基于库仑计的坏块检测方法、装置、设备及存储介质与流程

1.本发明涉及半导体存储器技术领域，尤其涉及一种基于库仑计的坏块检测方法、装置、设备及存储介质。

背景技术：

2.随着信息化的发展，人们对数据存储设备的要求越来越高，nand flash(非易失存储器)是被广泛使用的读写速度快、容量高、成本低的存储器。由于nand flash的自身结构和制造技术问题，导致这种nand flash在生产和使用过程都会产生一些坏块，坏块会影响数据的存储。若未在存储前将坏块识别出来，容易导致数据存储异常。当前的坏块一般是通过扫描方式进行检测，但是扫描的方式难以识别出隐藏得比较深的坏块，进而坏块识别的准确度不够高，nand flash中可能会存在未被检出的坏块。

技术实现要素：

3.本发明提供一种基于库仑计的坏块检测方法、装置、设备、设备及存储介质，旨在提高坏块识别的准确性，提高非易失性存储器的使用寿命。
4.为实现上述目的，本发明提供所述非易失存储器的引脚上连接有库仑计芯片，所述方法包括：
5.在对非易失性存储器进行检测的过程中，通过所述库仑计芯片记录各个操作所消耗的电能；
6.判断各个操作所消耗的电能是否都在预设范围内；
7.将一个或多个操作所消耗的电能不在预设范围内的块标记为坏块。
8.可选地，所述在对非易失性存储器进行检测的过程中，通过所述库仑计芯片记录各个操作所消耗的电能的步骤包括：
9.在擦除操作中，通过所述库仑计芯片记录非易失性存储器上各个块消耗的擦除电能；
10.在写入操作中，通过所述库仑计芯片记录非易失性存储器上各个块消耗的写入电能；
11.在读取操作中，通过所述库仑计芯片记录非易失性存储器上各个块消耗的读取电能。
12.可选地，所述判断各个操作所消耗的电能是否都在预设范围内的步骤之前还包括：
13.基于验证实验确定各个操作的电能消耗统计曲线，其中所述各个操作的电能消耗统计曲线均满足正态分布规律。
14.可选地，所述基于验证实验确定各个操作的电能消耗统计曲线的步骤包括：
15.对大量标准非易失性存储器进行检测，通过所述库仑计芯片记录各个操作所消耗的测试电能；
16.分别统计各个操作所消耗的测试电能，获得擦除电能消耗统计曲线、写入电能消耗统计曲线以及读取电能消耗统计曲线。
17.可选地，所述判断各个操作所消耗的电能是否都在预设范围内的步骤之前还包括：
18.基于2σ准则确定各个操作对应的所述预设范围。
19.可选地，所述判断各个操作所消耗的电能是否都在预设范围内的步骤包括：
20.判断擦除电能是否在所述擦除电能消耗统计曲线中的预设擦除电能范围内；和/或
21.判断写入电能是否在所述写入电能消耗统计曲线中的预设写入电能范围内；和/或
22.判断读取电能是否在所述读取电能消耗统计曲线中的预设读取电能范围内。
23.可选地，所述将一个或多个操作所消耗的电能不在预设范围内的块标记为坏块的步骤之后还包括：
24.将消耗的电能不在所述预设范围内的坏块所消耗的电能与基准消耗电能进行对比；
25.基于所述基准消耗电能与所述消耗的电能的差值，确定对应坏块的损坏等级，以供基于所述损坏等级确定对应坏块的管理方式。
26.此外，为实现上述目的本发明还提供一种基于库仑计的坏块检测装置，包括：
27.记录模块，用于在对非易失性存储器进行检测的过程中，通过所述库仑计芯片记录各个操作所消耗的电能；
28.判断模块，用于判断各个操作所消耗的电能是否都在预设范围内；
29.标记模块，用于将一个或多个操作所消耗的电能不在预设范围内的块标记为坏块。
30.此外，为实现上述目的本发明还提供一种基于库仑计的坏块检测设备，包括存储器、处理器以及存储在所述存储器上的基于库仑计的坏块检测程序，所述基于库仑计的坏块检测程序被所述处理器运行时实现如上所述的方法的步骤：
31.此外，为实现上述目的本发明还提供一种计算机可读存储介质，，所述计算机可读存储介质上存储有基于库仑计的坏块检测程序，所述基于库仑计的坏块检测程序被处理器运行时实现如上所述的方法的步骤
32.相比现有技术，本发明提出的一种基于库仑计的坏块检测方法、装置、设备及存储介质，在对非易失性存储器进行检测的过程中，通过所述库仑计芯片记录各个操作所消耗的电能；判断各个操作所消耗的电能是否都在预设范围内；将一个或多个操作所消耗的电能不在预设范围内的块标记为坏块。由此，通过库仑计芯片记录各个操作所消耗的电能，将电能异常的坏块标记为坏块，可以及早准确发现非易失性存储器的坏块，避开对风险区域的操作，可以极大提高非易失性存储器的使用寿命。
