五、数据处理
1.研究LN单轴晶体的干涉：
（1）单轴锥光干涉图样：
调节好实验设备，当LN晶体不加横向电压时，可以观察到如图现象，这是典型的汇聚偏振光穿过单轴晶体后形成的干涉图样。 （2）晶体双轴干涉图样：
打开晶体驱动电压，将状态开关打在直流状态，顺时针旋转电压调整旋钮，调整驱动电压，将会观察到图案由一个中心分裂为两个，这是典型的汇聚偏振光穿过双轴晶体后形成的干涉图样，它说明单轴晶体在电场的作用下变成了双轴晶体
比重瓶法
2.动态法观察调制器性能：
（1）实验现象：
当V2=486V时，信号波形失真最小，振幅最大（线性调制）：
当V3=832V时，出现第二次倍频失真：
（2）调制法测定LN晶体的半波电压：
晶体基本物理量
第一次倍频失真对应的电压V1=143V，第二次倍频失真对应的电压V3=832V。故。
由得：
（1）原始数据：
电压 V/V | 功率 P/mV | 电压 V/V | 功率 P/mV |
0 | 0.316 | 550 | 0.507 |
50 | 0.3 | 600 | 0.551 |
100 | 0.296 | 650 | 0.583 |
150 | 0.296 | 700 | 0.605 |
和机器人做到哭机器打桩机200 | 0.303 | 750 | 0.626 |
250 | 0.316 | 800 | 0.636 |
300 | 0.335 | 850 | 0.644 |
350 | 0.366 | 900 | 0.642 |
400 | 0.406 | 950 | 0.637 |
450 | 0.444 | 1000 | 0.627 |
500 | 0.474 | | |
| | | |
依据数据作出电光调制器P-V工作曲线：
（2）极值法测定LN晶体的半波电压：
从图中可以看到，V在100~150V时取最小值，在800~850V时取最大值。分别在这两个区
域内每隔5V测量一次，原始数据如下：
电压 V/V | 功率 P/mV | 电压 V/V | 功率 P/mV |
100 | 0.301双向节流阀 | 800 | 0.652 |
105 | 0.298 | 805 | 0.657 |
110 | 0.297 | 810 | 0.651 |
115 | 0.299 | aveee815 | 0.65 |
120 | 0.301 | 820 | 0.65 |
125 | 0.303 | 825 | 0.649 |
130 | 0.302 | 830 | 0.645 |
135 | 0.303 | 835 | 0.643 |
140 | 0.303 | 840 | 0.643 |
145 插板闸门 | 0.302 | 845 | 0.643 |
150 | 0.303 | 850 | 0.642 |
| | | |
比较数据可以得出，极小值大致出现在，极大值大致出现在，由此可得
由得：
4.测量值与理论值比较：
晶体基本物理量：
| | | | |
5mm | led背光板30mm | 632.8nm | | 2.286 |
| | | | |
算出理论值。与理论值相比，调制法测量结果相对误差约6.1%，极值法测量结果误差约7.1%，实验值与理论值符合较好。其中，动态法比极值法更精确。
5.讨论实验中观察到的输出波形和畸变产生的原因：
根据理论计算，当V=0时，T应当为极小值（T=0），然而从实验测量出的T-V图中可以发现，当V=0时，T不为零，且极小值也不出现在V=0处，对此我们可以归纳出以下几种可能原因：
（1）由于在调试前后两个偏振片过程中，难以保证其起偏方向完全垂直，这就导致了极小值点偏离V=0点。
（2）由于工艺上的原因，前后两个偏振片即使在完全垂直的情况下，也不可能完全消光，总会有光线透过，因此，极小值点之值大于零。
输出波形畸变产生的原因：
根据数学推导可得，光强透过率：
（1）当时，工作点落在线性工作区的中部，将代入得：
这时，调制器输出的波形和调制信号的频率相同，即线性调制。
（2）当或，时，同理可得，这时输出光的频率是调制信号的两倍，即产生“倍频”失真。
六、选作实验：
测量1/4波片的：
转过角度 | 输出波形特点 |
86° | 线性调制 |
175° | 倍频失真 |
264° | 线性调制 |
355° | 倍频失真 |
| |
在实验中，去掉晶体上所加的直流偏压，把1/4波片置入晶体和偏振片之间，绕光轴缓慢旋转时，可以看到输出信号随着发生变化，其现象与改变直流偏压效果相同：
根据数学推导，光强透过率为：
与前面的公式类比，可发现式中的即相当于原先公式中的“”。在从倍频失真到线性调制的过程中，由于1/4波片旋转了90°，透射光相位改变了（o光转化为e光或相反），而相应的“”改变了/2，故有：
即1/4波片的。
七、实验后思考题：
1.铌酸锂在施加电场前后有什么不同？是否都存在双折射现象？
答：铌酸锂在未施加电场时是单轴晶体，不存在双折射，施加电场后铌酸锂为双轴晶体，存在双折射。
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