环及处理两者的浪费(例如导致对快闪装置的性能影响，因为资源用于执行刷新)。极端写入温度计数器提供一种有效的方式来对元件(例如，块、超级块等)进行定序，以最大程度地减少由于交叉温度问题而导致的错误处理事件，同时最大程度地减少使用的刷新次数。
19.尽管可在框、页面、裸片或其它层级处执行跟踪，但是超级块提供附接有写入温度计数器的存储器组件元件的吸引性聚集。虽然存储器装置准许在页层级写入及读取寻址并且在块层级擦除寻址，但在这类细粒度解决方案中存在一些实际困难。这些困难可包含用于包含快闪转换层(ftl)表维护的多种任务及操作的寻址开销。为解决这些问题，通常将块聚集到写入数据的单个逻辑实体(例如，超级块)中。传统地，经聚集块包含来自快闪存储器系统中的存储器阵列的每个裸片中的每个平面的块。此布置提供一些性能优势，例如跨裸片的写入命令的并行执行。
20.经聚集块概念准许跟踪较少存储单元，缓解温度计数器及ftl表及管理上的压力。这在例如受管理存储器的资源有限装置中可为重要的，其中可用的工作存储器(例如，保持系统状态的随机存取存储器(ram))受到限制。使用超级块作为存储器组件中的基础操作单元提供上文相对于经聚集块单元所论述的高效资源管理，同时准许更高效维护操作(例如，
时延减小且执行操作的时间减小)及有效装置op。
21.在实例中，本文中描述的技术包含以最小的存储器大小损失来跟踪在极端温度下写入的数据的度量。通常，受管理的存储器控制器将数据写入到开放超级块。在任何给定时间，通常存在有限量的可用开放超级块。环境温度在写入期间由存储器组件测量，并且在超级块层级处，存储器控制器维护高写入温度计数器(hwtc)及低写入温度计数器(lwtc)中的一或两个。在实例中，对于在高温下写入的每个代码(在应用错误校正码之后的数据字)，hwtc递增。类似地，对于在低温下写入的每个码字，lwtc递增。在实例中，在关闭超级块之后，hwtc及lwtc存储在存储器组件中(例如，与装置上ram相对的存储器阵列中)。在实例中，单个计数器(例如，极端写入温度计数器(exwtc))可在发生高温或低温写入时递增，并存储在存储器组件中。
22.在实例中，当擦除或新打开超级块时，计数器可复位(例如，初始化为零)。在存储器组件的低活动期间，例如当不存在待决读取或写入请求时，存储器组件可有效地执行维护操作，例如超级块的刷新。由于可限制此时间，因此可通过对超级块进行定序来实现对刷新活动的更佳回报，使得那些具有较高极端温度写入浓度(例如，具有更高的hwtc、lwtc或exwtc值)的超级块首先得到刷新。因此，当存储器组件温度可接受时，刷新具有在高温或低温下写入的较高数据浓度的超级块。在实例中，排序可包含：增加hwtc及lwtc以实现根据其对超级块进行定序的单个值；对hwtc进行排序，且随后使用lwtc以在具有相同hwtc值的超级块中排序；反过来(例如，首先对lwtc进行排序)，或对exwtc进行排序。在实例中，为了以最小的影响减少刷新，如果所得排序值不超过阈值，则不刷新超级块。在实例中，可在存储器组件元数据中维持写入温度，从而使得能够对标记有极端温度(例如，高或低)的码字选择性地进行垃圾收集，从而避免超级块或其它存储器组件元件的完全刷新。
23.图1说明根据本公开的一些实施方案的包含存储器系统110的环境100的实例。环境100还说明为包含经配置以通过通信接口与存储器系统110通信的主机装置105。主机装置105或存储器系统110可包含在各种产品150中，例如，物联网(iot)装置(例如，电冰箱或其它电器、传感器、电机或致动器、移动通信装置、汽车、无人机等)，以支持产品150的处理、通信或控制。
24.存储器系统110包含存储器系统控制器115及存储器组件120，所述存储器组件包含例如多个个别裸片(例如，三维(3d)存储器裸片的堆叠)或其它媒体(例如，组织为阵列)。在3d架构半导体存储器技术中，堆叠竖直结构，从而增加层数、物理页且相应地增加存储器组件(例如，存储装置)的密度。在实例中，存储器系统110可为主机装置105的离散存储器或存储装置组件。在其它实例中，存储器系统110可为与主机装置105的一或多个其它组件堆叠或以其它方式包含主机装置105的一或多个其它组件的集成电路(例如，芯片上系统(soc)等)的一部分。
25.可使用一或多个通信接口在存储器系统110与主机装置105的一或多个其它组件之间传送数据，例如串行高级技术附件(sata)接口、外围组件互连高速(pcie)接口、通用串行总线(usb)接口、通用快闪存储器(ufs)接口、emmc
tm
接口，或一或多个其它连接器或接口。主机装置105可包含主机系统、电子装置、处理器、存储卡读卡器，或在存储器系统110外部的一或多个其它电子装置。在一些实例中，主机105可为具有参考图6的机器600所论述的组件的某一部分或全部的机器。
26.存储器系统控制器115可从主机105接收指令，并且可与存储器组件120通信，以便将数据传送到存储器组件120的存储器单元、平面、子块、块或页中的一或多个(例如，写入或擦除)或从存储器组件120的存储器单元、平面、子块、块或页中的一或多个传送数据(例如，读取)。存储器系统控制器115尤其可包含电路系统或固件，包含一或多个组件或集成电路。举例来说，存储器系统控制器115可包含一或多个存储器控制单元、电路或组件，其经配置以控制跨越存储器组件120的存取及提供主机105与存储器系统110之间的转换层。
27.存储器管理器125可尤其包含电路系统或固件，例如与各种存储器管理功能相关联的多个组件或集成电路。出于当前描述的目的，将在存储器的上下文中描述实例存储器操作及管理功能。所属领域的技术人员将认识到，其它形式的非易失性存储器可具有类似的存储器操作或管理功能。此类存储器管理功能包含耗损均衡(例如，垃圾收集或回收)、错误检测或校正、块引退或一或多个其它存储器管理功能。存储器管理器125可将主机命令(例如，从主机接收到的命令)解析或格式化为装置命令(例如，与存储器组件的操作相关联的命令等)，或生成用于存储器控制器135或存储器系统110的一或多个其它组件的装置命令(例如，以实现各种存储器管理功能)。
