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用于存储器装置的分布跟随存取操作的制作方法

用于存储器装置的分布跟随存取操作
1.交叉参考
2.本专利申请案主张由斯福尔津(sforzin)等人于2019年8月19日申请的标题为“用于存储器装置的分布跟随存取操作(distribution-following access operations for a memory device)”的第16/544,730号美国专利申请案的优先权，所述美国专利申请案转让给其受让人且其全文以引用的方式并入本文中。

背景技术：

3.下文大体上涉及存储器装置，且更明确来说，涉及用于存储器装置的分布跟随存取操作。
4.存储器装置广泛用于存储各种电子装置(例如计算机、无线通信装置、相机、数字显示器及类似者)中的信息。信息通过编程存储器装置的不同状态而予以存储。例如，二进制装置最常存储通常由逻辑1或逻辑0表示的两个状态中的一者。在其它装置中，可存储多于两个状态。为存取所述经存储信息，装置的组件可读取或感测存储器装置中的至少一个经存储状态。为存储信息，装置的组件可在存储器装置中写入或编程状态。
5.存在各种类型的存储器装置，包含磁性硬盘、随机存取存储器(ram)、只读存储器(rom)、静态ram(sram)、动态ram(dram)、同步动态ram(sdram)、铁电ram(feram)、磁性ram(mram)、电阻性ram(rram)、快闪存储器、相变存储器(pcm)、自选择存储器及其它。存储器装置可为易失性或非易失性的。非易失性存储器单元即使在不存在外部电源的情况下也可维持其存储的逻辑状态达延长时间段。易失性存储器单元可随时间丢失其存储的状态，除非其由外部电源周期性刷新。
6.改进存储器装置可包含增加存储器单元密度、增加读取/写入速度、增加可靠性、增加数据保持、降低电力消耗或降低制造成本及其它度量。在一些应用中，存储器单元的材料特性或响应行为可随时间改变，此可影响存储器装置的性能。
附图说明
7.图1说明根据如本文中所公开的实例的支持分布跟随存取操作的存储器装置的实例。
8.图2说明根据如本文中所公开的实例的在支持分布跟随存取操作的存储器装置中的阈值电压分布的标绘图。
9.图3说明根据如本文中所公开的实例的用于存储可支持分布跟随存取操作的逻辑状态的一组存储器单元的阈值电压分布的标绘图。
10.图4说明根据如本文中所公开的实例的可支持用于存储器装置的分布跟随存取操作的加偏压操作的激活事件的实例。
11.图5说明根据如本文中所公开的实例的可支持用于存储器装置的分布跟随存取操作的加偏压操作的激活事件的实例。
12.图6说明根据如本文中所公开的实例的可支持用于存储器装置的分布跟随存取操
作的方法论的示意图。
13.图7展示根据本公开的方面的支持用于存储器装置的分布跟随存取操作的存储器装置的框图。
14.图8展示根据本公开的方面的支持用于存储器装置的分布跟随存取操作的存储器装置的框图。
15.图9及10展示说明根据如本文中所公开的实例的支持用于存储器装置的分布跟随存取操作的一方法或若干方法的流程图。
具体实施方式
16.在一些存储器装置中，存储器单元架构可将逻辑状态存储于例如硫属化物的可配置材料中(例如，在所述材料的物理特性或性质中)。例如，可基于写入操作的方面配置材料的不同材料特性或性质，且可在读取操作期间检测所述材料特性或性质的差异以区分是用一个逻辑状态还是用另一逻辑状态(例如，逻辑0或逻辑1)来写入存储器单元。在一些实例中，由可配置材料存储的逻辑状态可至少部分基于在写入操作期间跨所述可配置材料的电压的极性。在一些实例中，由可配置材料存储的逻辑状态可至少部分基于在写入操作期间通过可配置材料施加的电流的方向，或在写入操作期间跨所述可配置材料的电压的极性与通过可配置材料施加的电流的方向的组合。
17.在一些实例中，用于编程的极性可伴随有可配置材料的特定行为或特性(例如所述材料的阈值电压)，所述特定行为或特性可用于检测由存储器单元存储的逻辑状态(例如，在读取操作中)。例如，写入操作的一个极性可与可配置材料的相对较高阈值电压相关联(例如，针对特定读取操作、针对特定读取电压)，而写入操作的另一极性可与可配置材料的相对较低阈值电压相关联(例如，针对所述特定读取操作、针对所述特定读取电压)。在此类实例中，响应于跨材料施加的读取电压存在或不存在通过材料的电流可用于确定(例如，区分)是用一个极性还是用另一极性写入存储器单元，借此提供写入到存储器单元的逻辑状态的指示。
18.在一些存储器应用中，可配置材料的材料特性、材料性质或响应行为可随时间改变或迁移(例如，归因于老化、磨损、降级、组合物变化或迁移、操作条件(例如温度)的变化或其它变化)。例如，随着可配置材料积累存取操作(例如，写入操作、读取操作、循环)，所述可配置材料对给定写入操作的响应可改变。在一个实例中，随着可配置材料积累存取操作，编程的阈值电压可响应于给定写入操作(例如，根据特定脉冲振幅及特定脉冲持续时间的写入操作)而迁移(例如，增加或减小)。此外或替代性地，当可配置材料的温度改变时，响应于给定写入操作的编程的阈值电压可迁移。此外，阈值电压可针对一组存储器单元中的每一存储器单元不同地迁移，此可伴随有(例如，对应于特定逻辑状态的)所述一组存储器单元的平均阈值电压的各种变化、(例如，对应于所述特定逻辑状态的)所述一组存储器单元的阈值电压的标准偏差或其它分布的各种变化，或阈值电压分布(例如，统计分布)的各种其它特性或特性组合。阈值电压的此类迁移可减少依靠固定读取电压以区分一个逻辑状态与另一逻辑状态的架构中的读取裕度(例如，在用于逻辑状态的阈值电压朝向固定读取电压迁移时)。
19.根据本公开的方面，可在操作存储器装置的过程中调整存取操作(例如读取操作)
以补偿用于存储逻辑状态的可配置材料的老化、磨损、降级、温度变化或其它变化或迁移。例如，为补偿一组存储器单元中的阈值电压分布的变化，存储器装置可检测此分布的方面，且至少部分基于此检测确定存取操作(例如，读取操作)的参数。所述检测可基于加偏压操作(例如对一组存储器单元斜坡式或步进式施加电压)，所述加偏压操作可为或可非所述存取操作自身的部分。
20.在一些实例中，分布检测可基于或以其它方式包含：检测加偏压操作期间的特定存储器单元的激活；检测激活事件(例如，阈值化事件、切换事件)的特定计数或指数；或检测已激活特定数量个存储器单元，且针对存取操作确定的参数可基于与所述检测相关联的所述加偏压操作的条件。针对存取操作确定的参数可包含电压(例如，电压量值、电压偏移、参考电压、峰值电压、最终电压)、时间(例如，持续时间、时间偏移、参考时间、最终时间)，或加偏压操作或存取操作的其它方面。因此，所描述技术的各个实例可用于补偿用于将信息存储于存储器装置中的可配置材料的材料特性或响应行为的各种变化，此可改进存储器装置的性能。
21.最初参考图1在存储器系统及电路系统的上下文中描述本公开的特征。进一步参考图2到6在电压阈值分布及分布跟随存取操作的上下文中描述本公开的特征。进一步通过与如参考图7到10所描述的用于存储器装置的分布跟随存取操作有关的设备图及流程图说明且参考所述设备图及所述流程图描述本公开的这些及其它特征。
22.图1说明根据如本文中所公开的实例的支持分布跟随存取操作的存储器装置100的实例。存储器装置100还可被称为电子存储器设备。存储器装置100可包含可编程以存储不同逻辑状态的存储器单元105。在一些情况中，存储器单元105可为可编程的以存储可表示为逻辑0及逻辑1的两个逻辑状态。在一些情况中，存储器单元105可为可编程的以存储多于两个逻辑状态。在存储器装置100的实例中，可通过写入具有对应于不同逻辑状态的可配置材料特性或材料性质的存储器单元105来编程不同逻辑状态，其中可在后续读取操作期间检测此类材料特性或材料性质(例如，材料状态)以识别经存储逻辑状态。
23.一组存储器单元105可为存储器装置100的存储器区段110的部分(例如，包含存储器单元105的阵列)，其中在一些实例中，存储器区段110可是指存储器单元105的连续片块(tile)(例如，半导体芯片的一组连续元件)，或多于存储器单元105的一个连续片块的组或存储体。在一些实例中，存储器区段110或存储器片块可是指可在存取操作中加偏压的一组最小存储器单元105，或共享共同节点(例如，共同源极节点、共同源极板、加偏压到共同电压的一组源极线)的一组最小存储器单元105。尽管展示存储器装置100的单个存储器区段110，但根据本公开的存储器装置的各个实例可具有多个存储器区段110。在一个说明性实例中，存储器装置100或其子区段(例如，多核心存储器装置100的核心、多芯片存储器装置的芯片)可包含32个“存储体”且每一存储体可包含32个区段。因此，根据说明性实例，存储器装置100或其子区段可包含1,024个存储器区段110。
24.在存储器装置100的实例中，存储器单元105可包含可配置材料或以其它方式与可配置材料相关联，所述可配置材料可被称为存储器元件、存储器存储元件、材料元件、材料存储器元件、材料部分、极性写入材料部分及其它。可配置材料可具有表示(例如，对应于)不同逻辑状态的一或多个可变及可配置特性或性质(例如，材料状态)。例如，可配置材料可采用不同形式、不同原子配置、不同结晶度、不同原子分布或以其它方式维持不同特性。在
一些实例中，此类特性可与不同电阻、不同阈值电压或可在读取操作期间检测或区分以识别由可配置材料存储的逻辑状态的其它性质相关联。
25.在一些实例中，此材料的特性或性质可至少部分基于在写入操作期间跨材料的电压的极性(例如，电场的定向)配置。例如，取决于写入操作期间的电压的极性，可配置材料可与不同电阻或阈值特性相关联。在一个实例中，在写入操作之后具有负电压极性的可配置材料的状态可具有相对较低电阻或阈值电压(例如，对应于“设置(set)”材料状态，其可对应于逻辑0)，而在写入操作之后具有正电压极性的材料的状态可具有相对较高电阻或阈值电压(例如，对应于“复位(reset)”材料状态，其可对应于逻辑1)。在一些情况中，经写入存储器单元105的相对较高或较低电阻或阈值电压可与在读取操作期间施加的电压的极性相关联或以其它方式至少部分基于所述极性。例如，具有相对较高或较低电阻或阈值电压的存储器单元105的可配置材料可取决于对存储器单元105执行的读取操作是具有与先前写入操作相同的极性还是不同的极性(例如，相反极性)。
26.在一些情况中，存储器单元105的可配置材料可与阈值电压相关联，所述阈值电压可取决于写入操作的极性。例如，当跨存储器单元105施加大于阈值电压的电压时，电流可流动通过可配置材料，且在跨存储器单元105施加小于阈值电压的电压时，电流不会流动通过可配置材料或可依低于某一水平的速率(例如，根据泄漏速率)流动通过可配置材料。因此，取决于是用正极性还是负极性写入存储器单元105的可配置材料部分，施加到存储器单元105的电压可导致不同电流流动，或不同感知电阻，或电阻变化(例如，阈值化或切换事件)。因此，由施加读取电压到存储器单元105所引起的电流的量值或与电流相关联的其它特性(例如，阈值化行为、电阻崩溃行为、突返(snapback)行为)可用于确定由存储器单元105存储的逻辑状态。
27.在存储器装置100的实例中，存储器区段110的每一行存储器单元105可与一组第一存取线120(例如，字线(wl)，例如wl1到wlm中的一者)中的一者耦合，且每一列存储器单元105可与一组第二存取线130(例如，位线(bl)，例如bl1到bln中的一者)中的一者耦合。多个第一存取线120可与行组件125耦合，所述行组件125可控制各种操作，例如激活或加偏压于多个第一存取线120中的一或多者，或使多个第一存取线120中的一或多者与电压源、电流源或其它电路元件选择性地耦合。多个第二存取线130可与感测组件150耦合，所述感测组件150可支持由存储器单元105存储的逻辑状态的检测。在一些实例中，感测组件150可与列组件135通信，或可包含列组件135或以其它方式与列组件135共同定位，其中列组件135可控制各种操作，例如激活或加偏压于多个第二存取线130中的一或多者，或使多个第二存取线130中的一或多者与电压源、电流源或其它电路元件选择性地耦合。在一些情况中，第一存取线120及第二存取线130可在存储器装置100中基本上彼此垂直(例如，在观看存储器装置100的层面、层或层阶的平面时，如图1中所展示)。在不失理解或操作的情况下，对字线及位线或其类似物的参考可互换。
