一、光刻胶：光刻工艺的重要耗材
光刻胶是光刻成像的承载介质，是光刻工艺的重要耗材。光刻胶，又称光致抗蚀剂，是指通过紫外光、准分子激光、电子束、离子束、X射线等光源的照射或辐射，其溶解度发生变化的耐蚀刻材料。
1.光刻胶主要成分
光刻胶主要是由光引发剂（包括光增感剂、光致产酸剂）、光刻胶树脂、单体（活性稀释剂）、溶剂和其他助剂组成的对光敏感的混合液体。树脂和光引发剂是光刻胶最核心的部分，树脂对整个光刻胶起到支撑作用，使光刻胶具有耐刻蚀性能；光引发剂是光刻胶材料中的光敏成分，能发生光化学反应。
表1.1光刻胶主要成分垃圾热解炉
资料来源：《半导体芯片制造技术》杜中一，晶瑞股份公司公告，天风证券研究所整理背心袋生产设备
2.光刻胶分类
光刻胶广泛应用于IC、面板显示和PCB等下游泛半导体领域。光刻胶自1959年被发明以来，就成为半导
体工业最核心的工艺材料；随后光刻胶被改进运用到印制电路板的制造工艺，成为PCB生产的重要材料；二十世纪九十年代，光刻胶又被运用到LCD器件的加工制作，对LCD面板的大尺寸化、高精细化、彩化起到了重要的推动作用。光刻胶经过几十年不断的发展和进步，应用领域不断扩大，衍生出非常多的种类，按照下游应用场景不同，光刻胶可分为IC光刻胶、LCD光刻胶和PCB光刻胶。
电石生产工艺表1.2光刻胶分类
数据来源：晶瑞股份招股说明书，东莞证券研究所
3.光刻胶主要技术参数
光刻胶作为精密制造的核心材料，随着微电子制程对线宽的要求极为严格，光刻胶主要技术参数为分辨率、对比度、敏感度等。分辨率是指光刻胶可再现图形的最小尺寸，一般用关键尺寸来（CD，CriticalDimension）衡量分辨率。对比度是指光刻胶从曝光区到非曝光区过渡的陡度。敏感度：光刻胶上产生一个良好的图形所需一定波长光的最小能量值。
表1.3光刻胶主要技术参数
资料来源：汶灏股份，国元证券研究中心监控门禁
4.光刻胶发展历史
起源于美国，柯达KTFR光刻胶为光刻胶工业的开创者，光刻胶跟随摩尔定律不断演进。1950s贝尔实验室尝试开发首块集成电路，半导体光刻胶由此诞生，并成为六七十年代半导体工业的主力体系，为半导体工业发展立下汗马功劳。逻辑支撑跟随摩尔定律，光刻胶不断推进产业演进。i线/g线光刻胶的产业化 模拟社区始于上世纪70年代，KrF光刻胶的产业化也早在上世纪80年代就由IBM完成。
图1.1光刻胶发展历程
资料来源：新材料在线，天风证券研究所整理绘制
受半导体产业转移等影响，全球光刻胶产业链自诞生至今共发生了3次较大规模的转移。由于半导体产业整体从美国-日本-韩国、-中国大陆进行转移，同时由于下游市场需求的转移和扩散以及光刻机等配套产业的转移，全球光刻胶产业大致经历了“美国起源-日本争霸-中国崛起”三个阶段。 图1.2光刻胶产业转移历史
豫公网安备41160202000603
站长QQ:729038198
关于我们
投诉建议