28.更新存储器组件元件是存储器管理器125可例如经由刷新组件113的所示实例的硬件，或经由图6中所示的刷新组件的实例的指令执行的管理功能。如上所述，刷新会在存储器组件元件磨损及处理时间方面带来成本，这可能会增加功耗，以及通过在处理完成时延迟主机请求执行来影响用户感知的性能。然而，还如上所述，在可接受环境温度的周期期间的刷新可通过当最初在极端温度下写入数据时在可接受温度下重写所述数据而提供对交叉温度问题的高效校正。同样，极端温度是超出装置110的预设温度范围的温度，而可接受的温度在所述范围内。因此，如预设范围所定义，极端温度可能太热或太冷。可针对不同使用情况调整预设范围。举例来说，如果工作环境的平均温度较高，例如在注塑成型厂，则预设范围可设定为高于其它使用情况。在实例中，预设范围由如在装置110处测量的一系列读取温度限定，并且可随时间进行调整。
29.为了实施温度通知的刷新，存储器管理器125经布置以响应于写入到在极端温度下执行的存储器组件120而更新温度计数器。此处，对存储器组件120中的存储器组件元件执行写入。在实例中，存储器组件写入是码字写入。码字是用例如错误校正码对一段数据进行编码的结果。一般来说，码字是写入到存储器组件的最小单元，但可将若干码字聚集以写入页、块、超级块等。在实例中，存储器组件元件是超级块。因此，每当将码字写入到存储器组件元件时，存储器管理器125将装置110的环境温度与预设范围相比较，以确定写入是否在极端温度下。如果写入在极端温度下，则更新对于存储器组件元件的计数器(例如，递增一)以跟踪这些写入。
30.在实例中，温度计数器为20个位。在实例中，响应于存储器组件元件的擦除，将温度计数器复位到零。因此，当存储器组件元件不再具有有效数据时，将计数器复位以准备跟踪新的极端温度写入，并且还避免不必要地刷新无效数据。在实例中，极端温度低于存储器组件110的低写入温度阈值。在实例中，温度计数器包含低温写入计数器(lwtc)。在实例中，极端温度高于存储器组件110的高写入温度阈值。在实例中，温度计数器包含高温写入计数器(hwtc)。在实例中，极端温度高于存储器组件110的高写入温度阈值或低于存储器组件110的低写入温度阈值。在实例中，温度计数器包含极端温度写入计数器(exwtc)。一般来
说，当知晓写入是在极端高温还是极端低温期间并不重要时，exwtc是lwtc及hwtc的组合。
31.在实例中，温度计数器与存储器组件元件分开存储。此实例不同于例如通过一些超级块数据(这也可实现)将一或多个温度计数器存储在存储器元件本身的元数据中。在实例中，响应于打开存储器组件元件，温度计数器存储于存储器组件110的易失性存储器部分中。易失性部分实现计数器的快速更新，而不会在存储器单元上发生不当磨损，同时计数器很可能正在改变。在实例中，响应于关闭存储器组件元件，温度计数器存储于存储器组件120中。此处，一旦不再写入到存储器组件元件，计数器将不再改变，从而允许将计数器保存到存储器组件单元而不具有显著的副作用。一或多个计数器可存储于下文描述的管理表130中，并且与针对例如超级块或其它存储器组件元件保留的其它计数器(例如，不良块计数、写入计数等)类似地进行处理。
32.存储器管理器125经布置以基于温度计数器而对排序在存储器组件120中的其它存储器组件元件之上的存储器组件元件进行排序。此处，基于温度计数器依序组织具有温度计数器的存储器组件元件。在实例中，排序包含组合lwtc及hwtc，以形成与针对其它存储器组件元件计算的排序值相比较的排序值。在代替lwtc及hwtc，或除了lwtc及hwtc之外使用exwtc的情况下，组合的lwtc及hwtc具有等于exwtc的值。
33.在实例中，存储器管理器125经布置以从所述排序中排除具有不超过最小基于温度的刷新阈值的对应温度计数器的存储器组件元件。因此，对于将体内各个存储器管理器125排序的存储器组件元件，其具有超过最小基于温度的刷新阈值的排序值。最小基于温度的刷新阈值用于减少对装置110性能几乎没有益处的刷新。因此，最小基于温度的刷新阈值建立一或多个极端温度计数器不会触发刷新的基线。在实例中，最小基于温度的刷新阈值基于存储器组件的原始误码率(rber)。举例来说，如果当hwtc及lwtc计数器的总和大于x时，超级块的平均rber超过阈值，则最小基于温度的刷新阈值设定成x。在实例中，最小基于温度的刷新阈值是在极端温度下写入的存储器组件元件中的字节的百分比。举例来说，如果在极端温度下写入多于30％的字节，则满足最小基于温度的刷新阈值。
34.存储器管理器125经布置以响应于排序而对存储器组件元件执行刷新。在实例中，响应于关闭存储器组件元件而执行排序。此处，关闭是指不再将数据写入到存储器组件元件的状态。举例来说，可经由垃圾收集将关闭状态变换成不同状态。在垃圾收集之后，存储器组件元件可称为“新的”且可用于写入。在实例中，响应于装置110上的可接受环境温度测量而执行排序。在实例中，响应于存储度量(例如，少于最小数目个空闲存储器组件元件可用)或其它管理功能(例如，执行或触发垃圾收集)而执行排序。首先对具有最高计数器值的存储器组件元件执行刷新，且刷新继续直到刷新被中断(例如，通过来自主机105的请求)，或超过功率或时间的分配。因此，在实例中，为了执行刷新，存储器管理器125经布置以将存储器组件元件的内容复制到新的存储器组件元件(例如，不同且准备写入的存储器组件元件)。在实例中，响应于新的存储器组件元件的非极端温度(例如，可接受)而执行内容的复制。在实例中，响应于存储器组件的低利用周期而执行内容的复制。
35.存储器管理器125可包含一组管理表130，其经配置以维持与存储器系统110的一或多个组件相关联的各种信息(例如，与耦合到存储器系统控制器115的存储器阵列或一或多个存储器单元相关联的各种信息)。举例来说，管理表130可包含关于耦合到存储器系统控制器115的一或多个存储器单元块的块年龄、块擦除计数、错误历史或一或多个错误计数
(例如，写入操作错误计数、读取位错误计数、读取操作错误计数、擦除错误计数等)的信息。在某些实例中，如果针对错误计数中的一或多个检测到的错误数目高于阈值，则位错误可称为不可校正位错误。管理表130尤其可维持可校正或不可校正位错误的计数。在实例中，管理表103可包含转换表或l2p映射。
36.存储器控制器135尤其可包含经配置以控制与以下操作相关联的存储器操作的电路系统或组件：向耦合到存储器系统控制器115的存储器系统110的一或多个存储器单元写入数据、从所述存储器单元读取数据或擦除所述存储器单元。存储器操作可基于例如从主机105接收到或由存储器管理器125在内部生成的主机命令(例如，与耗损均衡、错误检测或校正等相关联)。