28.一般来说，一个存储器单元105可定位于第一存取线120与第二存取线130的相交点处(例如，与第一存取线120及第二存取线130耦合，耦合于第一存取线120与第二存取线130之间)。此相交点或此相交点的指示可被称为存储器单元105的地址。目标或选定存储器单元105可为定位于经加偏压或以其它方式选择的第一存取线120与经加偏压或以其它方式选择的第二存取线130的相交点处的存储器单元105。换句话说，第一存取线120及第二存
取线130可经加偏压或以其它方式选择以存取(例如，读取、写入、重写、刷新)其相交点处的存储器单元105。不在目标存储器单元105的相交点处的其它存储器单元105可被称为非目标或非选定存储器单元105。
29.在一些实例中，存储器区段110的存储器单元105还可与多个第三存取线140(例如，选择线(sl)，例如sl1到sln中的一者)中的一者耦合。多个第三存取线140可与选择组件145耦合，所述选择组件145可控制各种操作，例如激活或加偏压于多个第三存取线140中的一或多者，或将多个第三存取线140中的一或多者与电压源、电流源或其它电路元件选择性地耦合。在一些实例中，第三存取线140可与相关联于相应存储器单元105的单元选择组件(例如，晶体管、开关组件)耦合，其中此单元选择组件可经配置以将存储器单元105与相关联的第一存取线120、或相关联的第二存取线130选择性地耦合，或选择性地允许或抑制电流流动通过相应存储器单元105(例如，在第一存取线120与第二存取线130之间)。
30.尽管存储器装置100的多个第三存取线140经展示为与多个第二存取线130平行，但在其它实例中，多个第三存取线140可与多个第一存取线120平行，或呈任何其它配置。例如，在存储器装置100的实例中，第三存取线140中的每一者可对应于第二存取线130中的相应者。在另一实例中，第三存取线140中的每一者可对应于第一存取线120中的相应者。在另一实例中，单元选择操作(例如，加偏压于单元选择线、激活一或多个存储器单元105的单元选择组件)在经实施的情况下可由行组件125执行或以其它方式支持(例如，用于选择或激活一行或页的存储器单元105的单元选择组件)，且选择组件145可由用于加偏压于第三存取线140的源极驱动器替代或以其它方式执行与所述源极驱动器有关的操作，所述源极驱动器可对应于可个别控制的源极线、共同源极板或共同源极节点。
31.在其它实例中，可从存储器装置100省略第三存取线140及选择组件145，且存取存储器单元105可依靠存储器单元105的自选择性质。例如，行组件125及列组件135可支持完全解码操作，其中第一存取线120中的每一者与第二存取线130中的每一者可经个别地加偏压(例如，在交叉点配置中)。在此类实例中，存取存储器单元105可依靠目标存储器单元105的自选择特性，所述目标存储器单元105可基于与目标存储器单元105相关联的经激活第一存取线120与经激活第二存取线130之间的超过阈值电压的电压激活。在各个实例中，此自选择特性可由存储器单元105的逻辑存储可配置材料元件支持，或可由存储器单元105的不同于逻辑存储部分的材料部分(例如，与逻辑存储部分分离的双向阈值切换部分)支持。
32.在一些实例中，第一存取线120可提供对存储器单元105的可配置材料部分的一个区域(例如，一个侧、一个端)的存取，且第二存取线130可提供对存储器单元105的可配置材料部分的另一区域(例如，不同侧、相对侧、相对端)的存取。例如，第一存取线120可定位于存储器单元105上方(例如，相对于衬底)且第二存取线130可定位于存储器单元105下方(例如，相对于所述衬底)，或反之亦然。因此，第一存取线120及第二存取线130可支持跨存储器单元105的可配置材料部分施加具有不同极性的电压或电流(例如，在第一存取线120的电压高于第二存取线130的电压时，第一极性；在第一存取线120的电压低于第二存取线130的电压时，第二极性)。尽管参考图1所描述的存取线经展示为存储器单元105与经耦合组件之间的直接线，但存取线可包含可用于支持包含本文中所描述的存取操作的存取操作的其它电路元件，例如电容器、电阻器、晶体管、放大器、电压源、开关组件、选择组件及其它。
33.可通过激活或选择与存储器单元105耦合的第一存取线120、第二存取线130或第
三存取线140(例如，在存在的情况下)(此可包含对相应存取线施加电压、电荷或电流)来对存储器单元105执行存取操作(例如读取、写入、重写及刷新)。存取线120、130及140可由导电材料制成，例如金属(例如，铜(cu)、银(ag)、铝(al)、金(au)、钨(w)、钛(ti))、金属合金、碳、硅(例如，多晶硅或非晶硅)或其它导电或半导电材料、合金或化合物。在选择存储器单元105之后，所得信号(例如，单元存取信号、单元读取信号)可用于确定由存储器单元105存储的逻辑状态。例如，可由跨具有存储逻辑状态的可配置材料部分的存储器单元105施加读取电压或偏压来读取存储器单元105，且可检测、转换或放大经由存取线(例如，经由第二存取线130)的所得电流流动或无此电流流动或电流流动的其它特性以确定由存储器单元105存储的经编程逻辑状态。
34.可通过行组件125(例如，行解码器)、列组件135(例如，列解码器)或选择组件145(例如，在包含于存储器装置100中时，单元选择驱动器或源极驱动器)或其组合来控制存取存储器单元105。例如，行组件125可从存储器控制器170接收行地址且基于所述接收到的行地址选择、激活或加偏压于适当第一存取线120。类似地，列组件135可从存储器控制器170接收列地址，且选择、激活或加偏压于适当第二存取线130。因此，在一些实例中，可通过选择或激活第一存取线120及第二存取线130来存取存储器单元105。在各个实例中，行组件125、列组件135或选择组件145中的任一或多者可被称为或以其它方式包含存取线驱动器、存取线解码器、存取线多路复用器或其它电路系统。
35.在一些实例中，存储器控制器170可通过各种组件(例如，行组件125、列组件135、选择组件145、感测组件150)控制存储器单元105的操作(例如，读取操作、写入操作、重写操作、刷新操作)。在一些情况中，行组件125、列组件135、选择组件145或感测组件150中的一或多者可与存储器控制器170共同定位或以其它方式被视为与存储器控制器170包含在一起。在一些实例中，行组件125、列组件135或感测组件150中的一或多者可以其它方式共同定位(例如，在共同电路系统中、在存储器装置100的共同部分中)。在一些实例中，行组件125、列组件135或选择组件145中的任一或多者可被称为用于执行存储器装置100的存取操作的存储器控制器或电路系统。在一些实例中，行组件125、列组件135或选择组件145中的任一或多者可被描述为控制或执行用于存取存储器装置100的操作，或控制或执行用于存取存储器装置100的存储器区段110的操作。
36.存储器控制器170可产生行及列地址信号以激活目标第一存取线120及目标第二存取线130。存储器控制器170还可产生或控制在存储器装置100的操作期间使用的各种电压或电流。尽管展示单个存储器控制器170，但存储器装置100可具有多于一个存储器控制器170(例如，用于存储器装置100的一组存储器区段110中的每一者的存储器控制器170、用于存储器装置100的数个存储器区段110子集中的每一者的存储器控制器170、用于多芯片存储器装置100的一组芯片中的每一者的存储器控制器170、用于多存储体存储器装置100的一组存储体中的每一者的存储器控制器170、用于多核心存储器装置100的每一核心的存储器控制器170或其任何组合)，其中不同存储器控制器170可执行相同功能或不同功能。
37.尽管存储器装置100被说明为包含单个行组件125、单个列组件135及单个选择组件145，但存储器装置100的其它实例可包含用以适应存储器区段110或一组存储器区段110的不同配置。例如，在各种存储器装置100中，行组件125可在一组存储器区段110中共享(例如，具有为所述一组存储器区段110的所有者所共有的子组件、具有专用于所述一组存储器
区段110中的相应者的子组件)，或行组件125可专用于一组存储器区段110中的一个存储器区段110。同样地，在各种存储器装置100中，列组件135可在一组存储器区段110中共享(例如，具有为所述一组存储器区段110的所有者所共有的子组件、具有专用于所述一组存储器区段110中的相应者的子组件)，或列组件135可专用于一组存储器区段110中的一个存储器区段110。
38.可通过(例如，经由存储器控制器170)加偏压于相关联的第一存取线120、第二存取线130或第三存取线140的各种组合来设置、写入或刷新存储器单元105的可配置材料。换句话说，可将逻辑状态存储于存储器单元105的可配置材料中(例如，经由单元存取信号、经由单元写入信号)。行组件125、列组件135或选择组件145可(例如)经由输入/输出组件160接受待写入到存储器单元105的数据。在一些实例中，可至少部分由感测组件150执行写入操作，或写入操作可经配置以绕开感测组件150(例如，由列组件135执行)。可用至少部分基于跨存储器单元105的写入电压的极性的逻辑状态写入存储器单元105的可配置材料，在一些实例中，所述写入电压可伴随有写入电流(例如，至少部分基于写入电压、由电流源驱动)。
39.可在(例如，结合存储器控制器170)存取存储器单元105时由感测组件150读取(例如，感测)存储器单元105的可配置材料以确定由存储器单元105存储的逻辑状态。例如，感测组件150可经配置以响应于读取操作感测通过存储器单元105的电流或电荷，或由将存储器单元105与感测组件150或其它中介组件(例如，存储器单元105与感测组件150之间的信号发展组件)耦合所引起的电压。感测组件150可将指示(例如，至少部分基于)由存储器单元105存储的逻辑状态的输出信号提供到一或多个组件(例如，到列组件135、输入/输出组件160、存储器控制器170)。在一些实例中，可将检测到的逻辑状态提供到主机装置(例如，使用存储器装置100用于数据存储的装置、在嵌入式应用中与存储器装置100耦合的处理器)，其中此信令可从输入/输出组件直接提供(例如，经由i/o线165)或经由存储器控制器170提供。在各种存储器装置100中，感测组件150可在一组或存储体的存储器区段110中共享(例如，具有为所述一组或存储体的存储器区段110的所有者所共有的子组件、具有专用于所述一组或存储体的存储器区段110中的相应者的子组件)，或感测组件150可专用于一组或存储体的存储器区段110中的一个存储器区段110。
40.在存取存储器单元105期间或之后，存储器单元105的可配置材料部分可允许或可不允许电荷或电流经由其对应存取线120或130流动(例如，响应于读取电压)。此电荷或电流可由从存储器装置100的一或多个电压源或供应器(未展示)加偏压或施加电压到存储器单元105所引起，其中电压源或供应器可为行组件125、列组件135、感测组件150、存储器控制器170或某一其它组件(例如，加偏压组件)的部分。在一些实例中(例如，在包含单元选择组件的存储器架构中)，可由目标存储器单元105的单元选择组件的激活、非目标存储器单元105的单元选择组件的撤销激活或两者来支持所描述加偏压。
41.在一些实例中，当跨具有存储第一逻辑状态(例如，与第一写入极性相关联的“设置”材料状态)的可配置材料的存储器单元105施加读取偏压(例如，读取脉冲、读取电流、读取电压)时，存储器单元105可归因于所述读取偏压超过存储器单元105的阈值电压而传导电流。响应于此或至少部分基于此，感测组件150可因此检测通过存储器单元105的电流(例如，经由第二存取线130)作为确定由存储器单元105存储的逻辑状态的部分。当将读取偏压
施加到具有存储第二逻辑状态(例如，与不同于所述第一写入极性的第二写入极性相关联的“复位”材料状态)的可配置材料的存储器单元105时，存储器单元105归因于所述读取偏压未超过存储器单元105的阈值电压而可能不传导电流。因此，感测组件150可检测通过存储器单元105的很少或无电流作为确定经存储逻辑状态的部分。
