基于TM50 模的高增益贴片天线

DOI:10.13878/j.cnki.jnuist.2019.01.011张云阳1㊀曹文权1㊀钱祖平
制作交通工具
1基于TM50模的高增益贴片天线
摘要
本文提出了一个基于TM50模的高增益方形贴片天线.在TM50谐振模式下,天线表面会有2段与辐射边缘相反的电流,通过在天线表面开槽,可使贴片表面的2段反相电流各自形成回路,从而很好地去除TM50模的4个旁瓣.与此同时,由于削弱了反相电流,开槽后的天线是由3段同相电流叠加而成,这就等同于3个工作于TM10模的天线单元共同作用的效果.通过调节槽型缝隙,天线单元最大增益可达到13 3dB.
关键词
TM50模;低旁瓣;高增益
中图分类号TN820
文献标志码A
收稿日期2018⁃11⁃30
资助项目国家自然科学基金(61871399,61401506)
钱祖平(通信作者),男,博士,教授,博士生导师,主要研究微波技术.qzp811@sina.com1陆军工程大学通信工程学院,南京,2100070㊀引言
特效三光脚气粉㊀㊀天线作为无线通信系统之间信息传递的重要组成部分,直接影响无线通信系统的整体性能.微带天线因为其剖面低㊁加工制造简单㊁易共形等特点,被广泛应用于军事㊁民用等领域.但是,对于远程通信系统,为了补偿路径损耗等问题,对天线的增益提出了很高的要求.为了获取较高的增益,传统方法是单元组阵技术.然而,对于增益较小的天线单元,不但需要更多的单元来满足高增益的要求,而且增加了制作复杂度和加工成本.
针对天线单元增益较低的问题,目前已有一些方案进行解决.例如文献[1⁃3]采用反射面等结构来提高天线增益,但是这无疑增大了天线的剖面;文献[4⁃6]采用堆叠形式或采用高介电常数介质基板,而这种方法只是基于天线整体面积和介质层的影响,并不是直接提高辐射单元的增益.为了在不增加天线剖面高度及破坏天线原有物理参数的前提下有效提高天线单元增益,使用高次模作为天线辐射模式成为一种有效途径.但是,由于高次模存在较大的旁瓣,这将对实际应用产生较大的影响.
为充分利用高次模的高增益特性,同时减小高次模旁瓣对天线性能的影响,本文以TM50模作为天线辐射模式.在分析天线表面的场分布后,通过对天线表面进行开槽,很好地消除了TM50模的4个旁瓣,同时获得了较高的增益.
1㊀TM50模式场分析
银行联动门通过如图1a所示的电流分布可以得到,在TM50谐振模式下,贴片表面形成5段电流,中间位置存在与2条辐射边缘相反的电流区域.因为TM50模的辐射方向图是由5段电流产生的场在远场叠加的结果,所以,如果能够消除贴片表面的反向电流,就能很好地解决TM50模的旁瓣问题.
如图1b所示,通过实验发现,在贴片表面2段反相电流的位置开槽,可以使这2段电流分别形成回路,使其产生较小的辐射,从而使得TM50模的辐射方向图是由3段同相电流叠加而成.所以,利用这样的方法不但可以有效减小TM50模的旁瓣,而且还能获得很高的增益.但是,从图2a可以观察到,由于中间槽使得H面电场分布变得不均匀,使得天线H面方向图变宽,从而在一定程度上影响了天线增益的提
㊀㊀㊀
图1㊀TM50模电流分布
Fig 1㊀ThecurrentdistributionpatternofTM50
mode
射频调制器图2㊀TM50模电场分布
Fig 2㊀TheelectricfieldpatternofTM50mode
高.为解决这一问题,如图2b所示,通过在中间槽的两侧加入4条对称边缘槽,以此平衡被破坏的场分布,从而使得在消除TM50模旁瓣的同时又不会损失天线增益.
2 天线单元
天线结构如图3所示,基板选取介电常数为2 2的Rogers-5880,采用同轴馈电的方式对
方形贴片进行馈电.