37.存储器控制器135可包含错误校正码(ecc)组件140，所述ecc组件尤其可包含ecc引擎，或经配置以检测或校正错误的其它电路系统，所述错误与向耦合到存储器系统控制器115的存储器系统110的一或多个存储器单元写入数据或从所述存储器单元读取数据相关联。存储器系统控制器115可经配置以有效地检测与各种操作或数据存储相关联的错误出现(例如，位错误、操作错误等等)并从所述错误出现中恢复，同时维持在主机105与存储器装置110之间传送的数据的完整性，或维持所存储数据的完整性(例如，使用冗余raid存储等等)，并可移除(例如，引退)发生故障的存储器资源(例如，存储器单元、存储器阵列、页、块等等)以防止未来错误。
38.存储器组件120可包含布置在例如多个装置、平面、子块、块或页中的若干存储器单元。作为一个实例，48gb tlc存储器组件可包含每页18,592字节(b)的数据(16,384+2208字节)、每块1536页、每平面548个块，及每装置4个或更多个平面。作为另一实例，32gb mlc存储器组件(每单元存储两个数据位(即，4个可编程状态))可包含每页18,592字节(b)的数据(16,384+2208字节)、每块1024页、每平面548个块，及每装置4个平面，但与对应tlc存储器组件相比，所需写入时间减半，且编程/擦除(p/e)循环增倍。其它实例可包含其它数目或布置。在一些实例中，存储器组件，或其部分可选择性地在slc模式下，或在所需mlc模式(例如，tlc、qlc等)下操作。
39.在操作中，数据通常以页写入到存储器系统110或从所述存储器系统读取，且以块擦除。然而，可视需要对存储器单元的更大或更小组执行一或多个存储器操作(例如，读取、写入、擦除等)。存储器系统110的数据传递大小通常称作页；而主机的数据传递大小通常称为扇区。
40.虽然数据页可包含若干字节的用户数据(例如，包含若干数据扇区的数据有效负载)及其对应的元数据，但页面的大小经常仅指代用于存储用户数据的字节的数目。作为实例，具有4kb的页大小的数据页可包含4kb的用户数据(例如，假定512b的扇区大小的8个扇区)以及对应于用户数据的多个字节(例如32b、54b、224b等)的元数据，例如完整性数据(例如，错误检测或校正代码数据)、地址数据(例如，逻辑地址数据等)或与用户数据相关联的其它元数据。
41.不同类型的存储器单元或存储器阵列120可提供不同页大小，或可需要与其相关联的不同量的元数据。举例来说，不同存储器组件类型可具有不同误码率，其可导致需要不同量的元数据来确保数据页的完整性(例如，具有较高误码率的存储器组件可要求比具有较低误码率的存储器组件更多字节的错误校正码数据)。作为实例，相比于对应单层级单元
(slc)存储器快闪装置，多层级单元(mlc)存储器快闪装置可具有更高的误码率。由此，相比于对应slc装置，mlc装置可能需要更多的元数据字节用于错误数据。
42.本文中描述的技术使用极少系统存储器及存储器组件120(例如，存储器阵列)中的极少空间来跟踪极端温度写入。因为刷新(或选择性垃圾收集)在后台发生，所以与许多错误处理过程一样，此技术不会影响存储系统110的用户感知的性能。此外，因为存储器系统110已经存取环境温度信息、存储器组件120元件刷新，并跟踪超级块数据(例如，擦除计数、读取计数等)，所以技术可集成在存储器系统控制器115中，而不会引入存储器系统控制器115设计的高成本改变。
43.码字及超级块计数器的效率很高。举例来说，假设分别为hwtc及lwtc分配20个字节，则可为每个超级块跟踪1600万个码字，其中每个超级块分配5个字节。如果在任何给定时间打开20个超级块，则存储器系统的受限存储器用来跟踪温度计数器的字节数是5个字节的20倍，或100个字节。如果存储器组件120具有1,000个超级块，则存储器系统110的总ram使用大约需要五千个字节。
44.图2说明根据本公开的一些实施方案的超级块的实例。超级块245及超级块250均为跨越所有四个裸片的所有四个平面的完整或全宽超级块。为了说明平面与裸片之间的块索引关系，在图2中标注每个超级块中的一些块。举例来说，超级块245分别包含平面225及230的块205及215。在实例中，块索引无法在平面之间重新开始。因此，即使用于205及215的块索引在其相应平面中都是第一块，所述块索引也不同。然而，块205及215在裸片235中具有与裸片240中的块210及220相同的索引。因此，块集合仅需要指定单个裸片内的索引，且跨越所有裸片施加这些索引以形成超级块。在块索引化在平面内重新开始的实例中，可通过单个索引及一组平面指定超级块。而且，如所说明，每个超级块245及250至多具有用于裸片及平面的唯一组合的一个块，但是其它实例可包含每个平面多个块。
45.图3说明根据本公开的一些实施方案的在超级块中的块写入温度跟踪的实例。表的底部部分说明在写入期间具有存储器组件的可接受或极端温度的写入。表的顶部部分说明写入的总字节的改变，以及对应于那些写入的lwtc及hwtc计数器的递增。在实例中，对于每个超级块维护hwtc及lwtc计数器。在高环境温度下写入的码字排序为朝向hwtc的高温计数，及在低环境温度下写入的码字排序为朝向lwtc的低温计数。在关闭超级块之后，将hwtc及lwtc转储到非易失性存储器(例如，存储器阵列中)。可针对每个打开的超级块重复所述过程。随后，使用这些计数器值，在存储器组件(例如，存储器系统控制器、存储器控制器，或存储器管理器)上运行的固件可为在可接受标称温度、高温及低温下写入的超级块的百分比拍快照。这些值随后可用于选择性地刷新超级块，以防止由于极端交叉温度情况而引起的未来读取错误。
46.图4说明根据本公开的一些实施方案的用于实施温度通知的存储器刷新的数据结构的实例。数据结构包含超级块标识符字段405，及针对每个超级块记录在极端温度字段410处写入的字节的百分比。如所说明，通过在极端温度字段410处写入的字节的百分比对记录进行排序。当装置处于可接受温度时进行排序。标记(hwtc+lwtc)写入对比可接受温度写入的百分比超过刷新阈值415的块以用于刷新(例如，折叠)。这些块是刷新候选者420，然而其余块425将不具有此时基于极端温度计数器执行的刷新。
47.存储器组件可具有例如在制造期间建立的性能与rber分布。如上所述，rber可为
高及低写入温度的功能。取决于rber及码字速率，刷新阈值415可经配置以维持存储器组件的rber与性能分布。举例来说，如果在极端温度下写入超过25％的超级块会降低性能，则刷新阈值415设定在25％。