42.在一些实例中，可定义用于感测由存储器单元105存储的逻辑状态的参考电流。当存储器单元105未响应于读取偏压阈值化时，可将所述参考电流设置为高于通过存储器单元105的电流，但在存储器单元105响应于读取偏压阈值化时，将参考电流设置为等于或低于通过存储器单元105的预期电流。例如，参考电流可高于相关联的存取线120或130的泄漏电流(例如，高于相关联于与存取线120或130耦合的一或多个存储器单元105的泄漏电流，所述存取线120或130与目标存储器单元105共有)。在一些实例中，可至少部分基于由读取脉冲所驱动的电流所引起的电压(例如，跨分流电阻)来确定由存储器单元105存储的逻辑状态。例如，可相对于参考电压(例如，如在感测组件150内产生或经由参考线(rl)155提供)比较所得电压，其中所得电压小于所述参考电压对应于第一逻辑状态且所得电压大于参考电压对应于第二逻辑状态。
43.在一些实例中，当读取存储器单元105或一组存储器单元105时，可施加多于一个电压或电流(例如，可在读取操作的部分期间施加多个电压)。例如，如果所施加读取电压未导致电流流动或激活阈值数量个存储器单元105，那么可施加一或多个其它读取电压或电压极性(例如，直到由感测组件150至少部分基于经激活的阈值数量个存储器单元105检测电流)。至少部分基于评估导致电流流动的读取电压，可确定存储器单元105的经存储逻辑状态。在一些情况中，可使读取电压或电流斜升(例如，平稳地增加到较高量值)或步进(例如，根据离散间隔增加达离散量)直到由感测组件150或存储器控制器170检测电流流动或其它条件。在其它情况中，可施加预定读取电压(例如，以逐步方式增加到较高量值的预定序列读取电压、包含不同读取电压极性的预定序列读取电压)，直到检测电流或所述电流以其它方式基于存储器单元激活的数量。同样地，可将读取电流施加到存储器单元105且产生所述读取电流的电压的量值或极性可取决于存储器单元105的电阻或总阈值电压。
44.感测组件150可包含各种开关组件、选择组件、多路复用器、晶体管、放大器、电容器、电阻器、电压源、电流源或其它组件以检测、转换或放大感测信号的差值(例如，读取电压与参考电压之间的差值、读取电流与参考电流之间的差值)，在一些实例中，此可被称为锁存或产生锁存信号。在一些实例中，感测组件150可包含针对连接到感测组件150的一组第二存取线130中的每一者重复的组件(例如，电路元件、电路系统)集合。例如，感测组件150可包含用于与感测组件150耦合的一组第二存取线130中的每一者的分离感测电路或电路系统(例如，分离感测放大器、分离信号发展组件)，使得可针对与所述一组第二存取线130中的相应者耦合的相应存储器单元105分别检测逻辑状态。在一些实例中，参考信号源(例如，参考组件)或所产生的参考信号可在存储器装置100的组件之间共享(例如，在一或多个感测组件150中共享、在感测组件150的分离感测电路中共享、在存储器区段110的存取线120或130中共享)。
45.在一些存储器架构中，存取存储器单元105可使由存储器区段110的一或多个存储器单元105存储的逻辑状态降级或损毁，且可执行重写或刷新操作以使原始逻辑状态返回到存储器单元105。例如，在包含用于逻辑存储的可配置材料部分的架构中，感测操作可引
起存储器单元105的原子配置或分布的变化，从而改变存储器单元105的电阻或阈值特性。因此，在一些实例中，可在存取操作之后重写存储于存储器单元105中的逻辑状态。
46.在一些实例中，读取存储器单元105可为非破坏性的。即，在读取存储器单元105之后可能无需重写存储器单元105的逻辑状态。例如，在包含用于逻辑存储的可配置材料部分的架构中，感测存储器单元105可能不会损毁逻辑状态，且因此存储器单元105可无需在存取之后重写。然而，在一些实例中，在存在或不存在其它存取操作的情况下，可能需要或可能无需刷新存储器单元105的逻辑状态。例如，可通过施加适当写入或刷新脉冲或偏压以维持或重写经存储逻辑状态来按周期性时间间隔刷新由存储器单元105存储的逻辑状态。刷新存储器单元105可减少或消除归因于可配置逻辑存储材料的材料状态随时间的变化而引起的读取干扰错误或逻辑状态损坏。
47.在一些情况中，与存储器单元105相关联的可配置材料的材料特性、材料性质或响应行为可随时间改变或迁移(例如，归因于老化、磨损、降级、组合物变化或迁移、操作温度或其它变化)。例如，随着存储器单元105的可配置材料积累存取操作(例如，写入操作、读取操作)，存储器单元105对给定写入操作或读取操作的响应可改变。在一个实例中，随着可配置材料积累存取操作，存储器单元105的编程的阈值电压可响应于给定写入操作(例如，根据脉冲振幅及脉冲持续时间的写入操作、对应于特定逻辑状态的写入操作)而迁移。此外或替代性地，当可配置材料的温度改变(例如，与存储器装置100周围的周围环境温度或存储器装置100的内部操作温度有关)时，响应于给定写入操作或读取操作的一或多个存储器单元105的(例如，对应于特定逻辑状态的)编程的阈值电压可迁移。阈值电压可针对一组存储器单元105(例如，一列存储器单元105、一行存储器单元105、存储器区段110的存储器单元105)中的每一存储器单元105不同地迁移，此可伴随有(例如，对应于特定逻辑状态的)所述一组存储器单元105的平均阈值电压的各种变化、(例如，对应于所述特定逻辑状态的)所述一组存储器单元的阈值电压的标准偏差的各种变化，或阈值电压分布(例如，统计分布)的各种其它特性或特性组合。
48.根据本公开的实例，可在操作存储器装置100(例如，存取存储器单元105)的过程中调整读取操作的各个方面以补偿用于在存储器单元105中存储逻辑状态的可配置材料的老化、磨损、降级、温度变化或其它变化(例如，对应于逻辑状态的材料特性分布的变化)。例如，为补偿针对一组存储器单元105(例如，一列存储器单元105、一行存储器单元105、存储器区段110的存储器单元105)中的特定逻辑状态的阈值电压分布的变化，存储器装置100(例如，感测组件150、存储器控制器170)可检测此分布的方面，且至少部分基于此检测确定存取操作(例如，读取操作)的参数。所述检测可基于加偏压操作(例如对一组存储器单元105斜坡式或步进式施加电压)，所述加偏压操作可为或可非所述存取操作自身的部分(例如，可为或可非读取操作的部分)，且可基于检测确定存取操作的时间、电压或其它方面。
49.因此，所描述技术的各个实例可用于补偿用于在存储器装置100中存储信息的可配置材料的材料特性或响应行为的各种变化或迁移，此可相较于未补偿此类变化的其它存储器装置改进存储器装置100的性能。
50.图2说明根据如本文中所公开的实例的在支持分布跟随存取操作的存储器装置100中的阈值电压分布的标绘图200。标绘图200可说明存储器装置100的代表性体的存储器单元105(例如，代表性体的可配置材料存储器元件)的有关标准偏差(σ)或某一其它概
率测量的阈值电压分布。出于说明性目的，σ轴可为非线性轴，使得可将阈值电压的常态分布说明为标绘图200中的线性分布。在一些实例中，标绘图200的分布可被称为高斯分布。
51.分布210可说明在存储第一逻辑状态或材料状态(例如，“设置”状态)时用于代表性体的存储器单元105的阈值电压的分布。分布210可与可被称为“e1”的下边界或边缘(例如，边缘211)及可被称为“e2”的上边界或边缘(例如，边缘212)相关联。分布210可说明统计分布的各种解释，例如六个标准偏差(例如，6σ)的跨度、十二个标准偏差(例如，12σ)的跨度，或在存储设置状态时在代表性体的存储器单元105的最小阈值电压与最大阈值电压之间的跨度。
52.分布220可说明在存储第二逻辑状态或材料状态(例如，“复位”状态)时用于代表性体的存储器单元105的阈值电压的分布。分布220可与可被称为“e3”的下边界或边缘(例如，边缘221)及可被称为“e4”的上边界或边缘(例如，边缘222)相关联。分布220可说明统计分布的各种解释，例如六个标准偏差(例如，6σ)的跨度、十二个标准偏差(例如，12σ)的跨度，或在存储复位状态时在代表性体的存储器单元105的最小阈值电压与最大阈值电压之间的跨度。
53.标绘图200还说明可用于检测或区分由代表性体的存储器单元105存储的相应逻辑状态的读取电压230(例如，参考电压)。例如，参考分布210及220，代表性体的存储设置状态的存储器单元105可在施加读取电压230时允许电流流动(例如，高于阈值量的电流的电流流动)，这是因为读取电压230高于用于所述存储器单元105中的每一者的阈值电压(例如，因为分布210低于读取电压230)。换句话说，设置状态中的存储器单元105将响应于施加读取电压230而“阈值化”。另一方面，代表性体的存储复位状态的存储器单元105在施加读取电压230时可能不会允许电流流动，或可允许低于阈值(例如，泄漏电流)的某一电流流动，这是因为读取电压230低于用于所述存储器单元105中的每一者的阈值电压(例如，因为分布220高于读取电压230)。换句话说，复位状态中的存储器单元105可能不会响应于施加读取电压230而阈值化。因此，在一些实例中，读取电压230可被称为电压分界(vdm)或以其它方式与所述vdm相关联，所述vdm可是指用于代表性体的存储器单元105的设置状态与复位状态之间的分界或其它参考电压或偏压。
54.标绘图200还可说明可应用于代表性体的存储器单元105的存取操作的各种裕度。例如，“e3裕度”可是指分布220的边缘221(例如，与具有相对较高阈值电压的逻辑状态或材料状态相关联的分布的下边缘)与读取电压230之间的差值。通常，e3裕度可是指在给定读取电压230的情况下针对不经意阈值化复位状态中的存储器单元105(例如，在读取应存储复位状态或用复位状态写入的存储器单元105时不经意检测或解释设置状态)的裕度。因此，改进e3裕度可与使分布220与读取电压230之间的裕度变宽(例如，通过将读取电压230转移到较低电压、通过将边缘221转移到较高电压、通过将分布220转移到较高电压)相关联。
55.在另一实例中，“e2裕度”可是指分布210的边缘212(例如，与具有相对较低阈值电压的逻辑状态或材料状态相关联的分布的上边缘)与读取电压230之间的差值。通常，e2裕度可是指在给定读取电压230的情况下针对无法阈值化设置状态中的存储器单元105(例如，在读取应存储设置状态或用设置状态写入的存储器单元105时不经意检测或解释复位状态)的裕度。因此，改进e2裕度可与使分布210与读取电压230之间的裕度变宽(例如，通过
将读取电压230转移到较高电压、通过将边缘212转移到较低电压、通过将分布210转移到较低电压)相关联。
56.在另一实例中，“e1裕度”可是指分布210的边缘211(例如，与具有相对较低阈值电压的逻辑状态或材料状态相关联的分布的下边缘)与可与读取电压230或某一其它所施加电压(例如，写入电压、重写电压、调节电压)有关的电压之间的差值。通常，e1裕度可是指在加偏压于目标存储器单元105时针对不经意阈值化非目标存储器单元105(例如，在设置状态中)的裕度。
57.例如，为用读取电压230加偏压于目标存储器单元105，相对偏压的一半可与存取线120(例如，字线)相关联且相对偏压的一半可与存取线130(例如，位线)相关联。在一个实例中，可将目标字线加正偏压到读取电压230的一半(例如，+v
read
/2)且可使非目标字线接地(例如，0伏特)，且可将目标位线加负偏压到读取电压230的一半(例如，-v
read
/2)且可使非目标位线接地(例如，0伏特)。在另一实例中，可将目标字线加正偏压到全读取电压230(例如，+v
read
)且可将非目标字线加正偏压到读取电压230的一半(例如，+v
read
/2)，且可使目标位线接地(例如，0伏特)且可将非目标位线加偏压到读取电压230的一半(例如，+v
read
/2)。在任一实例中，可将目标存储器单元105加偏压到全读取电压230，且未共享目标字线或目标位线的存储器单元105可能不具有净偏压。
58.然而，在以上实例中的任一者中，与目标存储器单元105共享目标字线或目标位线中的一者的非目标存储器单元105可具有读取电压230的一半的净偏压，所述净偏压可与分布210的边缘211有关。例如，当共享目标字线或目标位线的非目标存储器单元105存储设置状态时，其可由读取电压230的一半不经意阈值化(例如，在边缘211具有低于v
read
/2的电压时)。不经意阈值化非目标存储器单元105可导致沿着(例如)目标字线或目标位线的额外电流流动，此可引起读取操作误差或不准确性、增加的电力消耗及其它不利效应。因此，在说明性实例中，e1裕度可与边缘211比读取电压230的一半高多少相关。然而，此外或替代性地，e1裕度还可为关于其它存取电压(例如写入电压或选择电压)。因此，改进e1裕度通常可与将分布210转移远离可施加到非目标存储器单元105的偏压(例如，通过将边缘211转移到较高电压、通过将分布210转移到较高电压、通过将可施加到非目标存储器单元105的偏压转移到较低电压)相关联。
