1.1 在P型半导体中，多数载流子是 [ B ]
A. 电子 B. 空穴 C.离子 D. 杂质
1.2 在N型半导体中，多数载流子是 [ A ]
A. 电子 B. 空穴 C.离子 D. 杂质
1.3 在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 vr漫游[ C ]
A.温度 B.掺杂工艺 C.杂质浓度 D.晶体缺陷
1.4下面哪一种情况二极管的单向导电性好 [ A ] A.正向电阻小反向电阻大 B. 正向电阻大反向电阻小
C.正向电阻反向电阻都小 D. 正向电阻反向电阻都大
1.5二极管的主要特性是 [ C ]
A.放大特性 B.恒温特性 C.单向导电特性 D.恒流特性 1.6. 左下图，设二极管导通压降为0.7V，判断二极管是否导通，并求输出电压 UO。 1.7 二极管电路如右上图所示，考虑其正向压降为0.7V，判断二极管是否导通，求输出电压Uo （D1导通，D2截止。UO= -0.7V）
1.8左下图，二极管均为理想元件，则VD1、VD2、 VD3的工作状态为[ A ]。
A. VD1导通， VD2 、 VD3截止 B. VD2导通， VD1 、 VD3截止
C. VD3导通， VD1 、 VD2截止 D. VD1， VD2 、 VD3均导通
1.9. 判断右上图电路中二极管的工作状态。 [ A ]
A. VD1导通， VD2截止 B. VD2导通， VD1 截止
C. VD1 、 VD2均导通 D. VD1， VD2均 截止
1.10 如左下图所示电路中D为理想元件，已知ui = 5sinωtV ，试对应ui画出uo的波形图。（当ui>0,D通，u0=ui;当ui<0,D截止，u0吸波=0）
1.11 在晶体管放大电路中，测得晶体管的各个电极的电位如图1.1(左图)所示，该晶体管的类型是 [ A ]
A.NPN型硅管
B.PNP型硅管
C.NPN型锗管 图1.1 2V 6V
D.PNP型锗管 1.3V
1.12测得处于放大状态的三极管三个管脚的直流电位如右上图所示，试说明三极管的类型是 [ D ]
A. NPN型硅管； B. PNP型硅管； C. NPN型锗管； D. PNP型锗管
1.13 某三极管各个电极的对地电位如下图所示，可判断其工作状态是[ D ]
A.饱和
B.放大
C.截止
D.已损坏
1.14 双极型晶体三极管在放大状态工作时的外部条件是 [ B ]
A 发射结正偏，集电结正偏 B 发射结正偏，集电结反偏
C 发射结反偏，集电结反偏 D 发射结反偏，集电结正偏
1.15当三极管的两个PN结都反偏时，则三极管处于[ A ]
A.截止状态 B.饱和状态 C.放大状态 D.击穿
1.16当三极管的两个PN结都正偏时，则三极管处于[ B ]。
A.截止状态 B.饱和状态 C.放大状态 D.击穿
1.17测得放大电路中某晶体管三个电极对地的电位分别为6V、5.3V和-6V，则该三极管的类型为[ A ]
A.硅PNP型 B.硅NPN型 C.锗PNP型 D.锗NPN型
1.18测得放大电路中某晶体管三个电极对地的电位分别为8V、2.3V和2V，则该三极管的类型为[ D ]。
A.硅PNP型 B.硅NPN型 C.锗PNP型 D.锗NPN型
1.19测得放大电路中某晶体管三个电极对地的电位分别为6V、5.3V和12V，则该三极管的类型为[ B ]
A.硅PNP型 B.硅NPN型 C.锗PNP型 D.锗NPN型
1.20测得放大电路中某晶体管三个电极对地的电位分别为6V、5.7V和-6V，则该三极管的类型为[ C ]。
A.硅PNP型 B.硅NPN型 C.锗PNP型 D.锗NPN型
1.21用直流电压表测得三极管电极1、2、3的电位分别为氢氧化锰V1=1V，V2=1.3V，V3=-5V，则三个电极为[ C ]。
A.1为e；2为b；3为c B.1为e；2为c；3为b
C.1为b；2为e；3为c D.1为b；2为c；3为e