48.图5说明根据实施例的对于温度通知的存储器刷新的方法500的流程图。方法500的操作在电子硬件中实施，例如上文相对于图1(例如，存储器系统控制器)及下文相对于图6(例如，电路系统)描述的电子硬件。
49.在操作505处，响应于在极端温度下执行的存储器组件写入而更新温度计数器。此处，对存储器组件中的存储器组件元件执行写入。在实例中，存储器组件写入是码字写入。在实例中，存储器组件元件是超级块。
50.在实例中，温度计数器为20个位。在实例中，响应于存储器组件元件的擦除，将温度计数器复位到零。在实例中，极端温度低于存储器组件的低写入温度阈值。在实例中，温度计数器包含低温写入计数器(lwtc)。在实例中，极端温度高于存储器组件的高写入温度阈值。在实例中，温度计数器包含高温写入计数器(hwtc)。
51.在实例中，温度计数器与存储器组件元件分开存储。在实例中，响应于打开存储器组件元件，温度计数器存储于存储器组件的易失性存储器部分中。在实例中，响应于关闭存储器组件元件，温度计数器存储于存储器组件中。
52.在操作510处，基于温度计数器将存储器组件元件排序在存储器组件中的其它存储器组件元件之上。在实例中，排序包含组合lwtc及hwtc，以形成与针对其它存储器组件元件计算的排序值相比较的排序值。在实例中，排序值超过最小基于温度的刷新阈值。在实例中，最小基于温度的刷新阈值基于存储器组件的原始误码率(rber)。在实例中，最小基于温度的刷新阈值是在极端温度下写入的存储器组件元件中的字节的百分比。
53.在操作515处，响应于排序而对存储器组件元件执行刷新。在实例中，响应于关闭存储器组件元件而执行排序。
54.在实例中，执行刷新包含将存储器组件元件的内容复制到新的存储器组件元件。在实例中，响应于新的存储器组件元件的非极端温度而执行内容的复制。在实例中，响应于存储器组件的低利用周期而执行内容的复制。
55.图6说明根据本公开的一些实施方案的实例机器600的框图，本文所论述的技术(例如，方法)中的任一或多个可在所述机器上执行。在替代实施例中，机器600可作为独立装置操作或可连接(例如，联网)到其它机器。在联网部署中，机器600可在服务器-客户端网络环境中以服务器机器、客户端机器或这两者的容量操作。在实例中，机器600可充当对等(p2p)(或其它分布式)网络环境中的对等机器。机器600可为个人计算机(pc)、平板pc、机顶盒(stb)、个人数字助理(pda)、移动电话、网络器具、iot装置、汽车系统，或能够执行(依序或以其它方式)指定将由所述机器采取的动作的指令的任何机器。此外，虽然仅示出单个机器，但术语“机器”还应被视为包含单独或联合执行一组(或多组)指令以执行本文论述的方法中的任何一或多种的任何机器集合，例如云计算、软件即服务(saas)、其它计算机集配置。
56.如本文所描述，实例可包含逻辑、组件、装置、封装或机构，或可通过逻辑、组件、装置、封装或机构操作。电路系统为在包含硬件(例如，简单电路、栅极、逻辑等)的有形实体中实施的电路的总集(例如，集合)。电路系统成员可随时间及基础硬件可变性而为灵活的。电
路系统包含操作时可单独或组合地执行特定任务的构件。在实例中，可以不可改变的方式设计电路系统的硬件以进行特定操作(例如，硬连线)。在实例中，电路系统的硬件可包含可变地连接的物理组件(例如，执行单元、晶体管、简单电路等)，所述物理组件包含以物理方式修改(例如，不变集中式粒子的磁性、电气可移动放置等)以对特定操作的指令进行编码的计算机可读媒体。在连接物理组件时，改变硬件组成部分的基本电性质，例如从绝缘体变为导体，或反之亦然。指令使得参与的硬件(例如，执行单元或加载机构)能够经由可变连接创建硬件中的电路系统构件以在操作时实行特定任务的部分。因此，当装置操作时计算机可读媒体通信地耦合到电路系统的其它组件。在实例中，物理组件中的任一个可用于多于一个电路系统中的多于一个构件中。举例来说，在操作下，执行单元可在一个时间点用于第一电路系统中的第一电路，且由第一电路系统中的第二电路重新使用，或在不同时间由第二电路系统中的第三电路重新使用。
57.机器(例如，计算机系统)600(例如，主机装置105、存储器装置110等)可包含硬件处理器602(例如，中央处理单元(cpu)、图形处理单元(gpu)、硬件处理器核心或其任何组合，例如存储器系统控制器115等)、主存储器604及静态存储器606，其中的一些或全部可通过互连件(例如，总线)608彼此通信。机器600可进一步包含显示单元610、字母数字输入装置612(例如，键盘)，及用户接口(ui)导航装置614(例如，鼠标)。在实例中，显示单元610、输入装置612及ui导航装置614可为触摸屏显示器。机器600可另外包含存储装置(例如，驱动单元)616、信号生成装置618(例如，扬声器)、网络接口装置620，及一或多个传感器616，例如全球定位系统(gps)传感器、罗盘、加速计或其它传感器。机器600可包含输出控制器628，例如，串行(例如，通用串行总线(usb)、并行或其它有线或无线(例如，红外(ir)、近场通信(nfc)等)连接以与一或多个外围装置(例如，打印机、读卡器等)通信或控制所述一或多个外围装置。
58.存储装置616可包含机器可读媒体622，其上存储体现本文中所描述的技术或功能中的任何一或多个(例如，刷新组件113)或由本文中所描述的技术或功能中的任何一或多个利用的一或多组数据结构或指令624(例如，软件)。指令624还可在其由机器600执行期间完全或至少部分地驻存在主存储器604内、静态存储器606内或硬件处理器602内。在实例中，硬件处理器602、主存储器604、静态存储器606或存储装置616中的一个或任何组合可构成机器可读媒体622。
59.虽然机器可读媒体622被说明为单个媒体，但术语“机器可读媒体”可包含经配置以存储一或多个指令624的单个媒体或多个媒体(例如，集中式或分布式数据库，或相关联缓存及服务器)。
60.术语“机器可读媒体”可包含能够存储、编码或承载供机器600执行且使机器600执行本公开的技术中的任何一或多个的指令的任何媒体，或能够存储、编码或承载由此类指令使用或与此类指令相关联的数据结构的任何媒体。非限制性机器可读媒体实例可包含固态存储器，及光学及磁性媒体。在实例中，集中式机器可读媒体包括具有多个粒子的机器可读媒体，所述粒子具有不变(例如，静止)质量。因此，集中式机器可读媒体为非暂时性传播信号。集中式机器可读媒体的具体实例可包含：非易失性存储器，例如半导体存储器组件(例如，电可编程只读存储器(eprom)、电可擦除可编程只读存储器(eeprom))及快闪存储器组件；磁盘，例如内部硬盘及可移动盘；磁光盘；及cd-rom及dvd-rom盘。