59.在一些存储器装置100中，代表性体的存储器单元105的阈值电压的分布(例如，分布210、分布220或两者)可在操作存储器装置100的过程中改变或迁移。例如，随着代表性体的存储器单元105(例如，代表性体的可配置材料存储器元件)积累循环(例如存取操作)或改变温度，存储器单元105响应于给定写入操作(例如，具有特定脉冲振幅及持续时间)发展阈值电压的能力可增加。此外或替代性地，存储器单元105对给定读取操作(例如，读取电压、读取偏压)的响应可随时间改变，此可包含用于存储器单元105的阈值电压取决于经积累的存取操作或取决于周围温度或装置操作温度(例如，整体温度)。因此，在此类境况下，当使用相同写入操作(例如，具有相同参数的写入操作)时，阈值电压的分布可随时间增加或减小(例如，沿着电压轴转移)。
60.在另一实例中，存储器单元105响应于给定写入操作(例如，具有特定脉冲振幅及持续时间)发展阈值电压的能力可随时间变得更广泛分布。此外或替代性地，存储器单元105对给定读取操作(例如，读取电压、读取偏压)的响应可随时间变得更广分布，此可包含
用于存储器单元105的阈值电压取决于经积累的存取操作或取决于整体装置温度或局部存储器单元温度。因此，在此类境况下，当使用相同写入操作时，阈值电压的分布可扩展(例如，跨越沿着电压轴的更大范围)，例如迁移到在σ对电压的图表中的具有较浅斜率的分布。
61.代表性体的存储器单元105的阈值电压的迁移可伴随有用于相关联存储器装置100的电压裕度的减小。例如，当边缘221在电压上减小(例如，归因于e3迁移)时，边缘221可变得更接近读取电压230或下降到低于读取电压230，从而说明e3裕度的减小、崩溃或消除。在另一实例中，当边缘212在电压上增加(例如，归因于e2迁移)时，边缘212可变得更接近读取电压230或移动超出读取电压230，从而说明e2裕度的减小、崩溃或消除。在另一实例中，边缘211减小(例如，e1迁移)可伴随有e1裕度的减小、崩溃或消除。
62.根据本公开的方面，读取电压230可为可变的，且可经调整以补偿(例如，响应于检测到的阈值电压迁移、响应于阈值电压分布的检测到的变化、基于经识别或经预测老化、磨损、温度变化的其它指示的)阈值电压迁移的各个方面或其它效应。例如，可至少部分基于检测分布210的平均值(例如，边缘211与边缘212之间的平均值或中间点，或其代理)，或至少部分基于检测分布210的跨度(例如，边缘212与边缘211之间的差值，或其代理)，或基于两者的组合来确定读取电压230。读取电压230的此确定可被称为分布跟随读取电压，且可经实施为用以补偿在操作存储器装置100的过程中的分布210的变化的测量。
63.图3说明根据如本文中所公开的实例的用于存储可支持分布跟随存取操作的逻辑状态的一组存储器单元105的阈值电压分布的标绘图300。标绘图300说明用于存储器装置100的代表性体的存储器单元105(例如，代表性体的可配置材料存储器元件)的64个存储器单元105的激活的相应分布305。
64.在标绘图300的实例中，分布305中的每一者被说明为有关用于各种电压的标准偏差(例如，高斯分布)的概率。例如，分布305-a-1可说明针对其可发生64个激活的第一者的电压的统计分布(例如，)，分布305-a-2可说明针对其可发生64个激活的第二者的电压的统计分布(例如，)等等。在一些实例中，分布305可说明用于存储特定逻辑状态(例如，设置状态)的一组64个存储器单元105的个别激活(例如，阈值化事件、切换事件)，其中64个存储器单元的共同阈值电压根据参考图2所描述的分布210分布。标绘图300可被称为针对n＝64的顺序统计的功率密度函数(pdf)，其中n是具有2000mv的平均数μ及100mv的标准偏差σ(例如，根据具有此类特性的分布210)的代表性体n的子集。
65.在一些实例中，可运用跨一组存储器单元105中的每一者的斜坡式、步进式或以其它方式增加的偏压(例如，作为共享或共同偏压)来应用读取操作或其它加偏压操作。因此，可根据一序列激活来激活(例如，阈值化)存储设置状态及具有根据分布210分布的阈值电压的存储器单元105，且标绘图300可说明与所述序列激活的特定例子相关联的电压的概率的实例。尽管相对于电压轴进行说明，但可使用斜坡式、步进式或以其它方式增加的偏压(例如，施加到一组64个存储器单元105)以将标绘图300转换或以其它方式解释为时域或循序分布(例如，对应于加偏压操作的σ对时间的分布305的标绘图、对应于从左到右的一序列激活的分布305的标绘图)。根据所描述技术，存储器装置100可检测分布(例如标绘图300中所说明的所述分布)的方面以控制存取操作参数，此可使存储器装置100能够补偿分布210或分布305随时间的变化。
66.在说明性实例中，可将一体的n个存储器单元105划分成具有第一逻辑状态(例如，用复位状态写入)的第一组及具有第二逻辑状态(例如，用设置状态写入)的第二组，其中所述组可被称为通过加偏压操作(例如，具有斜坡电压的偏压、具有步进电压的偏压)自然排序yj的时间事件或时域体xi。例如，可对一体的存储器单元105(例如，一页存储器单元105、一行存储器单元105)应用编码或填充过程，使得知道第一组中的存储器单元105的数量及第二组中的存储器单元105的数量，或知道第一组中的存储器单元105的数量与第二组中的存储器单元105的数量之间的比率(例如，在对所述体的存储器单元105的写入操作之前预定、确定或以其它方式配置)。在一个实例中，体可由n＝128个存储器单元105(例如，一页128个存储器单元105)组成，且第一组及第二组中的每一者可由64个存储器单元组成。在一些实例中，可应用编码或填充过程以支持写入操作，其中在一体的128个存储器单元105中，用设置状态写入64个存储器单元105(例如，n＝64)，且用复位状态写入64个存储器单元105。在其它实例中，可对一体的存储器单元105应用编码或填充过程，使得所述体的至少一半包含于第一组中，或所述体的至少一半包含于第二组中，或任何其它数量或比率的成员包含于第一组或第二组中。
67.在一些实例中，与特定激活或一组激活相关联的加偏压操作的条件(例如，斜坡式或步进式加偏压操作的电压、斜坡式或步进式加偏压操作的时间)可用于确定存取操作的条件以用于区分存储第一逻辑状态的存储器单元105与存储第二逻辑状态的存储器单元105(例如，确定如参考图2所描述的电压230；或读取操作的相关方面，例如读取操作的时间或持续时间)。在一些实例中(例如，根据时域估计)，可通过使用存储器单元105的切换时间xi的顺序统计来执行平均数估计或分布估计。
68.例如，一组激活的特定激活(例如与分布305相关联的激活中的特定者)可用作用于估计对应于特定逻辑状态(例如，设置状态)的分布(例如，分布210)的平均数的代理。用于对应于有序事件y
j0
的激活的条件的估计可等于所述有序事件的分布的平均数，且可通过以下给出：
69.e[y
j0
]＝μ
j0
＝μ+b
j0
ꢀꢀ
(1)
[0070]
其中μ可对应于一组存储器单元105的平均数(例如，分布210的平均数、斜坡式或步进式加偏压操作的时域中的平均数)，且可对应于所述组的平均数与用于特定有序事件的平均数之间的已知或经预测偏移(例如，概率偏移)(例如，根据常态分布的统计)。在一些实例中，为支持所述组的平均数的相对精确估计，可存在最佳有序事件使得：
[0071][0072]
换句话说，用于估计用于一组存储器单元105(例如，在设置状态中)的平均阈值电压的最佳有序事件y
j0
可与用于所述有序事件的变异数小于作为整体的体的变异数相关联，此可对应于事件y
j0
为用于分布210的加偏压操作的平均数阈值化条件的相对准确估计量(例如，使用事件y
j0
来估计设置(set)分布210的平均数μ)。
[0073]
在一些实例中，相对于估计平均阈值电压具有低变异数的激活事件y
j0
可对应于一组激活中的中间或相对中心事件。例如，在一组64个存储器单元105中(例如，在设置状态中)，具有相对较低变异数的事件可为第32或第33激活或阈值化事件。然而，在其它实例中，可选择较早事件(例如第20事件)，这是因为此事件与分布(例如，分布210)的平均数之间的
间距在特性的常态分布中可固定，或以其它方式相对稳定或可预测(例如，根据值b
i0
)。因此，可通过已知或经估计关系且通过选择较早事件来补偿此差值，用于确定存取操作的方面的控制器或电路系统可具有更多时间来执行各种操作(例如，相较于在使用中间激活事件或较迟激活事件用于此类确定时)。然而，在一些情况中，选择中间或相对中心事件可为优选的，这是因为其它事件可与相对较高变异数(例如，估计量的相对较高分散，即使所述分散是顺序指数j的弱函数)相关联。尽管在从单个有序事件确定的上下文中进行描述，但平均数估计还可使用与多于一个有序事件有关的相应统计或条件来执行，例如取得经估计为在围绕平均数的分布的相对及对称侧上的两个有序事件，或经估计以具有从一体的平均数的已知偏移或其它特性的两个有序事件的平均值。
[0074]
可对一组存储器单元105的经估计平均数施加各种偏移以确定用于存取操作的参考条件(例如，电压230)，例如区分一体的存储器单元105的设置分布(例如，分布210)与复位分布(例如，分布220)的加偏压条件。此类偏移可在电压域中，或在斜坡式、步进式或以其它方式增加的偏压的情况下施加，此类偏移可在时域中施加。在一些实例中，此类偏移可至少部分基于检测或预测分布210的宽度的方面、一组分布305的共同宽度，或体特性的此宽度或分布的某一其它测量或代理。例如，可至少部分基于检测对应于两个不同激活或阈值化事件(例如，两个不同有序事件、与标绘图300的两个不同分布305相关联的两个不同激活)的加偏压条件来确定施加到经估计平均数的此类偏移，其中此类操作可被称为σ跟随者或以其它方式包含于所述σ跟随者中。
[0075]
在一个实例中，用于一组或一体的存储器单元105的标准偏差σ的估计可基于有序事件之间的条件的检测到的或经识别差值z
i，j
：
[0076]zi，j
＝y
j-yiꢀꢀ
(3)
[0077]
其中yi及yj是指适当时间事件(例如，存储器单元105的响应于随时间的斜坡式或步进式加偏压操作的激活)的条件，且i＜j(例如，激活事件i在激活事件j之前发生)。换句话说，两个顺序统计yi及yj可用于估计分布的标准偏差σ以便建立(例如，在闭合环路操作中，根据跟随者操作)设置分布(例如，分布210)的一半宽度比重。在说明性实例中，可选择事件指数i等于10且可选择事件指数j等于50，使得差值z
i，j
可是指第10激活与第50激活之间的加偏压操作的条件的差值。
[0078]
在一些实例中(例如，根据高斯分布)，可已知有序统计的分布，且可通过以下给出事件yi的分布(例如，分布305)：
[0079][0080]
其中f(x)可是指积累分布函数(例如，在设置状态中的存储器单元的积累分布、设置分布、分布210)，其中所述积累分布f(x)的平均数及其标准偏差可经特性化或已知。在各个实例中，积累分布f(x)可为高斯分布或可为或可非高斯的某一其它分布。此外，在一些实例中，两个不同顺序统计yi及yj可能并非独立的，而可为相关的。例如，可通过以下给出用于事件yi及yj的联合分布：
[0081][0082]
在一些实例中，有序事件的联合分布可用于选择两个有序事件中的哪一个应用于
估计分布210或分布305的各个方面。例如，事件yi与yj之间的差值的估计可等于如通过以下给出的每一事件的估计的差值：
[0083]
e[z
i，j
]＝e[yj]-e[yi]
ꢀꢀ
(6)
[0084]
根据常态分布，可通过以下给出事件yi与yj之间的差值的此估计的变异数：
[0085][0086]
在各个实例中，为改进从差值z
i，j
估计标准偏差σ，可选择或确定事件i及j以最小化相对于差值z
i，j
的变异数，或组合变异数考虑与其它考虑，例如维持变异数低于阈值同时还支持跟随事件j的计算及其它操作。换句话说，可根据各种考虑选择事件i及j用于估计用于估计一组存储器单元105(例如，在设置状态中)的散布或标准偏差的差值z
i，j
。
[0087]
图4说明根据如本文中所公开的实例的可支持分布跟随存取操作的加偏压操作的激活事件405-a的实例400。实例400可说明用于估计一组64个存储器单元105的散布或标准偏差σ(其可用于确定在电压域或时域中的存取操作的条件)的对称方法(例如，相对于分布平均数)。
[0088]