附图说明
33.图1是本发明本发明各实施例涉及的设备的硬件结构示意图
34.图2是本发明基于库仑计的坏块检测方法第一实施例的流程示意图；
35.图3是本发明基于库仑计的坏块检测方法第一实施例涉及的nand flash的结构示意图；
36.图4是本发明基于库仑计的坏块检测方法第一实施例涉及的电能消耗统计曲线示意图。
37.图5是本发明基于库仑计的坏块检测装置第一实施例的功能模块示意图。
38.本发明目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。
具体实施方式
39.应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
40.本发明实施例主要涉及的基于库仑计的坏块检测设备是指能够实现网络连接的网络连接设备，所述基于库仑计的坏块检测设备可以是服务器、云平台等。
41.参照图1，图1是本发明各实施例涉及的基于库仑计的坏块检测设备的硬件结构示意图。本发明实施例中，基于库仑计的坏块检测设备可以包括处理器1001(例如中央处理器central processing unit、cpu)，通信总线1002，输入端口1003，输出端口1004，存储器1005。其中，通信总线1002用于实现这些组件之间的连接通信；输入端口1003用于数据输入；输出端口1004用于数据输出，存储器1005可以是高速ram存储器，也可以是稳定的存储器(non-volatile memory)，例如磁盘存储器，存储器1005可选的还可以是独立于前述处理器1001的存储装置。本领域技术人员可以理解，图1中示出的硬件结构并不构成对本发明的限定，可以包括比图示更多或更少的部件，或者组合某些部件，或者不同的部件布置。
42.继续参照图1，图1中作为一种可读存储介质的存储器1005可以包括操作系统、网络通信模块、应用程序模块以及基于库仑计的坏块检测程序。在图1中，网络通信模块主要用于连接服务器，与服务器进行数据通信；而处理器1001用于调用存储器1005中存储的基于库仑计的坏块检测程序，并执行如下操作：
43.在对非易失性存储器进行检测的过程中，通过所述库仑计芯片记录各个操作所消耗的电能；
44.判断各个操作所消耗的电能是否都在预设范围内；
45.将一个或多个操作所消耗的电能不在预设范围内的块标记为坏块。
46.本实施例所涉及的非易失存储器主要指nand flash存储器。nand flash存储器是flash存储器的一种，其内部采用非线性宏单元模式，为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。nand flash存储器具有容量较大，改写速度快等优点，适用于大量数据的存储，因而在业界得到了越来越广泛的应用，如嵌入式产品中包括数码相机、mp3随身听记忆卡、体积小巧的u盘等。
47.基于上述基于库仑计的坏块检测设备提出本法明基于库仑计的坏块检测方法第一实施例。请参照图2，图2是本发明基于库仑计的坏块检测方法第一实施例的流程示意图。
48.如图1所示，本发明第一实施例提出一种基于库仑计的坏块检测方法，所述方法应用于基于库仑计的坏块检测设备，所述方法包括：
49.步骤s101，在对非易失性存储器进行检测的过程中，通过所述库仑计芯片记录各个操作所消耗的电能；
50.非易失存储器的坏块有些是在制造过程中就已经产生了，造成了出产前坏块
(factory masked bad block，initial bad/invalid block)，因此出厂之前都需要进行检测，在出厂前将待检测的非易失性存储器安置于检测设备即可出发坏块检测指令。有些坏块是在使用过程中产生的，造成了使用坏块(worn-out bad block)为了保证非易失存储器的正常使用，在对非易失存储器进行维护保养时也需要进行坏块检测，这种情况的坏块检测指令一般是技术人员触发的，或者是由储存在非易失存储器中的自动检测程序触发的。
51.参考图3，图3是本发明基于库仑计的坏块检测方法第一实施例涉及的nand flash的结构示意图。如图3所示，一个内存大小为2112mbits(即256mb＝2gb)共有2048个block(块)，每个block有64个page(页)，一共有128k个page。由于有些block在出厂前就已经损坏了，因此需要在出厂前进行坏块检测，将坏块标记出来以保证nand flash存储器的正常使用。