61.指令624(例如，软件、程序、操作系统(os)等)或其它数据存储于存储装置621上，可由存储器604存取以供处理器602使用。存储器604(例如，dram)通常是快速但易失性的，且因此是与适于长期存储(包含在处于“关闭”条件下时)的存储装置621(例如，ssd)不同类型的存储装置。供用户或机器600使用的指令624或数据通常加载在存储器604中，以供处理器602使用。当存储器604已满时，存储装置621的虚拟空间可经分配以补充存储器604；然而，由于存储装置621通常比存储器604慢且写入速度通常比读取速度慢至少两倍，因此(相比于存储器604，例如dram)，归因于存储装置时延，虚拟存储器的使用可能极大地减弱用户体验。此外，虚拟存储器的存储装置621的使用可能极大地减少存储装置621的可用使用寿命。
62.与虚拟存储器相比，虚拟存储器压缩(例如，内核特征“zram”)使用存储器的部分作为经压缩块存储以避免对存储装置621的分页。分页在经压缩块中发生直到必须将这些数据写入到存储装置621为止。虚拟存储器压缩增加存储器604的可用大小，同时减少存储装置621上的磨损。
63.针对移动电子装置或移动存储装置而优化的存储装置传统上包含mmc固态存储装置(例如，微安全数字(microsd
tm
)卡等)。mmc装置包含与主机装置的多个并行接口(例如，8位并行接口)，且经常是从主机装置可移除及分离的组件。相反，emmc
tm
装置附接到电路板且视为主机装置的组件，其读取速度比得上基于串行ata
tm
(串行高级技术(at)附件，或sata)的ssd装置。然而，对移动装置性能的需求继续增加，以便完全启用虚拟或扩增现实装置，利用提高的网络速度等。响应于此需求，存储装置已从并行通信接口转换到串行通信接口。包含控制器及固件的通用快闪存储(ufs)装置使用具有专用读取/写入路径的低电压差分信令(lvds)串行接口与主机装置通信，从而进一步推进了更高的读取/写入速度。
64.指令624可进一步利用多个传输协议中的任一个(例如，帧中继、因特网协议(ip)、传输控制协议(tcp)、用户数据报协议(udp)、超文本传输协议(http)等)经由网络接口装置620使用传输媒体在通信网络626上传输或接收。实例通信网络可包含局域网(lan)、广域网(wan)、分组数据网络(例如，因特网)、移动电话网络(例如，蜂窝网络)、简易老式电话(pots)网络及无线数据网络(例如，称为的电气电子工程师学(ieee)802.11系列标准、称为的ieee 802.16系列标准)、ieee 802.15.4系列标准、对等(p2p)网络，以及其它网络。在实例中，网络接口装置620可包含一或多个物理插口(例如，以太网、同轴或电话插口)或一或多个天线以连接到通信网络626。在实例中，网络接口装置620可包含多个天线以使用单输入多输出(simo)、多输入多输出(mimo)或多输入单输出(miso)技术中的至少一个无线地通信。术语“传输媒体”应被视为包含能够存储、编码或载送指令以由机器600执行的任何无形媒体，且包含数字或模拟通信信号或用于促进此软件的通信的其它无形媒体。
65.实例1是一种用于温度通知的存储器刷新的存储器系统，所述存储器系统包括：存储器组件；及处理装置，其在操作时通信地耦合到所述存储器组件，所述处理装置用于：响应于在极端温度下执行的存储器组件写入而更新温度计数器，所述写入在所述存储器组件中的存储器组件元件上执行；基于所述温度计数器将所述存储器组件元件排序在所述存储器组件中的其它存储器组件元件之上；及响应于所述排序而执行对所述存储器组件元件的刷新。
66.在实例2中，根据实例1所述的标的物包含，其中所述存储器组件元件是超级块。
67.在实例3中，根据实例1至2所述的标的物包含，其中极端温度低于所述存储器组件的低写入温度阈值。
68.在实例4中，根据实例3所述的标的物包含，其中所述温度计数器包含低温写入计数器(lwtc)。
69.在实例5中，根据实例1至4所述的标的物包含，其中极端温度高于所述存储器组件的高写入温度阈值。
70.在实例6中，根据实例5所述的标的物包含，其中所述温度计数器包含高温写入计数器(hwtc)。
71.在实例7中，根据实例1至6所述的标的物包含，其中为了对所述存储器组件元件进行排序，所述处理装置组合低温写入计数器(lwtc)及高温写入计数器(hwtc)，以形成与针对所述其它存储器组件元件计算的排序值相比较的排序值。
72.在实例8中，根据实例7所述的标的物包含，其中所述排序值超过最小基于温度的刷新阈值。
73.在实例9中，根据实例8所述的标的物包含，其中所述最小基于温度的刷新阈值基于所述存储器组件的原始误码率(rber)。
74.在实例10中，根据实例8至9所述的标的物包含，其中所述最小基于温度的刷新阈值是在极端温度下写入的所述存储器组件元件中的字节的百分比。
75.在实例11中，根据实例1至10所述的标的物包含，其中所述温度计数器与所述存储器组件元件分开存储。
76.在实例12中，根据实例11所述的标的物包含，其中响应于打开所述存储器组件元件，所述温度计数器存储于所述存储器组件的易失性存储器部分中。
77.在实例13中，根据实例11至12所述的标的物包含，其中响应于关闭所述存储器组件元件，所述温度计数器存储于所述存储器组件中。
78.在实例14中，根据实例1至13所述的标的物包含，其中所述存储器组件写入是码字写入。
79.在实例15中，根据实例1至14所述的标的物包含，其中响应于关闭所述存储器组件元件，所述处理装置执行排序。
80.在实例16中，根据实例1至15所述的标的物包含，其中所述温度计数器是20个位。
81.在实例17中，根据实例1至16所述的标的物包含，其中响应于擦除所述存储器组件元件，将所述温度计数器复位到零。
82.在实例18中，根据实例1至17所述的标的物包含，其中为了执行所述刷新，所述处理装置将所述存储器组件元件的内容复制到新的存储器组件元件。
83.在实例19中，根据实例18所述的标的物包含，其中响应于所述新的存储器组件元件的非极端温度，所述处理装置复制所述内容。