1.22处于放大状态的NPN型晶体管，各电极的电位关系是[ C ]。
A. VB＞VC＞VE B. VE＞VB＞VC
C. VC＞VB＞VE D. VC＞VE＞VB
1.23处于放大状态的PNP型晶体管，各电极的电位关系是[ B ]。
A. VB＞VC＞VE B. VE＞VB＞VC
C. VC＞VB＞VE D. VC＞VE＞VB
1.24 判断下列说法是否正确，并在相应的括号内画√或×。
1、P型半导体可通过在纯净半导体中掺入五价磷元素而获得。（× ）
2、P型半导体带正电，N型半导体带负电。（× ）
3、漂移电流是少数载流子在内电场作用下形成的。（ √ ）
填空题：
1.25半导体材料有三个特性，它们是（光敏特性）、（杂敏特性）和（光敏特性）。
半导体具有三敏特性，它们分别是（光敏特性）、（杂敏特性）和（光敏特性）。
无菌车间
1.26在本征半导体中加入（5价）元素可形成N型半导体，加入（3价）元素可形成P型半导体。
N型半导体可通过在纯净半导体中掺入（5价）元素而获得，而P型半导体可通过在纯净半导体中掺入（3价）元素而获得。
1.27在P型半导体中，多数载流子是（空穴），而在N型半导体中，多数载流子是（电子）。P型半导体中（空穴）是多数载流子，（电子）是少数载流子。
在N型半导体中，多数载流子是（电子），而在P型半导体中，多数载流子是（空穴）。
N型半导体中（电子）是多数载流子，（空穴）是少数载流子。
1.28二极管的主要特性是（单向导电特性）。 （单向导电特性）是二极管的主要特性。
1.29在常温下，硅二极管的门限电压约为（0.5）V，导通后的正向压降约为（0.6~0.8工程中取0.7）V；锗二极管的门限电压约为（0.1）V，导通后的正向压降约为（0.2~0.3工程中
取0.2）V。
1.30.在常温下，发光二极管的正向导通电压约为（1~2.5）V，考虑发光二极管的发光亮度和寿命，其工作电流一般控制在（10~20）mA。
1.31晶体管按结构分有（NPN）和（PNP）两种类型。
1.32晶体管按材料分有（锗管）和（硅管）两种类型。
1.33晶体管实现放大作用的外部条件是发射结（正偏）、集电结（反偏）。
三极管工作在放大区时，发射结（正偏），集电结（反偏）；工作在饱和区时，发射结（正偏）），集电结（正偏））。
三极管工作在放大区时，发射结（正偏），集电结（反偏）；工作在截止区时，发射结（反偏）），集电结（反偏））。
第二单元 放大电路基本原理和分析方法
2.1 在基本放大电路的三种组态中，输入电阻最大的放大电路是 [ C ]
A.共射放大电路 B.共基放大电路 C.共集放大电路 D.不能确定
2.2 在基本放大电路的三种组态中，输出电阻最小的是 [ C ]
A.共射放大电路 B.共基放大电路 C.共集放大电路 D.不能确定
2.3 在三种基本放大电路中，电压增益（放大倍数）最小的放大电路是 [ C ]
A.共射放大电路 B.共基放大电路 C.共集放大电路 D.不能确定
2.4在基本共射放大电路中，负载电阻RL减小时，输出电阻RO将 [ C ]
A.增大 B.减少 C.不变 D.不能确定
2.5 在由NPN晶体管组成的基本共射放大电路中，当输入信号为1kHz,5mV磨煤机衬板的正弦电压时，输出电压波形出现了底部削平的失真，这种失真是 [ A ]
A.饱和失真 B.截止失真 C.交越失真 D.频率失真
2.6 在由PNP晶体管组成的基本共射放大电路中，当输入信号为1kHz,5mV的正弦电压时，
输出电压波形出现了顶部削平的失真，这种失真是 [ A ]
A.饱和失真 B风琴式导轨防护罩.截止失真 C.交越失真 D.频率失真
2.7单级共射极放大电路，输入正弦信号，现用示波器观察输入电压ui和晶体管集电极电压uc的波形，二者相位 [ B ]。
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