激活事件405-a可是指相应存储器单元105的响应于加偏压操作的有序激活或阈值化事件。例如，激活事件405-a-i可对应于(例如，一组64个存储器单元中的)存储器单元105的第i阈值化，激活事件405-a-32可对应于存储器单元105的第32阈值化，激活事件405-a-33可对应于存储器单元105的第33阈值化，且激活事件405-a-j可对应于存储器单元105的第j阈值化。在一些实例中，存储器装置100可通过检测通过相应存储器单元105的电流或检测高于阈值的电流(例如，检测相应存储器单元105已阈值化)来识别激活事件405。在一些实例中，存储器装置100可识别用于激活事件405-a中的每一者的顺序或指数(例如，识别激活事件405-a-i是加偏压操作的第i激活事件)，或以其它方式计数或积累激活事件405-a的数量，且使用所述经识别顺序、指数或计数作为确定存取操作(其可包含加偏压操作或可跟随加偏压操作)的条件的部分。
[0089]
激活事件中的每一者可对应于加偏压操作的相应条件。例如，第i激活事件405-a-i可对应于条件410-a-i，第32激活事件405-a-32可对应于条件410-a-32，第33激活事件405-a-33可对应于条件410-a-33，且第j激活事件405-a-j可对应于条件410-a-j。在各个实例中，条件410中的每一者可指加偏压操作的时间、加偏压操作的电压或其某一组合(例如，根据斜坡式加偏压操作或步进式加偏压操作的参数)。在一些实例中，存储器装置100可识别对应于激活事件405-a中的一或多者的条件410-a(例如，识别对应于第i激活事件405-a-i的条件410-a-1)，或识别对应于一对特定激活事件405-a的条件410-a之间的差值，且使用经识别条件410-a或其差值作为确定存取操作的条件(例如，参考电压、持续时间、时间偏移、完成时间)的部分。例如，存储器装置100可确定差值z
i，j
，所述差值z
i，j
可是指加偏压操作的条件410-a-i与条件410-a-j之间的差值(例如，围绕分布的平均数的对称差值)。在一些实例中，差值z
i，j
可用于估计一组存储器单元(例如，在设置状态中)的标准偏差σ，或针对存取操作的参数以其它方式(例如，从平均数、从特定激活事件405)确定偏移。
[0090]
在实例400中，事件i及j相对于具有n个事件的一组的平均数条件可为对称的，且通常可通过以下给出：
[0091]
[0092]
其中d可是指距一组事件的平均数事件或另外中间事件的距离或通常与所述距离有关，例如依激活事件405-a的数量的距离。在一些实例中，距离d可是指或以其它方式对应于时域中的距离或电压域中的距离(例如，根据常态分布、根据加偏压操作的参数)。在具有偶数数目个事件(例如，n＝64)的实例400中，事件i及j可围绕介于第32事件与第33事件之间的平均数对称。在具有奇数数目个事件的实例中，事件i及j可围绕单个事件对称。
[0093]
通过使用实例400的对称方法，选择分布的平均数的相对侧上的两个不同激活事件405-a可支持(例如，从z
i，j
的)一组存储器单元105的散布或标准偏差的相对准确或精确估计。然而，在实例400的方法中，探究分布的两侧，此可能需要加偏压操作的相对较长持续时间或相对较迟时间以供激活积累。因此，当使用实例400的方法时，与分布跟随存取操作有关的计算或操作可相对延迟，但在一些实例中可更准确或更不易受变异数影响。
[0094]
图5说明根据如本文中所公开的实例的可支持分布跟随存取操作的加偏压操作的激活事件405-b的实例500。实例500可说明用于估计一组64个存储器单元105的散布或标准偏差σ(其可用于确定在电压域或时域中的存取操作的条件)的非对称方法(例如，相对于分布平均数)。
[0095]
激活事件405-b可是指相应存储器单元105的响应于加偏压操作的有序激活或阈值化事件。例如，激活事件405-b-i可对应于(例如，一组存储器单元105中的)存储器单元105的第i阈值化，且激活事件405-b-32可对应于存储器单元105的第32阈值化(例如，其中如本文中所使用的指数j可等于32，且是指中间或通常中心激活事件405，而非例如在实例400中的稍迟激活事件405)。在一些实例中，存储器装置100可通过检测通过相应存储器单元105的电流或高于阈值的电流(例如，检测相应存储器单元105已阈值化)来识别激活事件405-b。在一些实例中，存储器装置100可识别用于激活事件405-b中的每一者的顺序或指数(例如，识别激活事件405-b-i是加偏压操作的第i激活事件)，或以其它方式计数或积累激活事件405-b的数量，且使用所述经识别顺序、指数或计数作为确定存取操作(其可包含加偏压操作或可跟随加偏压操作)的条件的部分。
[0096]
激活事件中的每一者可对应于加偏压操作的相应条件。例如，第i激活事件405-b-i可对应于条件410-b-i，且第32激活事件405-a-32可对应于条件410-a-32。在各个实例中，条件410-b中的每一者可是指加偏压操作的时间、加偏压操作的电压或其某一组合(例如，根据斜坡式加偏压操作或步进式加偏压操作的参数)。在一些实例中，存储器装置100可识别对应于激活事件405-b中的一或多者的条件410-b(例如，识别对应于第i激活事件405-b-i的条件410-b-1)，或识别对应于一对特定激活事件405-b的条件410-b之间的差值，且使用经识别条件410-b或其差值作为确定存取操作的条件(例如，参考电压、持续时间、时间偏移、完成时间)的部分。例如，存储器装置100可确定差值z
i，32
，所述差值z
i，32
可是指加偏压操作的条件410-b-i与条件410-b-32之间的差值(例如，围绕分布的平均数的非对称差值)。在一些实例中，差值z
i，32
可用于估计一组存储器单元(例如，在设置状态中)的标准偏差σ，或针对存取操作的参数以其它方式(例如，从平均数、从特定激活事件405-b)确定偏移。
[0097]
在实例500中，事件i相对于具有n个事件的组可为非对称的，且通常可通过以下给出：
[0098]
[0099]
其中d可是指距一组事件的平均数事件或另外中间事件的距离或通常与所述距离有关，例如依激活事件405-b的数量的距离。在一些实例中，距离d可是指或以其它方式对应于时域中的距离或电压域中的距离(例如，根据常态分布、根据加偏压操作的参数)。
[0100]
通过使用实例500的非对称方法，选择在分布的平均数或中心部分之前的激活事件405可允许与在使用分布的平均数或中心部分之后的激活事件405的情况下相比更快地完成各种计算或操作。换句话说，在实例500的方法中，可探究分布的一个侧(例如，一半)，此可能需要比实例400相对较短的时间。因此，尽管实例500与实例400相比对于估计分布可能相对较不准确或精确，但实例500可支持更快地完成与分布跟随存取操作有关的计算或操作。
[0101]
一般来说(例如，在实例400或实例500中的任一者中)，选择相距较远(例如，具有相对较大距离d)的i及j的值可跨越存储器单元105的分布的相对较大范围(例如，较大差值z
i，j
)，但可靠近分布210的尾部的个别值(例如，用于相应激活事件405的加偏压操作的条件)可具有相对较大标准分布或变异数，且相应地与z
i，j
的相对较大变异数相关联。另一方面，选择相对靠近(例如，具有相对较小距离d)的i及j的值可对应于具有相对较小分布或变异数的个别值，且相应地与z
i，j
的相对较小变异数相关联。然而，z
i，j
的相较于总体分布(例如，总体散布或跨度，例如分布210的跨度)的相对较小值z
i，j
可意味着差值z
i，j
的小变化可对体的散布或标准偏差μ的估计具有较大影响。因此，通过选择距离d的值来选择i及j的最小化总变异数(例如最小化差值z
i，j
的标准偏差与差值z
i，j
的平均数的比率)(例如，最小化)的值可为有利的。
[0102]
在一个实例中，随机变量s可用于告知i及j的选择，或d的选择，其中s可定义为：
[0103]
s＝α
i，jzi，j
且
[0104]
一般来说，α
i，j
的比率可相对于σ恒定，因此，或更一般来说z
i，j
可用于估计σ。当σs相对较小时可形成最佳或以其它方式有利的耦合，其中σs可通过以下定义：
[0105][0106]
因此，兰假定最小值时可获得最小值σs。根据常态分布，在具有对称方法的实例400中，在d＝27(例如，i＝5，j＝60)时对于一组n＝64个存储器单元105可满足此类条件，且在具有非对称方法的实例500中，在d＝28(例如，i＝4，j＝32)时对于一组n＝64个存储器单元105可满足此类条件。
[0107]
尽管在一组64个存储器单元105的上下文中进行描述，但所描述技术可适用于其它数量个存储器单元105用于确定哪些激活事件405将用于估计特定状态中的存储器单元105的阈值特性的散布或标准偏差。例如，用于一组128个存储器单元105(例如，在设置状态中)或一组128个激活的最佳指数i及j可不同于用于一组64个存储器单元105的最佳指数。在各个实例中，对于指数i及j的确定或对于是否使用对称方法或非对称方法的确定可经预配置，或可由存储器装置100(例如，基于一组或体中的存储器单元105的数量、基于用于写入操作或编码方案的逻辑状态的数量或比率、基于存储器装置100的操作模式)动态地确定。
[0108]
使用所描述技术用于σ跟随，如果用于一组存储器单元105或一组相关激活的σ随时间改变，那么可通过使用s＝αz的近似值来跟随所述变化。在一些实例中，对于其中n＝64的存储器单元105或激活的数量，最佳指数可等于j＝5及j＝60，对应于(例如，实例400的)对称方法中的d＝27，其中：
[0109][0110]
且在此实例中，α＝σ/μz≈0.34。因此，可通过评估以下来估计分布的半宽度h：
[0111]
h＝3.54
·
5＝3.54
·
αz＝1.2
·zꢀꢀ
(13)
[0112]
其中可通过以下给出对应标准偏差或估计误差：
[0113][0114]
其中，参考标绘图300的实例，σ＝100mv，σh＝38.5mv且h＝354mv。
[0115]
因此，根据所描述实例的σ跟随者方法论可被概述为包含条件的差值(例如，延迟、电压差)的测量z，用h＝1.2
·
z估计半宽度h＝3.54σ，且根据e[h]＝h估计h，其中σh的结果等于0.385σ。尽管上文实例是指一组64个存储器单元105或对应激活或阈值化事件的特定指数，但所描述技术还可适用于其它指数。例如，当对i及j使用不同值时，施加到用于激活yi及yj的相应条件之间的经确定差值的乘数(例如，用于计算h)可不同于1.2，且用于经估计标准偏差或估计误差的乘数(例如，用于计算σh)可不同于0.385，且可与常态分布事件或特性的高斯分布的关系有关。更一般来说，可理解，根据本文中所描述的技术，可至少部分基于对应于一组激活事件的不同激活事件405的加偏压操作的检测到的或经确定条件之间的差值来确定所述组的分布(例如，一组存储器单元105的阈值电压的分布)及相应地与所述组相关联的存取操作(例如，用于检测相应一组存储器单元105的逻辑状态的读取操作)的参数。
[0116]
图6说明根据如本文中所公开的实例的可支持用于存储器装置的分布跟随存取操作的方法论600的示意图。方法论600参考展示具有随时间增加的电压的加偏压615的加偏压标绘图605及展示在加偏压615的相应条件(例如，时间、电压)下发生的一组激活事件405-c的对应激活标绘图610进行说明。方法论600可说明用于至少部分基于对应于如本文中所描述的激活指数i及j的加偏压615的条件之间的差值来确定存取操作的参数的实例。在各个实例中，加偏压615可为或可非存取操作(例如，包含激活事件405-c的读取操作)的部分。
[0117]
在方法论600的实例中，加偏压615经展示为斜坡电压，但所描述技术的其它实例可使用步进加偏压或随时间增加的其它加偏压。响应于加偏压615，一组存储器单元105的不同存储器单元105可在加偏压615的相应条件(例如，时间、电压)下经历激活事件405-c(例如，阈值化)。激活事件405-c可根据常态或高斯分布来分布，例如参考图2所描述的分布210(例如，针对用设置状态写入的一组存储器单元105)或参考图3所描述的分布305。
[0118]
在一些实例中，方法论600可包含识别有序序列的中间或中心激活事件405-c(其可被称为y
l
)。在一些实例中，激活事件y
l
可用于估计存储器单元105的分布的平均数或激活事件405-c的平均数。参考实例400，事件y
l