84.在实例20中，根据实例18至19所述的标的物包含，其中响应于所述存储器组件的低利用周期，所述处理装置复制所述内容。
85.实例21是一种用于温度通知的存储器刷新的方法，所述方法包括：响应于在极端温度下执行的存储器组件写入而更新温度计数器，所述存储器组件包含在存储器系统中，
所述写入在所述存储器组件中的存储器组件元件上执行；基于所述温度计数器将所述存储器组件元件排序在所述存储器组件中的其它存储器组件元件之上；以及响应于所述排序而执行对所述存储器组件元件的刷新。
86.在实例22中，根据实例21所述的标的物包含，其中所述存储器组件元件是超级块。
87.在实例23中，根据实例21至22所述的标的物包含，其中极端温度低于所述存储器组件的低写入温度阈值。
88.在实例24中，根据实例23所述的标的物包含，其中所述温度计数器包含低温写入计数器(lwtc)。
89.在实例25中，根据实例21至24所述的标的物包含，其中极端温度高于所述存储器组件的高写入温度阈值。
90.在实例26中，根据实例25所述的标的物包含，其中所述温度计数器包含高温写入计数器(hwtc)。
91.在实例27中，根据实例21至26所述的标的物包含，其中对所述存储器组件元件进行排序包含组合低温写入计数器(lwtc)及高温写入计数器(hwtc)，以形成与针对所述其它存储器组件元件计算的排序值相比较的排序值。
92.在实例28中，根据实例27所述的标的物包含，其中所述排序值超过最小基于温度的刷新阈值。
93.在实例29中，根据实例28所述的标的物包含，其中所述最小基于温度的刷新阈值基于所述存储器组件的原始误码率(rber)。
94.在实例30中，根据实例28至29所述的标的物包含，其中所述最小基于温度的刷新阈值是在极端温度下写入的所述存储器组件元件中的字节的百分比。
95.在实例31中，根据实例21至30所述的标的物包含，其中所述温度计数器与所述存储器组件元件分开存储。
96.在实例32中，根据实例31所述的标的物包含，其中响应于打开所述存储器组件元件，所述温度计数器存储在所述存储器组件的易失性存储器部分中。
97.在实例33中，根据实例31至32所述的标的物包含，其中响应于关闭所述存储器组件元件，所述温度计数器存储于所述存储器组件中。
98.在实例34中，根据实例21至33所述的标的物包含，其中所述存储器组件写入是码字写入。
99.在实例35中，根据实例21至34所述的标的物包含，其中响应于关闭所述存储器组件元件而执行所述排序。
100.在实例36中，根据实例21至35所述的标的物包含，其中所述温度计数器是20个位。
101.在实例37中，根据实例21至36所述的标的物包含，其中响应于擦除所述存储器组件元件，将所述温度计数器复位到零。
102.在实例38中，根据实例21至37所述的标的物包含，其中执行所述刷新包含将所述存储器组件元件的内容复制到新的存储器组件元件。
103.在实例39中，根据实例38所述的标的物包含，其中响应于所述新的存储器组件元件的非极端温度而执行复制所述内容。
104.在实例40中，根据实例38至39所述的标的物包含，其中响应于所述存储器组件的
低利用周期而执行复制所述内容。
105.实例41是一种非暂时性机器可读媒体，其包含在由处理装置执行时使所述处理装置执行操作的指令，所述操作包括：响应于在极端温度下执行的存储器组件写入而更新温度计数器，所述存储器组件包含在存储器系统中，所述写入在所述存储器组件中的存储器组件元件上执行；基于所述温度计数器将所述存储器组件元件排序在所述存储器组件中的其它存储器组件元件之上；及响应于所述排序而执行对所述存储器组件元件的刷新。
106.在实例42中，根据实例41所述的标的物包含，其中所述存储器组件元件是超级块。
107.在实例43中，根据实例41至42所述的标的物包含，其中极端温度低于所述存储器组件的低写入温度阈值。
108.在实例44中，根据实例43所述的标的物包含，其中所述温度计数器包含低温写入计数器(lwtc)。
109.在实例45中，根据实例41至44所述的标的物包含，其中极端温度高于所述存储器组件的高写入温度阈值。
110.在实例46中，根据实例45所述的标的物包含，其中所述温度计数器包含高温写入计数器(hwtc)。
111.在实例47中，根据实例41至46所述的标的物包含，其中对所述存储器组件元件进行排序包含组合低温写入计数器(lwtc)及高温写入计数器(hwtc)，以形成与针对所述其它存储器组件元件计算的排序值相比较的排序值。
112.在实例48中，根据实例47所述的标的物包含，其中所述排序值超过最小基于温度的刷新阈值。
113.在实例49中，根据实例48所述的标的物包含，其中所述最小基于温度的刷新阈值基于所述存储器组件的原始误码率(rber)。
114.在实例50中，根据实例48至49所述的标的物包含，其中所述最小基于温度的刷新阈值是在极端温度下写入的所述存储器组件元件中的字节的百分比。
115.在实例51中，根据实例41至50所述的标的物包含，其中所述温度计数器与所述存储器组件元件分开存储。
116.在实例52中，根据实例51所述的标的物包含，其中响应于打开所述存储器组件元件，所述温度计数器存储在所述存储器组件的易失性存储器部分中。
117.在实例53中，根据实例51至52所述的标的物包含，其中响应于关闭所述存储器组件元件，所述温度计数器存储于所述存储器组件中。
118.在实例54中，根据实例41至53所述的标的物包含，其中所述存储器组件写入是码字写入。
119.在实例55中，根据实例41至54所述的标的物包含，其中响应于关闭所述存储器组件元件而执行所述排序。
120.在实例56中，根据实例41至55所述的标的物包含，其中所述温度计数器是20个位。
121.在实例57中，根据实例41至56所述的标的物包含，其中响应于擦除所述存储器组件元件，将所述温度计数器复位到零。
122.在实例58中，根据实例41至57所述的标的物包含，其中执行所述刷新包含将所述存储器组件元件的内容复制到新的存储器组件元件。
123.在实例59中，根据实例58所述的标的物包含，其中响应于所述新的存储器组件元件的非极端温度而执行复制所述内容。
124.在实例60中，根据实例58至59所述的标的物包含，其中响应于所述存储器组件的低利用周期而执行复制所述内容。