52.需要说明的是，本实施例所涉及的所述非易失存储器的引脚上连接有库仑计芯片。nand flash有多个引脚，其引脚功能包括命令锁存、地址锁存、芯片使能、读使能、写使能、写保护、就绪/忙输出信号、电源、地、不接、数据传输等。并且还可以在引脚上外接其它芯片，以实现复合功能。本实施例中，在所述nand flash的引脚上物理连接库仑计芯片。库仑计是用来测定电量的装置,和电解池的装置相同。使用时,保持电流强度不变,测出通电时间和析出物的质量,就可以算出电流强度，进而可以获知所消耗的电能。库仑计芯片可以实时监测用电设备对电能消耗的芯片，具有精度高，响应速度快，对被测试的电路影响小的特点，比如某公司生产的库仑计芯片，具有15bit的分辨率，外部检流采样电阻仅需要10毫欧的阻值，对nand flash电源的影响仅在毫伏的级别，nand flash常规的电流消耗在0.1a以下，因此可以用库仑计芯片来监测各个操作所消耗的电能，并不会对nand flash正常的运行造成影响。
53.基于nand flash的结构，对于nand flash的全部空间，包括每一个block，page，进行一次擦除，写入和读取的过程。nand flash的擦除以block(块)为单位，写入/编程以page(页面)为单位，读取以page(页面)为单位。
54.在连接所述库仑计芯片后，在对非易失性存储器进行检测的过程中，通过所述库仑计芯片记录各个操作所消耗的电能。
55.具体地，在擦除操作中，通过所述库仑计芯片记录非易失性存储器上各个块消耗的擦除电能；
56.nand flash存储器是被定义为一个triple-well(三阱)的结构，通常每一个plane(平面)都有他自己的triple-well。而source(资源)端则被所有的block所共用：用这种方法的话矩阵就会更紧凑并且结构也可以更多样性，对ip-well(ip阱)的偏置也会大大地降低。这种电子擦除时通过使用一个高电压和让word line(字线)保持接地来对ip-well进行偏置，以此来进行擦除的。
57.nand flash存储器的擦除必须是以1kb为单位对齐的地址并指定哪一个block被擦除，或者全部擦除。也就是说block是nand flash存储器擦除的最小单位。
58.执行1kb页的擦除步骤如下：
59.将页地址写入所述nand flash存储器的fmc(flexible memory controller，灵活存储控制器)；
60.将nand flash写入匙码(flash write key)写入所述fmc寄存器，并设置需要擦除
的erase位；
61.查询fmc寄存器直至erase位被清零，则说明擦除操作完成。本实施例中，将擦除电能记为we。
62.在写入操作中，通过所述库仑计芯片记录非易失性存储器上各个块消耗的写入电能；
63.一般通过nand flash program来执行写入操作。nand flash program的功能是对页进行编程命令，用于写操作。命令代码一般是：首先写入00h(a区)/01h(b区)/05h(c区),表示写入那个区；再写入80h开始编程模式(写入模式)，接下来写入地址和数据；最后写入10h表示编程结束。
64.nand flash的写操作是利用电子隧道的量子影响来进行的，电子隧道的出现是由于有一个强电场。特别是写和擦除都是依靠电场的极性。在写的过程中，穿过氧化层的电子数量就是电场的一个功能：事实上，电场越大，穿过氧化层的电子数量就越多。因此，为了提高写的能力，一个可用的高电场(对应的就是高电压)是必不可少的。这种写方式的主要的优点则是每个存储单元的电流可以非常低。因此，写入过程会产生电能，将写入电能记为ww；
65.在读取操作中，通过所述库仑计芯片记录非易失性存储器上各个块消耗的读取电能。
66.当读取一个存储单元中的数据时，是使用一个门电压vread(0v)作用于gate端，而没有被读取的存储单元的gate端则被偏置于vpass.r(通常为4-5v)，这样不管阀值电压是多少而能够通过晶体管。事实上，一个被擦除过的flash存储单元有一个低于0v的vth值，而一个被写过的存储单元的vth则一般会有一个正值，并且这个值的大小一般低于4v。使用0v来对一个所选存储单元的gate端进行偏置的时候，所有串联在一起的存储单元都会去传导电流，而只有被寻址的存储单元会被擦除。因此擦除操作会产生电能，将读取电能记为wr。