可对应于激活指数32或33(例如，在设置状态中的64个存储器单元105中、在64个预期激活中)，或更一般来说，可等于或最接近等于n/2的
指数。在其它实例中，事件y
l
可与分布的中心部分(例如l＝20的激活指数)相对分离，在此情况中可施加各种偏移以识别激活事件405-c的分布的平均数。y
l
的激活的识别可用于支持对在时域中或在电压域中的存取操作的参数的确定。例如，所述参数的确定可至少部分基于对应于组的平均存储器单元105的激活时间的时间620、至少部分基于对应于组的平均存储器单元105的激活电压(例如，阈值电压)的电压625，或两者。
[0119]
在一些实例中，方法论600可包含识别有序序列的经分布激活事件405-c，例如可被称为事件yi及yj(例如，对应于如本文中所描述的激活指数i及j)的激活事件405-c-i及405-c-j。在一些实例中，激活事件yi及yj可用于估计存储器单元105或激活事件405-c的分布的标准偏差、宽度或半宽度。参考实例400，事件yi及yj可对应于激活指数5及60(例如，在设置状态中的64个存储器单元105中、在64个预期激活中)，所述激活指数5及60可是指与针对所描述条件的最佳或以其它方式有利的耦合相关联的指数。激活事件405-c-i及405-c-j的识别可用于支持对在时域中或在电压域中的存取操作的参数的确定。例如，识别激活事件405-c-i及405-c-j可支持对应于与相应激活事件405-c-i及405-c-j有关的加偏压615的条件的差值的差值z
i，j
的确定。尽管差值z
i，j
被说明为沿着时间轴(例如，在时域中)的差值，但差值z
i，j
的确定还可沿着电压轴(例如，在电压域中)进行以支持所描述技术的各个方面。在一些实例中，事件yi及yj还可用于估计分布的平均数(例如，代替使用事件y
l
)。
[0120]
差值z
i，j
的确定可支持对用于存取操作的参数的确定，所述参数可与加偏压标绘图605中所说明的条件680(例如，加偏压615的最终条件、包含加偏压615的存取操作的最终条件)有关。例如，在时域中，加偏压615的条件680可与时间690有关，所述时间690可对应于可用于存取操作(例如，读取操作)中的加偏压的结束时间或持续时间。时间690可经确定为相对于时间620(对应于与平均数或中间激活事件405-c相关联的加偏压615的时间)的时间或持续时间的总和或积累。例如，所述总和可包含对应于设置分布的半宽度的持续时间640。在一些实例中，所述半宽度可至少部分基于差值z
i，j
来确定，例如等于h＝1.2
·
z(例如，对于n＝64，i＝5，及j＝60)。
[0121]
在各个实例中，用以确定时间690的总和或积累可包含或可不包含除至少部分基于差值z
i，j
的持续时间640以外的参数。例如，如方法论600中所说明，所述总和可包含与加偏压持续时间或偏移有关的持续时间630、与不确定性持续时间或偏移有关的持续时间635或与裕度持续时间或偏移有关的持续时间645中的一或多者。
[0122]
在一些实例中，持续时间630可与特定指数事件与分布的平均数之间的偏压(例如，在时间上、在电压上)有关。例如，与持续时间630相关联的偏压在指数l对应于64个总事件的第32事件时可为相对较小偏压，或在指数l对应于64个事件的第20指数时可相对较大。在一些实例中，持续时间630可通过等式(1)的项b
j0
予以定义，或以其它方式与所述项b
j0
有关。换句话说，持续时间630可是指经选取作为参考的事件与表示平均数或平均值条件的事件之间的时间(例如，延迟)。
[0123]
在一些实例中，持续时间635可与经计算或经确定的平均数的不确定性(例如，时间620的不确定性)有关，所述不确定性可等于与用于具有设置状态的64个位的所描述案例的事件y
l
相关联的概率分布函数的标准偏差(例如，标绘图300的分布305-a-1的标准偏差)或以其它方式与所述标准偏差有关。例如，持续时间635或对应电压可对应于值σh(其可与分布整体的标准偏差有关或以其它方式从所述标准偏差确定或估计)。例如，根据应用等式
(14)的所描述实例，σh可等于0.385σ。
[0124]
尽管持续时间的总和是参考(例如，事件y
l
的)平均或另外中心时间进行说明，但在其它实例中，持续时间的总和可应用于另一事件的条件，例如来自事件yi或yj中的一者的总和或积累，或来自与中心时间分离的另一事件(例如y
20
)的总和或积累。此外，尽管方法论600说明时域总和或积累，但条件680还可在电压域中确定，对应于可用作存取操作的参数(例如，用作最终电压、用作峰值电压、用作最大电压、用作参考电压、用作参考图2所描述的电压230)的电压695。例如，分布的半宽度可经确定为混合估计(例如，在电压域中)，例如来自特性化的数目与来自差值z
i，j
的经估计值h之间的单位线性组合。例如，混合估计量k可经定义为：
[0125]
k＝α*(354mv)+(1-α)*h
ꢀꢀ
(15)
[0126]
其中值354mv可是指经预测或预配置值或特性化(例如，根据参考等式(14)所描述的h的实例)，且α可是指经选择以通过混合估计量定义因子的相对加权的介于0与1之间的工程参数。在一些实例中，此方法可减轻h的分散，同时保留对分布扩大的相依性。
[0127]
因此，根据本公开的方面，存储器装置100可对一组存储器单元105启动加偏压操作(例如，加偏压615)。存储器装置100可在所述加偏压操作的第一条件下识别激活yi，及在加偏压操作的第二条件下识别激活yj。存储器装置100随后可至少部分基于所述第一条件与所述第二条件之间的差值z
i，j
来确定存取操作的参数。
[0128]
在一些实例中，存取操作可包含加偏压操作(例如，可包含激活事件405-c)，且经确定参数可包含确定可对应于存取操作的参考电压的加偏压操作的最终电压(例如，加偏压615的峰值电压)(例如，将如参考图2所描述的电压230确定为等于如参考图6所描述的电压695)。在一些实例中，经确定参数可包含确定可对应于用于存取操作的持续时间或完成时间的用于加偏压操作的持续时间或完成时间(例如，时间690)(例如，用于对一或多个存储器单元105施加分界电压以确定由所述存储器单元存储的逻辑状态)。
[0129]
在一些实例中，存储器装置100可基于经确定参数修改存取操作(例如，更新存取操作的参数)。例如，存储器装置100可在初始化或诊断模式(例如，与逻辑状态的特定检测无关)期间执行加偏压615，且可存储经确定参数用于在稍迟时间执行存取操作。在一些实例中，经确定参数可基于移动平均值，例如z的多个确定(例如，z
i，j
的多个确定，例如z
i，j
的最近128个确定，无论对i及j使用相同指数或不同指数)的平均值。在各个实例中，指数i及j可在存储器装置100处预配置，或由存储器装置100(例如，基于特定体中的数量n、基于特定页布置中的数量n、基于与特定操作模式相关的数量n、基于确定用于特定存取操作、编码操作或填充操作的数量n，或各种其它配置)动态地确定。
[0130]
因此，所描述技术的各个实例可用于补偿用于在存储器装置100中存储信息的可配置材料的材料特性或响应行为的各种变化或迁移，此相较于未补偿此类变化的其它存储器装置可改进存储器装置100的性能。
[0131]
图7展示根据如本文中所公开的实例的支持用于存储器装置的分布跟随存取操作的存储器装置705的框图700。存储器装置705可为如参考图1到6所描述的存储器装置的方面的实例。存储器装置705可包含加偏压操作管理器710、单元激活标识符715、存取操作管理器720、持续时间管理器725、电压管理器730及写入操作管理器735。这些模块中的每一者可直接或间接地彼此通信(例如，经由一或多个总线)。
[0132]
加偏压操作管理器710可对一组存储器单元启动加偏压操作。
[0133]
在一些实例中，加偏压操作管理器710可用在加偏压操作内增加的电压(例如，斜坡电压、步进电压)加偏压于一组存储器单元。
[0134]
单元激活标识符715可在加偏压操作的第一条件下识别一组存储器单元中的第一存储器单元的激活。在一些实例中，单元激活标识符715可在加偏压操作的第二条件下识别一组存储器单元中的第二存储器单元的激活。
[0135]
在一些实例中，单元激活标识符715可基于确定加偏压操作已激活一组存储器单元中的第一数量个存储器单元来识别第一存储器单元的激活。
[0136]
在一些实例中，单元激活标识符715可基于确定加偏压操作已激活一组存储器单元中的第二数量个存储器单元来识别第二存储器单元的激活。
[0137]
在一些实例中，为识别第一存储器单元的激活、识别第二存储器单元的激活或两者，单元激活标识符715可识别相应存储器单元的阈值化。
[0138]
在一些实例中，为识别第一存储器单元的激活、识别第二存储器单元的激活或两者，单元激活标识符715可识别相应存储器单元的电阻变化。
[0139]
存取操作管理器720可基于第一条件与第二条件之间的差值来确定存取操作的参数。
[0140]
在一些实例中，存取操作管理器720可基于经确定参数修改存取操作。
[0141]
在一些情况中，第一条件对应于加偏压操作的第一时间且第二条件对应于加偏压操作的第二时间，且持续时间管理器725可基于所述第一时间与所述第二时间之间的差值来确定存取操作的持续时间。在一些实例中，持续时间管理器725可基于第一时间与第二时间的平均值及第一时间与第二时间之间的所述差值来确定所述持续时间。在一些实例中，持续时间管理器725可基于第二时间及第一时间与第二时间之间的差值来确定持续时间。在一些实例中，持续时间管理器725可基于第一时间与第二时间之间的差值来确定存取操作的完成时间。
[0142]
在一些情况中，第一条件对应于加偏压操作的第一电压且第二条件对应于加偏压操作的第二电压，且电压管理器730可基于所述第一电压与所述第二电压之间的差值来确定用于存取操作的评估的电压。在一些实例中，电压管理器730可基于第二电压及第一电压与第二电压之间的所述差值来确定用于存取操作的评估的所述电压。在一些实例中，电压管理器730可基于第一电压与第二电压的平均值及第一电压与第二电压之间的差值来确定用于存取操作的评估的电压。在一些实例中，电压管理器730可基于第一电压与第二电压之间的差值来确定存取操作的参考电压。
[0143]
写入操作管理器735可用具有第一逻辑状态的第一数量个存储器单元及具有第二逻辑状态的第二数量个存储器单元来写入一组存储器单元，其中识别第一存储器单元的激活及识别第二存储器单元的激活是基于所述第一数量。
[0144]
图8展示根据如本文中所公开的实例的支持用于存储器装置的分布跟随存取操作的存储器装置805的框图800。存储器装置805可为如参考图1到6所描述的存储器装置的方面的实例。存储器装置805可包含加偏压操作管理器810、加偏压条件标识符815、存取操作管理器820、持续时间管理器825及电压管理器830。这些模块中的每一者可直接或间接地彼此通信(例如，经由一或多个总线)。
[0145]
加偏压操作管理器810可对一组存储器单元启动加偏压操作。
[0146]
加偏压条件标识符815可识别对应于一组存储器单元中的第一数量个存储器单元的激活的加偏压操作的第一条件。在一些实例中，加偏压条件标识符815可识别对应于一组存储器单元中的第二数量个存储器单元的激活的加偏压操作的第二条件。
[0147]
存取操作管理器820可基于第一条件与第二条件之间的差值来确定存取操作的参数。
[0148]
在一些实例中，存取操作管理器820可确定用于结束加偏压操作的条件。
[0149]
持续时间管理器825可确定加偏压操作的结束时间。
[0150]
电压管理器830可确定加偏压操作的结束电压。
[0151]
图9展示说明根据本公开的方面的支持用于存储器装置的分布跟随存取操作的一方法或若干方法900的流程图。可由如本文中所描述的存储器装置或其组件来实施方法900的操作。例如，可由如参考图7所描述的存储器装置来执行方法900的操作。在一些实例中，存储器装置可执行指令集以控制存储器装置的功能元件执行所描述功能。此外或替代性地，存储器装置可使用专用硬件执行所描述功能的方面。
[0152]
在905，存储器装置可对一组存储器单元启动加偏压操作。可根据本文中所描述的方法执行905的操作。在一些实例中，可由如参考图7所描述的加偏压操作管理器来执行905的操作的方面。
[0153]
在910，存储器装置可在加偏压操作的第一条件下识别一组存储器单元中的第一存储器单元的激活。可根据本文中所描述的方法执行910的操作。在一些实例中，可由如参考图7所描述的单元激活标识符来执行910的操作的方面。