125.实例61是一种用于温度通知的存储器刷新的系统，所述系统包括：用于响应于在极端温度下执行的存储器组件写入而更新温度计数器的装置，所述存储器组件包含在存储器系统中，所述写入在所述存储器组件中的存储器组件元件上执行；用于基于所述温度计数器将所述存储器组件元件排序在所述存储器组件中的其它存储器组件元件之上的装置；以及用于响应于所述排序而执行对所述存储器组件元件的刷新的装置。
126.在实例62中，根据实例61所述的标的物包含，其中所述存储器组件元件是超级块。
127.在实例63中，根据实例61至62所述的标的物包含，其中极端温度低于所述存储器组件的低写入温度阈值。
128.在实例64中，根据实例63所述的标的物包含，其中所述温度计数器包含低温写入计数器(lwtc)。
129.在实例65中，根据实例61至64所述的标的物包含，其中极端温度高于所述存储器组件的高写入温度阈值。
130.在实例66中，根据实例65所述的标的物包含，其中所述温度计数器包含高温写入计数器(hwtc)。
131.在实例67中，根据实例61至66所述的标的物包含，其中用于对所述存储器组件元件进行排序的所述装置包含用于组合低温写入计数器(lwtc)及高温写入计数器(hwtc)，以形成与针对所述其它存储器组件元件计算的排序值相比较的排序值的装置。
132.在实例68中，根据实例67所述的标的物包含，其中所述排序值超过最小基于温度的刷新阈值。
133.在实例69中，根据实例68所述的标的物包含，其中所述最小基于温度的刷新阈值基于所述存储器组件的原始误码率(rber)。
134.在实例70中，根据实例68至69所述的标的物包含，其中所述最小基于温度的刷新阈值是在极端温度下写入的所述存储器组件元件中的字节的百分比。
135.在实例71中，根据实例61至70所述的标的物包含，其中所述温度计数器与所述存储器组件元件分开存储。
136.在实例72中，根据实例71所述的标的物包含，其中响应于打开所述存储器组件元件，所述温度计数器存储在所述存储器组件的易失性存储器部分中。
137.在实例73中，根据实例71至72所述的标的物包含，其中响应于关闭所述存储器组件元件，所述温度计数器存储于所述存储器组件中。
138.在实例74中，根据实例61至73所述的标的物包含，其中所述存储器组件写入是码字写入。
139.在实例75中，根据实例61至74所述的标的物包含，其中响应于关闭所述存储器组件元件而执行所述排序。
140.在实例76中，根据实例61至75所述的标的物包含，其中所述温度计数器是20个位。
141.在实例77中，根据实例61至76所述的标的物包含，其中响应于擦除所述存储器组
件元件，将所述温度计数器复位到零。
142.在实例78中，根据实例61至77所述的标的物包含，其中用于执行所述刷新的所述装置包含用于将所述存储器组件元件的内容复制到新的存储器组件元件的装置。
143.在实例79中，根据实例78所述的标的物包含，其中响应于所述新的存储器组件元件的非极端温度而执行复制所述内容。
144.在实例80中，根据实例78至79所述的标的物包含，其中响应于所述存储器组件的低利用周期而执行复制所述内容。
145.实例81是至少一个机器可读媒体，其包含在由处理电路系统执行时使所述处理电路系统执行操作以实施实例1至80中的任一个的指令。
146.实例82是一种设备，其包括用于实施实例1至80中任一个的装置。
147.实例83是一种用于实施实例1至80中任一个的系统。
148.实例84是一种用于实施实例1至80中任一个的方法。
149.以上详细描述包含对附图的参考，所述附图形成所述详细描述的一部分。图式借助于说明展示可实践本发明的特定实施例。这些实施例在本文中也称为“实例”。此类实例可包含除了所示出或所描述的那些元件之外的元件。然而，本发明人还预期其中仅提供所示或所描述的那些元件的实例。此外，本发明人还预期使用相对于特定实例(或其一或多个方面)或相对于本文展示或描述的其它实例(或其一或多个方面)而展示或描述的那些元件的任何组合或排列的实例(或其一或多个方面)。
150.在本文件中，如专利文件中常见，使用术语“一”或“一个”以包含一个或多于一个，这与“至少一个”或“一或多个”的任何其它例子或用途无关。在本文件中，术语“或”用于指代非排它性，或使得除非另有指示，否则“a或b”可包含“a而非b”、“b而非a”以及“a及b”。在所附权利要求书中，术语“包含(including)”及“其中(in which)”用作相应术语“包括(comprising)”及“其中(wherein)”的简洁英文等效术语。此外，在以下权利要求书中，术语“包含”和“包括”为开放式的，即，包含除权利要求书中在此术语之后列出的那些元件之外的元件的系统、装置、物品或过程仍被视为在权利要求书的范围内。此外，在以下权利要求书中，术语“第一”、“第二”及“第三”等仅用作标签，且并不意图对其对象施加数字要求。
151.本文中使用术语“晶片”及“衬底”来大体上指代集成电路形成于其上的任何结构，并且还指代在集成电路制造的各个阶段期间的这些结构。因此，以下详细描述不应以限制性意义来理解，且各种实施例的范围仅由所附权利要求书以及此类权利要求被赋予的等同物的完整范围限定。
152.根据本公开且在本文中所描述的各种实施例包含利用存储器单元的竖直结构(例如，存储器单元的存储器串)的存储器。如本文中所使用，将采用相对有存储器单元形成在上面的衬底的表面的方向性形容词(即，竖直结构将被视为远离衬底表面而延伸，竖直结构的底端将被视为最接近衬底表面的端部，并且竖直结构的顶端将被视为最远离衬底表面的端部)。
153.如本文中所使用，方向性形容词，例如水平、竖直、正交、平行、垂直等可指相对定向，并且除非另外指出，否则并不意欲需要严格遵守具体几何性质。举例来说，如本文中所使用，竖直结构无需精确地垂直于衬底的表面，而是可替代地大体上垂直于衬底的表面，并且可形成与衬底的表面的锐角(例如，在60度与120度之间等)。
154.如本文中所使用，操作存储器单元包含从存储器单元读取、写入到存储器单元或擦除存储器单元。使存储器单元置于既定状态中的操作在本文中称为“编程”，且可包含对存储器单元写入或从存储器单元擦除(例如，存储器单元可经编程为擦除状态)。
155.应理解，当元件称为“在另一元件上”、“连接到另一元件”或“与另一元件耦合”时，其可直接在另一元件上、与另一元件直接连接或耦合或可存在中间元件。相比之下，当元件称为“直接”在另一元件“上”、“直接连接到”或“直接耦合到”另一元件时，不存在中间元件或层。如果两个元件在图式中示出为被线连接，那么除非另外指示，否则所述两个元件可耦合或直接耦合。
