浅析晶元测试中高温对测试探针卡机械性能的影响及处理棒球棍材料
作者：闻晓静来源：《卷宗》2019年第20手啤机期 q110摘侧安全气囊 要：随着半导体测试技术的不断发展，高温晶元测试已经逐渐成为主流，并且测试温度逐年升高。在不断改良硬件设施的性能外，如何通过持续改进工艺制程和参数来更好的保证高温晶元测试的稳定性和安全性尤为重要。本来通过对高温情况下晶元探针测试的常规表现及影响的分析，提出相应的解决办法。
关键词：热膨胀；接触深度；初始设计；工艺控制；预烤针；动态烤针
带外衰减
1 引言
晶元测试作为芯片制造过程中的一步测试环节，发生在芯片切割封装之前。这一生产环节的目的在于可以在封装工序之前将次品筛除，以节约可能发生的封装工序原材料成本、生产成本以及最终测试工序的测试成本。探针卡作为晶元测试中必不可少的硬件，起到了至关重要的作用。
伴随科技的进步，客户需求对晶元测试提出了更高的要求。尤其是汽车电子相关的芯片，由于需要工作在高低温复杂的环境温度中，相关的温度测试尤其重要。近年来，业内高低温测试逐渐由封装后成品测试向晶元测试转移，使得晶元测试工艺面临更大的挑战。本文简要介绍高温对测试探针卡机械性能方面的影响以及应对措施。
2 晶元及探针卡受测试温度影响分析
在晶元测试过程中探针卡的探针需要与晶元芯片表面PAD抗震支架重量良好接触以建立起测试机到芯片的电流通路。接触的深度需要被控制在微米级，按照晶元层结构设计不同，通常在0.5微米到1.5微米之间较适宜。过浅会造成接触不良导致测试结果不稳定，过深则会有潜在的破坏底层电路的风险。而最直接影响接触深度的物理量就是OD（Over-Drive）。与室温测试相比，由于整套测试硬件在高温环境下会发生热膨胀，且在测试过程中会表现出与热源距离相关的持续波动性，要保证高温测试的稳定安全，需要一套特殊的工艺流程来维持OD的相对稳定性。
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