[0154]
在915，存储器装置可在加偏压操作的第二条件下识别一组存储器单元中的第二存储器单元的激活。可根据本文中所描述的方法执行915的操作。在一些实例中，可由如参考图7所描述的单元激活标识符来执行915的操作的方面。
[0155]
在920，存储器装置可基于第一条件与第二条件之间的差值来确定存取操作的参数。可根据本文中所描述的方法执行920的操作。在一些实例中，可由如参考图7所描述的存取操作管理器来执行920的操作的方面。
[0156]
在一些实例中，如本文中所描述的设备可执行一方法或若干方法，例如方法900。所述设备可包含用于以下操作的特征、电路系统、构件或指令(例如，存储可由处理器执行的指令的非暂时性计算机可读媒体)：对一组存储器单元启动加偏压操作；在所述加偏压操作的第一条件下识别所述一组存储器单元中的第一存储器单元的激活；在所述加偏压操作的第二条件下识别所述一组存储器单元中的第二存储器单元的激活；及基于所述第一条件与所述第二条件之间的差值来确定存取操作的参数。
[0157]
本文中所描述的方法900及设备的一些实例可进一步包含用于基于经确定参数修改存取操作的操作、特征、电路系统、构件或指令。
[0158]
在本文中所描述的方法900及设备的一些实例中，第一条件对应于加偏压操作的第一时间且第二条件对应于加偏压操作的第二时间，且确定参数可包含用于基于所述第一时间与所述第二时间之间的差值来确定存取操作的持续时间的操作、特征、电路系统、构件或指令。
[0159]
在本文中所描述的方法900及设备的一些实例中，确定存取操作的持续时间可包
含用于基于第一时间与第二时间的平均值及第一时间与第二时间之间的差值来确定持续时间的操作、特征、电路系统、构件或指令。
[0160]
在本文中所描述的方法900及设备的一些实例中，确定存取操作的持续时间可包含用于基于第二时间及第一时间与第二时间之间的差值来确定持续时间的操作、特征、电路系统、构件或指令。
[0161]
在本文中所描述的方法900及设备的一些实例中，第一条件对应于加偏压操作的第一电压且第二条件对应于加偏压操作的第二电压，且确定参数可包含用于基于所述第一电压与所述第二电压之间的差值来确定用于存取操作的评估的电压的操作、特征、电路系统、构件或指令。
[0162]
在本文中所描述的方法900及设备的一些实例中，确定用于存取操作的评估的电压可包含用于基于第二电压及第一电压与第二电压之间的差值来确定用于存取操作的评估的电压的操作、特征、电路系统、构件或指令。
[0163]
在本文中所描述的方法900及设备的一些实例中，确定用于存取操作的评估的电压可包含用于基于第一电压与第二电压的平均值及第一电压与第二电压之间的差值来确定用于存取操作的评估的电压的操作、特征、电路系统、构件或指令。
[0164]
本文中所描述的方法900及设备的一些实例可进一步包含用于用具有第一逻辑状态的第一数量个存储器单元及具有第二逻辑状态的第二数量个存储器单元写入一组存储器单元的操作、特征、电路系统、构件或指令，且识别第一存储器单元的激活及识别第二存储器单元的激活可基于所述第一数量。
[0165]
在本文中所描述的方法900及设备的一些实例中，加偏压操作可包含用于用在加偏压操作内增加的电压(例如，斜坡电压、步进电压)加偏压于一组存储器单元的操作、特征、电路系统、构件或指令。
[0166]
本文中所描述的方法900及设备的一些实例可进一步包含用于基于确定加偏压操作已激活一组存储器单元中的第一数量个存储器单元来识别第一存储器单元的激活，及基于确定加偏压操作已激活一组存储器单元中的第二数量个存储器单元来识别第二存储器单元的激活的操作、特征、电路系统、构件或指令。
[0167]
在本文中所描述的方法900及设备的一些实例中，存取操作包含加偏压操作，第一条件包含加偏压操作的第一电压，且第二条件包含加偏压操作的第二电压，且确定存取操作的参数可包含用于基于所述第一电压与所述第二电压之间的差值来确定存取操作的参考电压的操作、特征、电路系统、构件或指令。
[0168]
在本文中所描述的方法900及设备的一些实例中，存取操作包含加偏压操作，第一条件包含加偏压操作的第一时间，且第二条件包含加偏压操作的第二时间，且确定存取操作的参数可包含用于基于所述第一时间与所述第二时间之间的差值来确定存取操作的完成时间的操作、特征、电路系统、构件或指令。
[0169]
在本文中所描述的方法900及设备的一些实例中，识别第一存储器单元的激活、识别第二存储器单元的激活或两者可包含用于识别相应存储器单元的阈值化的操作、特征、电路系统、构件或指令。
[0170]
在本文中所描述的方法900及设备的一些实例中，识别第一存储器单元的激活、识别第二存储器单元的激活或两者可包含用于识别相应存储器单元的电阻变化的操作、特
征、电路系统、构件或指令。
[0171]
图10展示说明根据本公开的方面的支持用于存储器装置的分布跟随存取操作的一方法或若干方法1000的流程图。可由如本文中所描述的存储器装置或其组件来实施方法1000的操作。例如，可由如参考图8所描述的存储器装置来执行方法1000的操作。在一些实例中，存储器装置可执行指令集以控制存储器装置的功能元件来执行所描述功能。此外或替代性地，存储器装置可使用专用硬件执行所描述功能的方面。
[0172]
在1005，存储器装置可对一组存储器单元启动加偏压操作。可根据本文中所描述的方法执行1005的操作。在一些实例中，可由如参考图8所描述的加偏压操作管理器来执行1005的操作的方面。
[0173]
在1010，存储器装置可识别对应于一组存储器单元中的第一数量个存储器单元的激活的加偏压操作的第一条件。可根据本文中所描述的方法执行1010的操作。在一些实例中，可由如参考图8所描述的加偏压条件标识符来执行1010的操作的方面。
[0174]
在1015，存储器装置可识别对应于一组存储器单元中的第二数量个存储器单元的激活的加偏压操作的第二条件。可根据本文中所描述的方法执行1015的操作。在一些实例中，可由如参考图8所描述的加偏压条件标识符来执行1015的操作的方面。
[0175]
在1020，存储器装置可基于第一条件与第二条件之间的差值确定存取操作的参数。可根据本文中所描述的方法执行1020的操作。在一些实例中，可由如参考图8所描述的存取操作管理器来执行1020的操作的方面。
[0176]
在一些实例中，如本文中所描述的设备可执行一方法或若干方法，例如方法1000。所述设备可包含用于以下操作的特征、电路系统、构件或指令(例如，存储可由处理器执行的指令的非暂时性计算机可读媒体)：对一组存储器单元启动加偏压操作；识别对应于所述一组存储器单元中的第一数量个存储器单元的激活的所述加偏压操作的第一条件；识别对应于所述一组存储器单元中的第二数量个存储器单元的激活的所述加偏压操作的第二条件；及基于所述第一条件与所述第二条件之间的差值来确定存取操作的参数。
[0177]
在本文中所描述的方法1000及设备的一些实例中，存取操作包含加偏压操作，且确定存取操作的参数可包含用于确定用于结束加偏压操作的条件的操作、特征、电路系统、构件或指令。
[0178]
在本文中所描述的方法1000及设备的一些实例中，确定用于结束加偏压操作的条件可包含用于确定加偏压操作的结束时间的操作、特征、电路系统、构件或指令。
[0179]
在本文中所描述的方法1000及设备的一些实例中，确定用于结束加偏压操作的条件可包含用于确定加偏压操作的结束电压的操作、特征、电路系统、构件或指令。
[0180]
应注意，上文所描述的方法描述可能实施方案，且操作及步骤可经重新布置或以其它方式修改，且其它实施方案是可行的。此外，可组合来自两个或更多个方法的部分。
[0181]
描述一种设备。所述设备可包含一组存储器单元及与所述一组存储器单元耦合的电路系统。所述电路系统可经配置以：对所述一组存储器单元启动加偏压操作；在所述加偏压操作的第一条件下识别第一数量个所述一组存储器单元的激活；在所述加偏压操作的第二条件下识别第二数量个所述一组存储器单元的激活；及基于所述第一条件与所述第二条件之间的差值来确定存取操作的参数。
[0182]
在一些实例中，所述第一条件对应于所述加偏压操作的第一时间且所述第二条件
对应于所述加偏压操作的第二时间，且为确定所述存取操作的所述参数，所述电路系统可经配置以基于所述第一时间与所述第二时间之间的差值来确定所述加偏压操作的持续时间。在一些实例中，所述电路系统可经配置以基于所述第一时间与所述第二时间的平均值及所述第一时间与所述第二时间之间的所述差值来确定所述持续时间。在一些实例中，所述电路系统可经配置以基于所述第二时间及所述第一时间与所述第二时间之间的所述差值来确定所述持续时间。
[0183]
在一些实例中，所述第一条件对应于所述加偏压操作的第一电压且所述第二条件对应于所述加偏压操作的第二电压，且为确定所述存取操作的所述参数，所述电路系统可经配置以基于所述第一电压与所述第二电压之间的差值来确定所述存取操作的电压。在一些实例中，所述电路系统可经配置以基于所述第二电压及所述第一电压与所述第二电压之间的所述差值来确定所述存取操作的参考电压。在一些实例中，所述电路系统可经配置以基于所述第一电压与所述第二电压的平均值及所述第一电压与所述第二电压之间的所述差值来确定所述存取操作的参考电压。
[0184]
在一些实例中，所述电路系统可经配置以用具有第一逻辑状态的第三数量个存储器单元及具有第二逻辑状态的第四数量个存储器单元来写入所述一组存储器单元，且所述电路系统可经配置以基于所述第三数量识别所述第一数量个存储器单元的所述激活及识别所述第二数量个存储器单元的所述激活。
[0185]
在一些实例中，为执行所述加偏压操作，所述电路系统可经配置以用在所述加偏压操作内增加的电压加偏压于所述一组存储器单元。
[0186]
在一些实例中，所述存取操作包含所述加偏压操作，所述第一条件包含所述加偏压操作的第一电压，且所述第二条件包含所述加偏压操作的第二电压，且为确定所述存取操作的所述参数，所述电路系统可经配置以基于所述第一电压与所述第二电压之间的差值来确定所述存取操作的参考电压。
[0187]
在一些实例中，所述存取操作包含所述加偏压操作，所述第一条件包含所述加偏压操作的第一时间，且所述第二条件包含所述加偏压操作的第二时间，且为确定所述存取操作的所述参数，所述电路系统可经配置以基于所述第一时间与所述第二时间之间的差值来确定所述存取操作的完成时间。
[0188]
在一些实例中，所述电路系统可经配置以基于所述经确定参数修改所述存取操作。
[0189]
在一些实例中，为识别所述第一存储器单元的所述激活，为识别所述第二存储器单元的所述激活或两者，所述电路系统可经配置以识别所述相应存储器单元的阈值化。
[0190]
在一些实例中，为识别所述第一存储器单元的所述激活，为识别所述第二存储器单元的所述激活或两者，所述电路系统可经配置以识别所述相应存储器单元的电阻变化。
[0191]
本文中所描述的信息及信号可使用各种不同科技及技术中的任一者表示。例如，可贯穿上文描述引用的数据、指令、命令、信息、信号、位、符号及芯片可由电压、电流、电磁波、磁场或磁性粒子、光场或光学粒子或其任何组合来表示。一些图式可将信号说明为单个信号；然而，所属领域的一般技术人员将理解，所述信号可表示信号总线，其中所述总线可具有各种位宽度。
[0192]
如本文中所使用，术语“虚拟接地”是指保持于近似零伏特(0v)的电压但不直接与
接地耦合的电路的节点。因此，虚拟接地的电压可暂时波动且在稳定状态下返回到近似0v。虚拟接地可使用各种电子电路元件(例如由计算放大器及电阻器组成的分压器)实施。其它实施方案也是可行的。“虚拟接地”或“经虚拟接地”意味着连接到近似0v。
[0193]
术语“电子通信”、“导电接触”、“连接”及“耦合”可是指支持组件之间的信号流动的介于组件之间的关系。如果在组件之间存在可在任何时候支持组件之间的信号流动的任何导电路系统径，那么组件被视为彼此电子通信(或导电接触或连接或耦合)。在任何给定时间，基于包含经连接组件的装置的操作，彼此电子通信(或导电接触或连接或耦合)的组件之间的导电路系统径可为开路或闭路。经连接组件之间的导电路系统径可为组件之间的直接导电路系统径或经连接组件之间的导电路系统径可为可包含中间组件(例如开关、晶体管或其它组件)的间接导电路系统径。在一些情况中，例如，可使用一或多个中间组件(例如开关或晶体管)在一时间内中断经连接组件之间的信号流动。
[0194]