156.以上描述预期为说明性的而非限制性的。举例来说，上述实例(或其一或多个方面)可彼此组合使用。如所属领域的一般技术人员在查阅以上描述后可使用其它实施例。所述摘要在遵守以下理解的情况下提交：其将不会用于解释或限制权利要求的范围或含义。另外，在以上具体实施方式中，可将各种特征分组在一起以简化本公开。此情况不应解释为期望未要求的公开特征对任何权利要求来说是必需的。实际上，本发明主题可在于比特定公开的实施例的所有特征要少。因此，特此将所附权利要求书并入到具体实施方式中，其中每一权利要求作为一单独实施例而独立存在，且预期此些实施例可以各种组合或排列彼此组合。本发明的范围应该通过参考所附的权利要求书以及所述权利要求书所授予的等效物的完整范围来确定。

技术特征：

1.一种存储器系统，其包括：存储器组件，其包括：非易失性存储器部分，其包括多个存储器组件元件；以及易失性存储器部分；和处理装置，其在操作时通信地耦合到所述存储器组件，所述处理装置执行包括以下各项的操作：当所述多个存储器组件元件中的单个存储器组件元件打开时：将所述单个存储器组件元件的写入温度计数器存储在所述易失性存储器部分上；和响应于在限定的温度窗口之外的极端温度下在所述单个存储器组件元件上执行的存储器组件写入而更新所存储的写入温度计数器；以及响应于所述单个存储器组件元件被关闭，将所述写入温度计数器存储在所述非易失性存储器部分上。2.根据权利要求1所述的存储器系统，其中将所述单个存储器组件元件的所述写入温度计数器存储在所述易失性存储器部分上包括以下至少一者：将低温写入计数器lwtc存储在所述易失性存储器部分上或将高温写入计数器hwtc存储在所述易失性存储器部分上中。3.根据权利要求1所述的存储器系统，其中响应于在所述限定的温度窗口之外的所述极端温度下在所述单个存储器组件元件上执行的所述存储器组件写入而更新所存储的写入温度计数器包括：更新在所述易失性存储器部分上的低温写入计数器lwtc或在所述易失性存储器部分上的高温写入计数器hwtc中的至少一者。4.根据权利要求1所述的存储器系统，其中所述操作包括：基于所述写入温度计数器对所述单个存储器组件元件执行刷新。5.根据权利要求4所述的存储器系统，其中执行所述刷新包括将所述单个存储器组件元件的内容复制到新的存储器组件元件。6.根据权利要求5所述的存储器系统，其中响应于所述新的存储器组件元件的非极端温度而执行所述复制。7.根据权利要求4所述的存储器系统，其中所述操作包括：至少基于所述写入温度计数器来生成所述单个存储器组件元件的排序值，基于所述写入温度计数器对所述单个存储器组件元件执行刷新包括：基于所述排序值来选择要刷新的所述单个存储器组件元件。8.根据权利要求7所述的存储器系统，其中至少基于所述写入温度计数器来生成所述单个存储器组件元件的所述排序值包括：组合低温写入计数器lwtc和高温写入计数器hwtc来生成所述排序值。9.根据权利要求7所述的存储器系统，其中基于所述排序值来选择要刷新的所述单个存储器组件元件包括：将所述单个存储器组件元件的所述排序值与为所述多个存储器组件元件的其它存储器组件元件生成的一个或多个排序值进行比较。10.根据权利要求1所述的存储器系统，其中，所述多个存储器组件元件包括多个存储器单元。
11.一种方法，其包括：当存储器组件的非易失性存储器部分的多个存储器组件元件中的单个存储器组件元件打开时：将所述单个存储器组件元件的写入温度计数器存储在所述存储器组件的易失性存储器部分上；和响应于在限定的温度窗口之外的极端温度下在所述单个存储器组件元件上执行的存储器组件写入而更新所述写入温度计数器；以及响应于所述单个存储器组件元件关闭，将所述写入温度计数器存储在所述非易失性存储器部分上。12.根据权利要求11所述的方法，其中将所述单个存储器组件元件的所述写入温度计数器存储在所述易失性存储器部分上包括一下至少一者：将低温写入计数器lwtc存储在所述易失性存储器部分上或将高温写入计数器hwtc存储在所述易失性存储器部分上。13.根据权利要求11所述的方法，其中响应于在所述限定的温度窗口之外的所述极端温度下在所述单个存储器组件元件上执行的所述存储器组件写入而更新所述写入温度计数器包括：更新在所述易失性存储器部分上的低温写入计数器lwtc或在所述易失性存储器部分上的高温写入计数器hwtc中的至少一者。14.根据权利要求11所述的方法，其包括：基于所述写入温度计数器对所述单个存储器组件元件执行刷新。15.根据权利要求14所述的方法，其中执行所述刷新包括将所述单个存储器组件元件的内容复制到新的存储器组件元件。16.根据权利要求15所述的方法，其中响应于所述新的存储器组件元件的非极端温度而执行所述复制。17.根据权利要求14所述的方法，其包括：至少基于所述写入温度计数器来生成所述单个存储器组件元件的排序值，基于所述写入温度计数器对所述单个存储器组件元件执行刷新包括：基于所述排序值来选择要刷新的所述单个存储器组件元件。18.根据权利要求17所述的方法，其中至少基于所述写入温度计数器来生成所述单个存储器组件元件的所述排序值包括：组合低温写入计数器lwtc和高温写入计数器hwtc来生成所述排序值。19.根据权利要求17所述的方法，其中基于所述排序值来选择要刷新的所述单个存储器组件元件包括：将所述单个存储器组件元件的所述排序值与为所述多个存储器组件元件的其它存储器组件元件生成的一或多个排序值进行比较。20.一种包含指令的非暂时性机器可读媒体，所述指令在由处理装置执行时使所述处理装置执行包括以下各项的操作：当存储器组件的非易失性存储器部分的多个存储器组件元件中的单个存储器组件元件打开时：将所述单个存储器组件元件的写入温度计数器存储在所述存储器组件的易失性存储
器部分上；和响应于在限定的温度窗口之外的极端温度下在所述单个存储器组件元件上执行的存储器组件写入而更新所述写入温度计数器；以及响应于所述单个存储器组件元件关闭，将所述写入温度计数器存储在所述非易失性存储器部分上。

技术总结

本文中描述用于温度通知的存储器刷新的装置及技术。可响应于在极端温度下执行的存储器组件写入而更新温度数据。此处，对所述存储器组件中的存储器组件元件执行所述写入。可基于所述温度数据将所述存储器组件元件排序在所述存储器组件中的其它存储器组件元件之上。一旦排序到这些存储器组件元件的顶部，就可对所述存储器组件元件执行刷新。所述存储器组件元件执行刷新。所述存储器组件元件执行刷新。