67.nand flash存储器读数据操作以页为单位,读数据时首先写入读数据命令00h，然后输入要读取页的地址，接着从数据寄存器中读取数据，最后进行ecc校验。参数说明：block，块号；page，页号；buffer，指向将要读取到内存中的起始位置；返回值1，读成功，返回值0：读失败。
68.记录下各个操作的电能后，所述库仑计芯片将各个电能发送至非易失存储器的坏块检测设备，以供所述非易失存储器的坏块检测设备基于各个操作的电能进行下一步操作。
69.步骤s102，判断各个操作所消耗的电能是否都在预设范围内。
70.本实施例中，为了使各个操作所消耗的电能有一个比较准确、客观的对比范围，基于验证实验确定各个操作的电能消耗统计曲线，其中所述各个操作的电能消耗统计曲线均满足正态分布规律。
71.具体地，对大量标准非易失性存储器进行检测，通过所述库仑计芯片记录各个操作所消耗的测试电能；分别统计各个操作所消耗的测试电能，获得擦除电能消耗统计曲线、写入电能消耗统计曲线以及读取电能消耗统计曲线。
72.所述标准非易失性存储器的引脚上都预先连接有所述库仑计芯片，以所述库仑计芯片记录各个操作所消耗的测试电能。当获得各个操作所消耗的大量的测试电能后，将各
种电能进行分类，分成擦除消耗电能，写入消耗电能以及读取消耗电能。由于对大量的标准非易失性存储器进行了检测，而且各个标准非易失性存储器都是相同工艺生产的，理论上其对应的各个操作的消耗电能都集中的一个范围内，可以理解地，多个标准非易失性存储器的某个具体的消耗电能值会相同，例如可能有90个标准非易失性存储器的擦除消耗电能都是we1。
73.基于此，以所述各个步骤消耗电能作为横坐标，以该消耗电能对应的操作次数作为纵坐标进行统计，获得对应的消耗统计曲线。也即以所述擦除消耗电能为横坐标，以该擦除消耗电能的个数作为纵坐标，统计完成后获得擦除消耗统计曲线；以所述写入消耗电能为横坐标，以该写入消耗电能的个数作为纵坐标，统计完成后获得写入消耗统计曲线；以所述读取消耗电能为横坐标，以该读取消耗电能的个数作为纵坐标，统计完成后获得读取消耗统计曲线。
74.本实施例中，获得的所述擦除消耗统计曲线、写入消耗统计曲线以及读取消耗统计曲线均符合均满足正态分布规律。具体地，参考图4，图4是本发明基于库仑计的坏块检测方法第一实施例涉及的电能消耗统计曲线示意图。获得各个操作的消耗统计曲线可知有68.26％的消耗电能在1σ范围内，有95％的消耗电能在2σ范围内，有99％的消耗电能在3σ范围内。
75.本实施例，基于经验及非易失存储器的精度要求，基于2σ准则确定各个操作对应的所述预设范围，也即各个操作对应的
±
2σ作为符合要求的预设范围：将消耗电能在2σ范围内的block识别为好块，将消耗电能在2σ范围外的block识别为坏块。
76.本实施例中，需要分别判断各个操作中的各个电能。具体地，
77.判断擦除电能是否在所述擦除电能消耗统计曲线中的预设擦除电能范围内；和/或
78.判断写入电能是否在所述写入电能消耗统计曲线中的预设写入电能范围内；和/或
79.判断读取电能是否在所述读取电能消耗统计曲线中的预设读取电能范围内。
80.可以理解得地，在实际操作中，可以按预设顺序对各个操作消耗的电能与对应的消耗统计曲线进行对比，当确定一个操作消耗的电能不在预设范围内，则停止该block的对比操作；或者确实三个操作消耗的电能均在预设范围，则停止该block的对比操作。
81.步骤s103，将一个或多个操作所消耗的电能不在预设范围内的块标记为坏块。
82.当确定坏块后，则记录并存储坏块的地址信息，以供对该坏块执行对应的存储策略，所述存储策略包括映射预留区域中的好块、跳过坏块等。
83.进一步地，当确定坏块后，还可以将消耗的电能不在所述预设范围内的坏块所消耗的电能与基准消耗电能进行对比；本实施例中，所述基准消耗电能可以是消耗统计曲线对应的最高点对应的消耗电能。该基准消耗电能一般是对应操作的平均消耗电能。
