半导体、微电子专业英语单词汇总
79. flatband capacitanse：平带电容
80. flatband voltage：平带电压
81. flow coefficicent：流动系数
82. flow velocity：流速计
83. flow volume：流量计
84. flux：单位时间内流过给定面积的颗粒数
85. forbidden energy gap：禁带
86. four-point probe：四点探针台
毛发湿度计87. functional area：功能区
88. gate oxide：栅氧
真空过滤装置89. glass transition temperature：玻璃态转换温度
90. gowning：净化服
91. gray area：灰区
92. grazing incidence interferometer：切线入射干涉仪
93. hard bake：后烘
94. heteroepitaxy：单晶长在不同材料的衬底上的外延方法
95. high-current implanter：束电流大于3ma的注入方式，用于批量生产 96. hign-efficiency particulate air(HEPA) filter：高效率空气颗粒过滤器，去掉99.97%的大于0.3um的颗粒
97. host：主机
草莓托
98. hot carriers：热载流子
99. hydrophilic：亲水性
100. hydrophobic：疏水性
101. impurity：杂质
102. inductive coupled plasma(ICP)：感应等离子体
103. inert gas：惰性气体
104. initial oxide：一氧
105. insulator：绝缘
106. isolated line：隔离线
107. implant : 注入
大鼠解剖
108. impurity n : 掺杂
109. junction : 结
110. junction spiking n :铝穿刺
111. kerf :划片槽
112. landing pad n AD
113. lithography n 制版
114. maintainability, equipment : 设备产能 115. maintenance n :保养
116. majority carrier n :多数载流子
117. masks, device series of n : 一成套光刻版
118. material n :原料
119. matrix n 1 :矩阵
120. mean n : 平均值
121. measured leak rate n :测得漏率
122. median n :中间值
123. memory n : 记忆体
124. metal n :金属
125. nanometer (nm) n ：纳米
126. nanosecond (ns) n ：纳秒
127. nitride etch n ：氮化物刻蚀
128. nitrogen (N2 ) n： 氮气，一种双原子气体
129. n-type adj ：n型
130. ohms per square n：欧姆每平方: 方块电阻
131. orientation n： 晶向，一组晶列所指的方向
132. overlap n ： 交迭区
133. oxidation n ：氧化，高温下氧气或水蒸气与硅进行的化学反应
134. phosphorus (P) n ：磷 ，一种有毒的非金属元素
135. photomask n ：光刻版，用于光刻的版
136. photomask, negative n：反刻
蓄电池隔板137. images：去掉图形区域的版
138. photomask, positive n：正刻
139. pilot n ：先行批，用以验证该工艺是否符合规格的片子
140. plasma n ：等离子体，用于去胶、刻蚀或淀积的电离气体
141. plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) n： 等离子体化学气相淀积，低温条件下的等离子淀积工艺
142. plasma-enhanced TEOS oxide deposition n：TEOS淀积，淀积TEOS的一种工艺
143. pn junction n：pn结
144. pocked bead n：麻点，在20X下观察到的吸附在低压表面的水珠 145. polarization n：偏振，描述电磁波下电场矢量方向的术语
146. polycide n：多晶硅 /金属硅化物， 解决高阻的复合栅结构
147. polycrystalline silicon (poly) n：多晶硅，高浓度掺杂(> 5E19)的硅，能导电。
148. polymorphism n：多态现象，多晶形成一种化合物以至少两种不同的形态结晶的现象
149. prober n :探针。在集成电路的电流测试中使用的一种设备，用以连接圆片和检测设备。
150. process control n :过程控制。半导体制造过程中，对设备或产品规范的控制能力。
151. proximity X-ray n :近X射线：一种光刻技术，用X射线照射置于光刻胶上方的掩 膜版，从而使对应的光刻胶暴光。
152. pure water n : 纯水。半导体生产中所用之水。
153. quantum device n :量子设备。一种电子设备结构，其特性源于电子的波动性。
154. quartz carrier n :石英舟。
155. random access memory (RAM) n :随机存储器。
156. random logic device n :随机逻辑器件。
157. rapid thermal processing (RTP) n :快速热处理(RTP)。
158. reactive ion etch (RIE) n : 反应离子刻蚀(RIE)。
文件传输
159. reactor n :反应腔。反应进行的密封隔离腔。
160. recipe n :菜单。生产过程中对圆片所做的每一步处理规范。
161. resist n :光刻胶。
162. scanning electron microscope (SEM) n :电子显微镜(SEM)。
163. scheduled downtime n : (设备)预定停工时间。
164. Schottky barrier diodes n :肖特基二极管。
165. scribe line n :划片槽。
166. sacrificial etchback n :牺牲腐蚀。
167. semiconductor n :半导体。电导性介于导体和绝缘体之间的元素。
168. sheet resistance (Rs) (or per square) n :薄层电阻。一般用以衡量半导体表面杂质掺杂水平。
169. side load: 边缘载荷，被弯曲后产生的应力。
170. silicon on sapphire(SOS)epitaxial wafer:外延是蓝宝石衬底硅的原片
171. small scale integration(SSI):小规模综合，在单一模块上由2到10个图案的布局。
172. source code:原代码，机器代码编译者使用的，输入到程序设计语言里或编码器的代码。
173. spectral line: 光谱线，光谱镊制机或分光计在焦平面上捕捉到的狭长状的图形。
174. spin webbing: 旋转带，在旋转过程中在下表面形成的细丝状的剩余物。
175. sputter etch: 溅射刻蚀，从离子轰击产生的表面除去薄膜。
176. stacking fault:堆垛层错，原子普通堆积规律的背离产生的2次空间错误。
177. steam bath:蒸汽浴，一个大气压下，流动蒸汽或其他温度热源的暴光。
178. step response time:瞬态特性时间，大多数流量控制器实验中，普通变化时段到气流刚 到达特定地带的那个时刻之间的时间。
179. stepper: 步进光刻机(按BLOCK来曝光)
180. stress test: 应力测试，包括特定的电压、温度、湿度条件。
181. surface profile:表面轮廓，指与原片表面垂直的平面的轮廓(没有特指的情况下)。
182. symptom:征兆，人员感觉到在一定条件下产生变化的弊病的主观认识。
183. tack weld:间断焊，通常在角落上寻预先有的地点进行的点焊(用于连接盖子)。
184. Taylor tray:泰勒盘，褐拈土组成的高膨胀物质。
185. temperature cycling:温度周期变化，测量出的重复出现相类似的高低温循环。
186. testability:易测性，对于一个已给电路来说，哪些测试是适用它的。
187. thermal deposition:热沉积，在超过950度的高温下，硅片引入化学掺杂物的过程。
188. thin film:超薄薄膜，堆积在原片表面的用于传导或绝缘的一层特殊薄膜。
189. titanium(Ti): 钛。
190. toluene(C6H5CH3): 甲苯。有毒、无易燃的液体，它不溶于水但溶于酒精和大气。
191. 1,1,1-trichloroethane(TCA)(CL3CCH3): 有毒、不易燃、有刺激性气味的液态溶剂。这种混合物不溶于水但溶于酒精和大气。
192. tungsten(W): 钨。
193. tungsten hexafluoride(WF6): 氟化钨。无无味的气体或者是淡黄液体。在CVD中WF6用于淀积硅化物，也可用于钨传导的薄膜。
194. tinning: 金属性表面覆盖焊点的薄层。
195. total fixed charge density(Nth): 下列是硅表面不可动电荷密度的总和：氧化层固定电荷密度(Nf)、氧化层俘获的电荷的密度(Not)、界面负获得电荷密度(Nit)。
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