NAND FLASH编程器_NAND FLASH烧
NAND FLASH编程器_软件下载
SUPERPRO5000是西尔特出品的新一代USB接口独立式智能极速NAND FLASH编程器.具有编
冷凝器设计
想的选择。
SUPERPRO5000除了支持算法集成的三个坏块处理方法外，还可以为客户选择定制其他的 支持ecc512B(Hamming Code)，并且支持生成的ecc码在spare区任意连续地址map。算法本生还支持NAND Boot区的只 SUPERPRO5000烧录每64Mbytes仅需80秒，部分芯片时间甚至小于60秒。其中烧录过程包 关于NAND Flash NAND FLASH是一种易失的闪存技术，被广泛使用于U盘，MP3/MP4,GPS,PDA,GSM/3G手机，无线上网设备，笔记本等多个领域。
和NOR FLASH相比。NAND FLASH具有以下的特点：
肠镜裤1) NAND FLASH同NOR FLASH相比，NAND FLASH有着容量大、价格低等优势。
制造化妆品2)存在坏块。由于NAND生产工艺的原因，出厂芯片中会随机出现坏块。坏块在出厂时已经被初始化，并在特殊区域中标记为不可用，在
3) 易出现位反转。NAND FLASH更易出现位反转的现象，如果位反转出现在关键文件上，会导致系统挂机。所以在使用NAND FLASH的
4) 存在Spare区。正因为NAND FLASH有着上面的两项特殊的地方，Spare区就扮演作存放坏块标志，ECC值以及芯片信息和文件信息的
5) 多维的空间结构。NAND FLASH一般由block，page，sector等结构组成。所以在有的文件系统中就衍生出各种分区信息和扇区信息等SUPERPRO5000下对NAND FLASH 的坏块处理
NAND FLASH的坏块处理方式有很多，不同的方案公司或者系统提供商都会选择不同的坏块处理方法，来满足产品开发的需要，目前我
。并且将常用的三种坏块处理方案，集成到烧录算法里面。
本文档以K9F1208U0B为例，详细阐述了SUPERPRO5000下NAND FLASH的烧录方法。
1.NAND FLASH编程器烧录软件概述。
选择好K9F1208U0B后，将出现下图(Figure 1)。
(Figure 1)
Device Information中，提示(1)提供了该芯片使用何种适配器。提示(2)简明扼要的讲述了本软件支持坏块处理方法的种类和技术要点。下图是主软件界面(Figure 2)
在主软件界面中，提示1列出了NAND烧录拥有的正常操作，从上到下包括：自动批处理(Auto)，编程写入(Program)，读出数据(Read)，校Check)。
01234BM 678
BM 123456
BM 12345678
161718192021222324
323334353637383940
挡板砖484950515253545556
BM 1234567
89101112131415钢结构运输
1617181920212223
2425262728293031
OEM Reserved
0123BM 678 BM 标志：为0x00当前块为坏块，为0xFF, 当前块为好块，但如果此时的OEM Reserved 标志处为设定的值的话，此处BM 标志为0x00，在 如图，表示OEM Reserved 的值为0xFC，在这种设置下，当判断到BM 标志为0x00时，前面的OEM Reserved 的值读出为0xFC 时，在烧录
3.常用的三种坏块处理方法
小页模式的NAND Flash(8bit)的坏块标志(BM)处会出现下面的情况。我们在总结多个厂商的要求后也把它作为一种坏块标志进行了集成 小页模式的NAND Flash(8bit)的坏块标志(BM)一般放在每个block 第一页和第二页的第6个字节。
个字节。
其中自动批处理(Auto)必须在提示4(Edit Auto)中设置好才能运行。启动代码块检查(Boot Block Check)在提示2中设置启动代码所占块(B 提示2(Dev.Config)是NAND Flash 烧录的配置中心，坏块处理方法，ECC，设置烧录范围，启动代码范围等的设置都在这个选项里面。 提示3是烧录软件的信息输出区，算法的有关信息，烧录过程的有关信息和烧录出错信息都在这个区域打印输出。
2．NAND Flash 的坏块和坏块标志。
由于制造工艺的原因，NAND Flash 在生产过程中可能会产生坏块，坏块在出厂前将会被标记。对于坏块而言，存储的信息可能会丢失出现操作失败后，表示该块不能正常使用，也应标记成坏块。所以在一般情况下，在操作NAND Flash 之前，先要检查一下要操作的是否靠性，从NAND Flash 中读取的数据还可以引入ECC 校验，ECC 码一般存放在该页的spare 区。关于ECC ，详细介绍见下一章。
(Figure 4)
这是一种最常用的坏块处理方法。它的实现原理比较简单，顺序烧录，发现某一块为坏块后，将相应数据烧录到下
一个出现的好块中。其原理如下图(Figure 5)。
A) 跳过坏块 (Skip bad block)
。
Hard Copy 的方法在读写过程中，没有判断坏块，而是把它当成一般的Flash 进行处理的。但在烧写过程，由于坏块的存在，导致对应的种方式烧写NANDFLASH 。
采用这种烧录方法的话，坏块标志位是不允许写成非“0xFF”或者“0xFFFF”(16bit)，所以在缓冲区(buffer)中的数据，在烧录过程中，坏块标的情况下，如果坏块标志的处的值满足其判断要求，将不作强制修改。B) 硬拷贝 (Hard Copy)。食用菌生产与加工技术
(
采用这种烧录方法，要关注提示2的设置，以便对NAND 的存储区域进行更灵活的访问。
其中UBA start blk(hex): 指定文件从那个块开始烧录，Size of UBA blks(hex): 的内容表示烧录的文件占用多少个好块，例如：烧录芯片大小为19M 整，烧录的起始块为第0块。K9F1208U0B 为小页模式的NAND，每个块包含spare 区的大小为0x4200Bytes = 16896(dec)Bytes 。 注：如果小页模式不包含spare 区的内容，则每个块的大小为0x4000Bytes. 大页模式包含spare 区的内容，每个块的大小为
0x21000Byte
不过在读取芯片(母片)的时候，有时候我们并不清楚该芯片的坏块标志位是不是被改变，不清楚该芯片用的是什么坏块处理方法，我们还完全内容，以便进行下一步分析，或者直接拷贝。在读取芯片完全内容时，例如读取芯片K9F1208U0B，该芯片共有4096(0x1000)个block 这样读取的时候就把所有块的内容读出来。
用这种方法之间拷贝芯片的时候，要尽量确保目标的芯片是没有坏块的芯片，才能保证拷贝的成功率。
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