84.基于所述基准消耗电能与所述消耗的电能的差值，确定对应坏块的损坏等级，以供基于所述损坏等级确定对应坏块的管理方式。可以理解的，该差值越大，表示偏差越大，也即坏块损坏的最为严重，反之，该差值越小，表示偏差越小，也即坏块损坏的最为轻微。如何消耗电能异常是由于内部漏电，很快就会过度到短路击穿的状态；如果是内部损坏接近于开路的状态，随着电子迁移的产生，很快就会发展为开路状态，这个区域的存储功能就会
完全失效；一般开路状态的区域，后果比较轻微，只是自身功能有损坏，不能再用于存储数据，但是不会波及其他区域；如果遇到短路，或者短路击穿的区域，不仅仅是存储功能的丧失，而且继续操作该区域，导致的大电流和大量的发热还会烧毁临近的区域，随着临近区域的烧毁，会进一步成链式反应的方法扩大损坏区域。因此，对于损坏状态不同的坏块需要进行分级管理。例如，对于损坏轻微的坏块，则对应的非易失存储器可以继续使用；对于损坏严重的坏块，则对应的非易失存储器则可能需要报废处理。
85.本实施例通过上述方案，在对非易失性存储器进行检测的过程中，通过所述库仑计芯片记录各个操作所消耗的电能；判断各个操作所消耗的电能是否都在预设范围内；将一个或多个操作所消耗的电能不在预设范围内的块标记为坏块。由此，通过库仑计芯片记录各个操作所消耗的电能，将电能异常的坏块标记为坏块，可以及早准确发现非易失性存储器的坏块，避开对风险区域的操作，可以极大提高非易失性存储器的使用寿命。
86.进一步地，为实现上述目的，本发明还提供一种基于库仑计的坏块检测装置，具体地，参见5，图5是本发明基于库仑计的坏块检测装置第一实施例的功能模块示意图，所述装置包括：
87.记录模块10，用于在对非易失性存储器进行检测的过程中，通过所述库仑计芯片记录各个操作所消耗的电能；
88.判断模块20，用于判断各个操作所消耗的电能是否都在预设范围内；
89.标记模块30，用于将一个或多个操作所消耗的电能不在预设范围内的块标记为坏块
90.进一步地，所述记录模块包括：
91.第一记录单元，用于在擦除操作中，通过所述库仑计芯片记录非易失性存储器上各个块消耗的擦除电能；
92.第二记录单元，用于在写入操作中，通过所述库仑计芯片记录非易失性存储器上各个块消耗的写入电能；
93.第三记录单元，用于在读取操作中，通过所述库仑计芯片记录非易失性存储器上各个块消耗的读取电能。
94.进一步地，所述记录模块还包括：
95.验证单元，用于基于验证实验确定各个操作的电能消耗统计曲线，其中所述各个操作的电能消耗统计曲线均满足正态分布规律。
96.进一步地，所述验证单元包括：
97.检测子单元，用于对大量标准非易失性存储器进行检测，通过所述库仑计芯片记录各个操作所消耗的测试电能；
98.统计子单元，用于分别统计各个操作所消耗的测试电能，获得擦除电能消耗统计曲线、写入电能消耗统计曲线以及读取电能消耗统计曲线。
99.进一步地，所述判断模块包括：
100.基于2σ准则确定各个操作对应的所述预设范围。
101.进一步地，所述判断模块包括：
102.第一判断单元，用于判断擦除电能是否在所述擦除电能消耗统计曲线中的预设擦除电能范围内；和/或
103.第二判断单元，用于判断写入电能是否在所述写入电能消耗统计曲线中的预设写入电能范围内；和/或
104.第三判断单元，用于判断读取电能是否在所述读取电能消耗统计曲线中的预设读取电能范围内。
105.进一步地，所述标记模块包括：
106.对比单元，用于将消耗的电能不在所述预设范围内的坏块所消耗的电能与基准消耗电能进行对比；
107.确定单元，用于基于所述基准消耗电能与所述消耗的电能的差值，确定对应坏块的损坏等级，以供基于所述损坏等级确定对应坏块的管理方式。
108.此外，本发明还提出一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质上存储有基于库仑计的坏块检测程序，所述基于库仑计的坏块检测程序被处理器运行时实现如上所述的基于库仑计的坏块检测方法的步骤，在此不再赘述。
109.相比现有技术，本发明公开了一种基于库仑计的坏块检测方法、装置、设备及存储介质，该方法包括：在对非易失性存储器进行检测的过程中，通过所述库仑计芯片记录各个操作所消耗的电能；判断各个操作所消耗的电能是否都在预设范围内；将一个或多个操作所消耗的电能不在预设范围内的块标记为坏块。由此，通过库仑计芯片记录各个操作所消耗的电能，将电能异常的坏块标记为坏块，可以及早准确发现非易失性存储器的坏块，避开对风险区域的操作，可以极大提高非易失性存储器的使用寿命。