首先分析在贴片反向电流处开槽对TM50模旁瓣和天线增益的影响.图4a㊁4b分别给出了不同长度的槽所对应的E面㊁H面方向图.从图4a可以观察到,在没有开槽的情况下,天线具有2个与主瓣相同辐射强度的旁瓣和2个较低的旁瓣.随着开槽长度的增加,方向电流的强度逐渐被削弱,从而使得旁瓣越来越低.但是,如图4b所示,随着开槽长度的增加,H面方向图的宽度也随之变宽,这将在一定程度上导致天线的增益下降
图3㊀天线单元
Fig 3㊀Theantennaelement
85张云阳,等.基于TM50模的高增益贴片天线.
ZHANGYunyang,etal.High⁃gainpatchantennabasedonTM50mode.
图4㊀中间槽的长度对E面和H面方向图的影响
泪血症
Fig 4㊀TheinfluenceofthelengthofthemiddleslotontheEplaneandHplane
为改善因贴片中间开槽后所导致的天线增益下降问题,图5a㊁5b分别展示了中间槽长度不变的前提下,在中间槽两侧开4条对称槽对天线方向图的影响.如图5b所示,随着4条边缘槽长度的增加,H
面的宽度逐渐变窄,这使得增益有所上升.而且,从图5a所示的E面方向图可以看到,边缘槽几乎没有影响到旁瓣消除的效果
图5㊀边缘槽的长度对天线E面和H面方向图的影响
Fig 5㊀TheinfluenceofthelengthoftheedgesslotontheEplaneandHplane
㊀㊀根据以上分析,可以对天线单元进行优化.通过调节中间槽以及边缘槽的长度,得到低旁瓣㊁高增益的天线单元.天线最大增益为13 3dB.与此同时,通过调节馈电点的位置,获得良好的匹配效果.天线尺寸参数如表1所示,天线方向图如图6a所示,S11曲线如图6b所示.
表1 天线尺寸参数
Table1㊀Parametersofthemicrostripantenna
mm
LLS1LS2LWH
26
16
0 5
508
图6㊀天线辐射方向图和S11曲线
Fig 6㊀TheradiationpatternsoftheantennaandS11
5学报(自然科学版),2019,11(1):57⁃60
JournalofNanjingUniversityofInformationScienceandTechnology(NaturalScienceEdition),2019,11(1):57⁃60
3㊀结束语
本文针对贴片天线单元增益较小的问题,分析了高阶模式对提高天线增益的可行性.利用TM50模作为辐射模式,在有效去除单元旁瓣㊁不影响天线实际应用的前提下,在一定程度上提高了天线单元的增益,为后续高增益天线的研究提供了思路.
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High⁃gainpatchantennabasedonTM50mode
ZHANGYunyang1㊀CAOWenquan1㊀QIANZuping1
1SchoolofCommunicationEngineering,ArmyEngineeringUniversityofPLA,Nanjing㊀210007
Abstract㊀Inthisstudy,ahigh⁃gainsquarepatchantennabasedontheTM50modeisproposed.Owingtotheo
pera⁃tionoftheTM50mode,thereisapairofreversed⁃phasecurrentscomparingwiththeradiatingedgesonthesurfaceoftheantenna.Byintroducingtransverseslotsalongthecentrallineofthepatch,eachofthetworeversed⁃phasecur⁃rentsareinterruptedtocirculatewithlittleradiation;thus,thefourside⁃lobesoftheTM50modecanbesuppressedwell.Simultaneously,becausethereversed⁃phasecurrentisweakened,theslottedantennaissuperposedbythreein⁃
phasecurrents,whichprovideaneffectequivalenttothatofthreeantennaelementsoperatingundertheTM10mode.Byadjustingthesizeoftheslots,themaximumgainoftheantennacanreach13 3dB.Keywords㊀TM50mode;lowsidelobes;highgain
6张云阳,等.基于TM50模的高增益贴片天线.
ZHANGYunyang,etal.High⁃gainpatchantennabasedonTM
50
mode.

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