宽禁带半导体器件对比

刘海涛　陈启秀

摘要　阐述了宽禁带半导体的主要特性与SiC、金刚石等主要宽禁带半导体功率器件的最新发展动态及其存在的主要问题，并对其未来的发展作出展望。

关键词　宽禁带半导体　功率器件　碳化硅　金刚石

Wide Bandgap Semiconductor Power Devices

Liu Haitao,Chen Qixiu

(Institute of Power Devices,Zhejiang University,Hangzhou 310027)

Abstract　The paper presents the main characteristics of wide bandgap semiconductors,and elaborates the latest development of SiC and diamond power devices.At the same time,the future development of SiC and diamond power devices is forcasted.

Keywords　Wide bandgap semiconductor　Power devices　SiC　Diamond

1　引　言

由于Si功率器件已日趋其发展的极限，尤其在高频、高温及高功率领域更显示出其局限性，因此开发研制宽带半导体器件已越来越被人们所关注。所谓宽带半导体（WBG)主要是指禁带宽度大于2.2电子伏特的半导体材料，包括Ⅱ—O、Ⅱ—S、Ⅱ—Se、Ⅲ—N、SiC、金刚石以及其他一些化合物半导体材料。这些材料一般均具有较宽的禁带、高的击穿电场、高的热导率、高的电子饱和速率，因此他们比Si及GaAs更适合于制作高温、高频及高功率器件。其中Johnson优值指数（JFOM＝Ec.vs/2π，Ec为临界电场；vs为电子饱和速率）、Keyes优值指数（KFOM＝λ［C.vs/4πε］1/2，其中C为光速；ε为介电常数）和Baliga优值指数（BFOM＝εμEG3,其中EG为禁带宽度，μ为迁移率）分别从功率频率能力、耐热能力及导通功率损耗三方面说明了这一科学事实［1］。表1［2］列出了常见宽带半导体与Si,GaAs的比较。

　表1　宽禁带半导体材料的基本特性

材料特性	Si	GaAs	βSiC	4H-SiC	GaN	AlN	金刚石
禁带宽度／eV	1.1	1.43	2.2	3.26	3.45	6.2	5.45
电子饱和速率/×107cm.s-1	1.0	1.0	2.2	2.0	2.2	滑水鞋	2.7
迁移率／cm2.V－1.s－1 电子空穴	1500 600	8500 400	1000 50	1140 50	高见光1250 850		2200 1600
击穿电场／×105V.cm－1	3	6	20	30	>10		100
介电常数	11.8	12.5	9.7	9.6～10	9	8.5	5.5
电阻率／Ω.cm	1000	108	150	>1012	>1010	>1013	>1013
热导率／W.cm－1.K－1	1.5	0.46	4.9	4.9	1.3	3.0	22
Johnson优值指数／×1023W氟苯尼考琥珀酸钠－1.Ω－1.s－2	9.0	62.5超导量子比特芯片	2533	4410	15670		73856
Keyes优值指数／×102W.℃.cm－1.s－1	13.8	6.3	90.3	229	118		444
Baliga优值指数（相对于Si而言）	220	394	650	815	1060	3000	2727

浮游生物计数框

气动真空阀由表1可知宽禁带半导体具有许多优点：1)WBG具有很高的热导率(尤其是SiC与金刚石),使得它们能够迅速转移所产生的热量，广泛用于高温及高功率领域；2)由于WBG的禁带宽度很大，因此相应器件的漏电流极小，一般比Si半导体器件低10～14个数量级，有利于制作CCD器件及高速存储器；3)WBG具有比普通半导体更低的介电常数及更高的电子饱和速率，使之比Si，GaAs更适合于制作毫米波放大器及微波放大器。除此之外，WBG还具有负的电子亲和势及很高的异质结偏置电势，使得它们特别适合于阴极发射的平板显示器。

鉴于近几年SiC与金刚石材料的生长技术及氧化、掺杂、欧姆接触等工艺的成熟，使得SiC与金刚石器件得到了突飞猛进的发展，下面我们将主要评述SiC及金刚石的最新发展。

2　SiC功率器件

近年来SiC功率器件的研究引起了世界科学界的高度重视,尤其是美国、欧洲等发达国家为此投入了大量的资金；同时也涌现出一批新型的SiC功率器件，主要包括LED发光器件、pn结及肖特基整流器件、FET、双极晶体管及晶闸管。

2.1　SiC二极管整流器件

1987年Shiahara等人通过CVD技术研制出第一只6H-SiC二极管,当时的击穿电压在600伏左右。最近L.G.Matus等人又研制出耐压为1000V［6］的高压pn结二极管,他通过CVD技术在6H-SiC衬底上淀积p型、n型6H-SiC而制成这种高耐压的台势二极管。使用的工艺主要有：反应离子刻蚀(RIE)、氧化、欧姆接触。该器件的工作温度可达600℃以上，反向漏电流仅为0.4μA(室温），600℃时为5μA。目前SiC p-i-n二极管的反向恢复时间可达100ns以下，仅为Si p-i-n二极管的1/3左右。但由于SiC pn结的自建电势差较大，为了解决这一问题，人们采用肖特基结来代替pn结,从而大大降低导通压降。一种耐压400V的SiC肖特基整流器［3］在电流密度为100A/cm2时压降仅为1.1V，远低于相应的pn结二极管，而且肖特基整流器具有极短的反向恢复时间，约为10ns,而Si p-i-n二极管的反向恢复时间约为250ns。此外，通过步进控制外延生长技术已成功研制出耐压为1100V以上的6H肖特基整流器［4］。该器件的开态电阻比Si整流器低一个数量级，与温度的关系为Ron-T2.0,而在Si整流器中为Ron-T2.4。

如果不采用结终端技术，SiC整流器的耐压一般只能达到理论值的50％～80％左右。因此为了进一步提高耐压值，采用结终端技术是很有必要的。目前一般采取在肖特基边缘自对准注入Ar形成非晶层或在结边缘处注入B+离子形成高阻层，然后进行热处理，这样可使器件的耐压超过1750V。

2.2　SiC FET器件

由于SiC材料具有极高的击穿电场，故在具有相同耐压的情况下，漂移区电阻可减小两个数量级（相对于Si而言)。表2列出了各种击穿电压下Ron比值及漂移区长度比值，由表2可知，当电压超过200V时，SiC MOSFET的导通电阻Ron要比Si MOSFET低两个数量级。因此从理论上讲耐压5000V、导通电阻为0.1Ω.cm2的DMOS功率器件是可以实现的。但是我们必须注意到目前影响SiC器件耐压的关键因素还是栅氧化、掺杂及欧姆接触等工艺的完善及成熟。

表2　Si与SiC材料制作的MOSFET(不同电压下)Ron比值及漂移区长度比值

本文发布于:2024-09-20 22:20:37，感谢您对本站的认可！

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