110.以上所述仅为本发明的优选实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或流程变换，或直接或间接运用在其它相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。

技术特征：

1.一种基于库仑计的坏块检测方法，其特征在于，所述方法应用于非易失存储器的坏块检测设备，所述非易失存储器的引脚上连接有库仑计芯片，所述方法包括：在对非易失性存储器进行检测的过程中，通过所述库仑计芯片记录各个操作所消耗的电能；判断各个操作所消耗的电能是否都在预设范围内；将一个或多个操作所消耗的电能不在预设范围内的块标记为坏块。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在对非易失性存储器进行检测的过程中，通过所述库仑计芯片记录各个操作所消耗的电能的步骤包括：在擦除操作中，通过所述库仑计芯片记录非易失性存储器上各个块消耗的擦除电能；在写入操作中，通过所述库仑计芯片记录非易失性存储器上各个块消耗的写入电能；在读取操作中，通过所述库仑计芯片记录非易失性存储器上各个块消耗的读取电能。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述判断各个操作所消耗的电能是否都在预设范围内的步骤之前还包括：基于验证实验确定各个操作的电能消耗统计曲线，其中所述各个操作的电能消耗统计曲线均满足正态分布规律。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述基于验证实验确定各个操作的电能消耗统计曲线的步骤包括：对大量标准非易失性存储器进行检测，通过所述库仑计芯片记录各个操作所消耗的测试电能；分别统计各个操作所消耗的测试电能，获得擦除电能消耗统计曲线、写入电能消耗统计曲线以及读取电能消耗统计曲线。5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述判断各个操作所消耗的电能是否都在预设范围内的步骤之前还包括：基于2σ准则确定各个操作对应的所述预设范围。6.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述判断各个操作所消耗的电能是否都在预设范围内的步骤包括：判断擦除电能是否在所述擦除电能消耗统计曲线中的预设擦除电能范围内；和/或判断写入电能是否在所述写入电能消耗统计曲线中的预设写入电能范围内；和/或判断读取电能是否在所述读取电能消耗统计曲线中的预设读取电能范围内。7.根据权利要求1-6中任一项所述的方法，其特征在于，所述将一个或多个操作所消耗的电能不在预设范围内的块标记为坏块的步骤之后还包括：将消耗的电能不在所述预设范围内的坏块所消耗的电能与基准消耗电能进行对比；基于所述基准消耗电能与所述消耗的电能的差值，确定对应坏块的损坏等级，以供基于所述损坏等级确定对应坏块的管理方式。8.一种基于库仑计的坏块检测装置，其特征在于，包括：记录模块，用于在对非易失性存储器进行检测的过程中，通过所述库仑计芯片记录各个操作所消耗的电能；判断模块，用于判断各个操作所消耗的电能是否都在预设范围内；标记模块，用于将一个或多个操作所消耗的电能不在预设范围内的块标记为坏块。
9.一种基于库仑计的坏块检测设备，其特征在于，包括存储器、处理器以及存储在所述存储器上的基于库仑计的坏块检测程序，所述基于库仑计的坏块检测程序被所述处理器运行时实现如权利要求1-7中任一项所述的方法的步骤。10.一种计算机可读存储介质，其特征在于，所述计算机可读存储介质上存储有基于库仑计的坏块检测程序，所述基于库仑计的坏块检测程序被处理器运行时实现如权利要求1-7中任一项所述的方法的步骤。

技术总结

本发明公开了一种基于库仑计的坏块检测方法、设备及存储介质，该方法包括：在对非易失性存储器进行检测的过程中，通过所述库仑计芯片记录各个操作所消耗的电能；判断各个操作所消耗的电能是否都在预设范围内；将一个或多个操作所消耗的电能不在预设范围内的块标记为坏块。由此，通过库仑计芯片记录各个操作所消耗的电能，将电能异常的坏块标记为坏块，可以及早准确发现非易失性存储器的坏块，避开对风险区域的操作，可以极大提高非易失性存储器的使用寿命。使用寿命。使用寿命。