NAND FLASH烧录说明(D2800)

NAND FLASH 烧录说明(D2800)
(中文版REV1.00
本文档是引导客户如何正确使用D2800系列编程器烧录NAND Flash,可以满足客户在研发和生产中遇到的NAND Flash烧录的一般需求。
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马度米星铵第一章 关于D2800系列
D2800系列是诺动力出品的新一代USB接口独立式智能极速通用编程器,具有编程速度快,烧录稳定,软件集成度高,更智能化的特点。是NAND Flash用户理想的选择。
D2800除了支持算法集成的三个坏块处理方法外,还可以为客户选择定制其他的烧录方法(
如三星平台,高通平台,博通平台, WinCE 烧录等)。算法本生支持ecc512B(Hamming Code),并且支持生成的ecc码在spare区任意连续地址map。算法本生还支持NAND Boot区的只读属性处理,一般表现为Bad block Mark前的OEMReserved的处理。
D2800烧录每1Gbit仅需125秒,部分芯片时间甚至小于60秒。其中烧录过程包括Erase + Program + Verify.
第二章 关于NAND Flash
NAND FLASH是一种易失的闪存技术,被广泛使用于U盘,MP3/MP4,GPS,PDA,GSM/3G手机,无线上网设备,笔记本等多个领域。NAND是高数据存储密度的理想解决方案。
NOR FLASH相比。NAND FLASH具有以下的特点:
1) NAND FLASHNOR FLASH相比,NAND FLASH有着容量大、价格低等优势。
2)存在坏块。由于NAND生产工艺的原因,出厂芯片中会随机出现坏块。坏块在出厂时已经被初始化,并在特殊区域中标记为不可用,在使用过程中如果出现坏块,也需要进行标记。
3) 易出现位反转。NAND FLASH更易出现位反转的现象,如果位反转出现在关键文件上,会导致系统挂机。所以在使用NAND FLASH的同时,建议使用ECC/EDC算法确保可靠性。
4) 存在Spare区。正因为NAND FLASH有着上面的两项特殊的地方,梁延淼Spare区就扮演作存放坏块标志,ECC值以及芯片信息和文件信息的作用。
5) 多维的空间结构。NAND FLASH一般由blockpagesector等结构组成。所以在有的文件系统中就衍生出各种分区信息和扇区信息等。
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第三章 D2800下对NAND FLASH 的坏块处理
NAND FLASH的坏块处理方式有很多,不同的方案公司或者系统提供商都会选择不同的坏块处理方法,来满足产品开发的需要,目前我们公司已经根据客户的要求,解决了近百种的坏块处理方案。并且将常用的三种坏块处理方案,集成到烧录算法里面。
本文档以K9F1208U0B为例,详细阐述了D2800下NAND FLASH的烧录方法。
1.烧录软件概述。
弹性夹头
选择好K9F1208U0B后,将出现下图(Figure 1)。
编织袋缝底机
(Figure 1)
(Figure 2)
在主软件界面中,提示1列出了NAND烧录拥有的正常操作, 从上到下包括:自动批处理(Auto),编程写入(Program),读出数据(Read),校验(Verify),空检查(Blank_Check),擦除(Erase),启动代码块检查(Boot Block Check)。
其中自动批处理(Auto)必须在提示4(Edit Auto)中设置好才能运行。启动代码块检查(Boot Block Check)在提示2中设置启动代码所占块(Blocks)的范围。
提示2(Dev.Config)是NAND Flash烧录的配置中心,坏块处理方法,ECC,设置烧录范围,启动代码范围等的设置都在这个选项里面。
提示3是烧录软件的信息输出区,算法的有关信息,烧录过程的有关信息和烧录出错信息都在这个区域打印输出。
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2NAND Flash 的坏块和坏块标志。
由于制造工艺的原因,NAND Flash 在生产过程中可能会产生坏块,坏块在出厂前将会被标记。对于坏块而言,存储的信息可能会丢失,不能正常使用。另外在NAND Flash擦除或者编程过程中,出现操作失败后,表示该块不能正常使用,也应标记成坏块。所以在一般
情况下,在操作NAND Flash之前,先要检查一下要操作的是否是坏块,以免坏块标记被破坏。此外,为了保证存储信息的可靠性,从NAND Flash中读取的数据还可以引入ECC校验,ECC码一般存放在该页的spare区。关于ECC,详细介绍见下一章。

本文发布于:2024-09-22 20:26:30,感谢您对本站的认可!

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