术语“耦合”是指从其中目前无法经由导电路系统径在组件之间传送信号的组件之间的开路关系移动到其中可经由所述导电路系统径在组件之间传送信号的组件之间的闭路关系的条件。当一组件(例如控制器)与其它组件耦合在一起时，所述组件启动允许信号经由先前不允许信号流动的导电路系统径在其它组件之间流动的变化。
[0195]
术语“隔离”是指其中信号目前无法在组件之间流动的组件之间的关系。如果组件之间存在开路，那么组件彼此隔离。例如，当定位于两个组件之间的开关断开时，由所述开关分离的所述组件彼此隔离。当控制器使两个组件彼此隔离时，所述控制器影响防止信号使用先前允许信号流动的导电路系统径在组件之间流动的变化。
[0196]
本文中所使用的术语“层(layer)”是指几何结构的层(stratum)或薄片。每一层可具有三个维度(例如，高度、宽度及深度)且可覆盖表面的至少一部分。例如，层可为三维结构，其中两个维度大于第三维度(例如，薄膜)。层可包含不同元件、组件及/或材料。在一些情况中，层可由两个或更多个子层组成。在一些附图中，为说明目的，描绘三维层的两个维度。
[0197]
如本文中所使用，术语“基本上”意味着修饰特性(例如，由术语基本上修饰的动词或形容词)无需为绝对的，而是足够接近以便实现特性的优点。
[0198]
如本文中所使用，术语“电极”可是指电导体，且在一些情况中，可用作到存储器阵列的存储器单元或其它组件的电触点。电极可包含提供存储器阵列的元件或组件之间的导电路系统径的迹线、导线、导电线、导电层或类似者。
[0199]
如本文中所使用，术语“短接”是指组件之间的关系，其中经由激活讨论中的两个组件之间的单个中间组件而在组件之间建立导电路系统径。例如，当两个组件之间的开关闭合时，短接到第二组件的第一组件可与所述第二组件交换信号。因此，短接可为使电荷能够在电子通信的组件(或线)之间流动的动态操作。
[0200]
本文中所论述的装置(包含存储器阵列)可形成于半导体衬底(例如硅、锗、硅锗合金、砷化镓、氮化镓等)上。在一些情况中，衬底是半导体晶片。在其它情况中，衬底可为绝缘体上硅(soi)衬底，例如玻璃上硅(sog)或蓝宝石上硅(sop)，或另一衬底上的半导体材料的外延层。可通过使用各种化学物种(包含(但不限于)磷、硼或砷)掺杂来控制衬底或衬底子区域的导电性。掺杂可在衬底的初始形成或生长期间通过离子植入或通过任何其它掺杂方法而执行。
[0201]
本文中所论述的开关组件或晶体管可表示场效晶体管(fet)且包括三端子装置，包含源极、漏极与栅极。所述端子可通过导电材料(例如，金属)连接到其它电子元件。源极及漏极可为导电的且可包括重度掺杂(例如，简并)半导体区。源极及漏极可由轻度掺杂半导体区或沟道分离。如果沟道是n型(即，多数载子是电子)，那么fet可被称为n型fet。如果沟道是p型(即，多数载子是空穴)，那么fet可被称为p型fet。沟道可由绝缘栅极氧化物罩盖。可通过将电压施加到栅极而控制沟道导电性。例如，分别将正电压或负电压施加到n型fet或p型fet可导致沟道变为导电。当将大于或等于晶体管的阈值电压的电压施加到晶体管栅极时，所述晶体管可“接通”或“激活”。当将小于所述晶体管的阈值电压的电压施加到所述晶体管栅极时，所述晶体管可“关断”或“撤销激活”。
[0202]
本文中所陈述的描述结合随附图式描述实例性配置且不表示可实施或在权利要求书的范围内的所有实例。本文中所使用的术语“示范性”意味着“用作实例、例子或说明”，而非“优选”或“优于其它实例”。详细描述包含用以提供对所描述技术的理解的具体细节。然而，这些技术可在无这些具体细节的情况下实践。在一些例子中，以框图形式展示众所周知的结构及装置以避免模糊所描述实例的概念。
[0203]
在附图中，类似组件或特征可具有相同参考标记。此外，可通过在参考标记后加一破折号及区分类似组件的第二标记来区分相同类型的各种组件。如果仅在说明书中使用第一参考标记，那么描述适用于具有相同第一参考标记的类似组件中的任一者，而无关于第二参考标记。
[0204]
可使用经设计以执行本文中所描述的功能的通用处理器、dsp、asic、场可编程门阵列(fpga)或其它可编程逻辑装置、离散门或晶体管逻辑、离散硬件组件或其任何组合来实施或执行结合本文中的公开内容描述的各种说明性块及模块。通用处理器可为微处理器，但在替代例中，处理器可为任何处理器、控制器、微控制器或状态机。处理器还可实施为计算装置的组合(例如，数字信号处理器(dsp)及微处理器的组合、多个微处理器、结合dsp核心的一或多个微处理器或任何其它此配置)。
[0205]
本文中所描述的功能可实施为硬件、由处理器执行的软件、固件或其任何组合。如果实施为由处理器执行的软件，那么可将功能作为一或多个指令或代码存储于计算机可读媒体上或经由计算机可读媒体传输。其它实例及实施方案在本公开及随附权利要求书的范围内。举例来说，归因于软件的性质，可使用由处理器执行的软件、硬件、固件、硬接线或这些中的任何者的组合来实施本文中所描述的功能。实施功能的特征还可物理定位于各种位置处，包含经分布使得在不同物理位置处实施功能的部分。而且，如本文中所使用，包含在权利要求书中，如一物项清单(举例来说，以例如“至少一者”或“一或多者”的词组开始的物项清单)中使用的“或”指示包含清单，使得(举例来说)a、b或c中的至少一者的清单意味着a或b或c或ab或ac或bc或abc(即，a及b及c)。而且，如本文中所使用，词组“基于”不应被解释为对条件闭集的参考。例如，在不脱离本公开的范围的情况下，被描述为“基于条件a”的示范性步骤可基于条件a及条件b两者。换句话说，如本文中所使用，词组“基于”应按相同于词组“至少部分基于”的方式来解释。
[0206]
提供本文中的描述以使所属领域的技术人员能够制作或使用本公开。所属领域的技术人员将明白对本公开的各种修改，且本文中所定义的通用原理可应用于其它变动而不脱离本公开的范围。因此，本公开并不限于本文中所描述的实例及设计，而应符合与本文中
所公开的原理及新颖特征一致的最广泛范围。

技术特征：

1.一种方法，其包括：对一组存储器单元启动加偏压操作；在所述加偏压操作的第一条件下识别所述一组存储器单元中的第一存储器单元的激活；在所述加偏压操作的第二条件下识别所述一组存储器单元中的第二存储器单元的激活；及至少部分基于所述第一条件与所述第二条件之间的差值来确定存取操作的参数。2.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：至少部分基于所述经确定参数修改所述存取操作。3.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一条件对应于所述加偏压操作的第一时间且所述第二条件对应于所述加偏压操作的第二时间，且确定所述参数包括：至少部分基于所述第一时间与所述第二时间之间的差值来确定所述存取操作的持续时间。4.根据权利要求3所述的方法，其中确定所述存取操作的所述持续时间包括：至少部分基于所述第一时间与所述第二时间的平均值及所述第一时间与所述第二时间之间的所述差值来确定所述持续时间。5.根据权利要求3所述的方法，其中确定所述存取操作的所述持续时间包括：至少部分基于所述第二时间及所述第一时间与所述第二时间之间的所述差值来确定所述持续时间。6.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一条件对应于所述加偏压操作的第一电压且所述第二条件对应于所述加偏压操作的第二电压，且其中确定所述参数包括：至少部分基于所述第一电压与所述第二电压之间的差值来确定用于所述存取操作的评估的电压。7.根据权利要求6所述的方法，其中确定用于所述存取操作的评估的所述电压包括：至少部分基于所述第二电压及所述第一电压与所述第二电压之间的所述差值来确定用于所述存取操作的评估的所述电压。8.根据权利要求6所述的方法，其中确定用于所述存取操作的评估的所述电压包括：至少部分基于所述第一电压与所述第二电压的平均值及所述第一电压与所述第二电压之间的所述差值来确定用于所述存取操作的评估的所述电压。9.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：用具有第一逻辑状态的第一数量个存储器单元及具有第二逻辑状态的第二数量个存储器单元写入所述一组存储器单元，其中识别所述第一存储器单元的所述激活及识别所述第二存储器单元的所述激活是至少部分基于所述第一数量。10.根据权利要求1所述的方法，其中所述加偏压操作包括：用在所述加偏压操作内增加的电压加偏压于所述一组存储器单元。11.根据权利要求1所述的方法，其中：识别所述第一存储器单元的所述激活是至少部分基于确定所述加偏压操作已激活所述一组存储器单元中的第一数量个存储器单元；且识别所述第二存储器单元的所述激活是至少部分基于确定所述加偏压操作已激活所
述一组存储器单元中的第二数量个存储器单元。12.根据权利要求1所述的方法，其中所述存取操作包括所述加偏压操作，所述第一条件包括所述加偏压操作的第一电压，且所述第二条件包括所述加偏压操作的第二电压，且确定所述存取操作的所述参数包括：至少部分基于所述第一电压与所述第二电压之间的差值来确定所述存取操作的参考电压。13.根据权利要求1所述的方法，其中所述存取操作包括所述加偏压操作，所述第一条件包括所述加偏压操作的第一时间，且所述第二条件包括所述加偏压操作的第二时间，且确定所述存取操作的所述参数包括：至少部分基于所述第一时间与所述第二时间之间的差值来确定所述存取操作的完成时间。14.根据权利要求1所述的方法，其中识别所述第一存储器单元的所述激活、识别所述第二存储器单元的所述激活或两者包括：识别所述相应存储器单元的阈值化。15.根据权利要求1所述的方法，其中识别所述第一存储器单元的所述激活、识别所述第二存储器单元的所述激活或两者包括：识别所述相应存储器单元的电阻变化。16.一种设备，其包括：一组存储器单元；及电路系统，其与所述一组存储器单元耦合且经配置以：对所述一组存储器单元启动加偏压操作；在所述加偏压操作的第一条件下识别第一数量个所述一组存储器单元的激活；在所述加偏压操作的第二条件下识别第二数量个所述一组存储器单元的激活；及至少部分基于所述第一条件与所述第二条件之间的差值来确定存取操作的参数。17.根据权利要求16所述的设备，其中所述第一条件对应于所述加偏压操作的第一时间且所述第二条件对应于所述加偏压操作的第二时间，且为确定所述存取操作的所述参数，所述电路系统经配置以：至少部分基于所述第一时间与所述第二时间之间的差值来确定所述加偏压操作的持续时间。18.根据权利要求16所述的设备，其中所述第一条件对应于所述加偏压操作的第一电压且所述第二条件对应于所述加偏压操作的第二电压，且为确定所述存取操作的所述参数，所述电路系统经配置以：至少部分基于所述第一电压与所述第二电压之间的差值来确定所述存取操作的电压。19.根据权利要求16所述的设备，其中所述电路系统经配置以：用具有第一逻辑状态的第三数量个存储器单元及具有第二逻辑状态的第四数量个存储器单元来写入所述一组存储器单元，其中所述电路系统经配置以至少部分基于所述第三数量识别所述第一数量个存储器单元的所述激活及识别所述第二数量个存储器单元的所述激活。20.根据权利要求16所述的设备，其中为执行所述加偏压操作，所述电路系统经配置
以：用在所述加偏压操作内增加的电压加偏压于所述一组存储器单元。21.根据权利要求16所述的设备，其中所述存取操作包括所述加偏压操作，所述第一条件包括所述加偏压操作的第一电压，且所述第二条件包括所述加偏压操作的第二电压，且为确定所述存取操作的所述参数，所述电路系统经配置以：至少部分基于所述第一电压与所述第二电压之间的差值来确定所述存取操作的参考电压。22.根据权利要求16所述的设备，其中所述存取操作包括所述加偏压操作，所述第一条件包括所述加偏压操作的第一时间，且所述第二条件包括所述加偏压操作的第二时间，且为确定所述存取操作的所述参数，所述电路系统经配置以：至少部分基于所述第一时间与所述第二时间之间的差值来确定所述存取操作的完成时间。23.一种方法，其包括：对一组存储器单元启动加偏压操作；识别对应于所述一组存储器单元中的第一数量个存储器单元的激活的所述加偏压操作的第一条件；识别对应于所述一组存储器单元中的第二数量个存储器单元的激活的所述加偏压操作的第二条件；及至少部分基于所述第一条件与所述第二条件之间的差值确定存取操作的参数。24.根据权利要求23所述的方法，其中所述存取操作包括所述加偏压操作，且其中确定所述存取操作的所述参数包括：确定用于结束所述加偏压操作的条件。25.根据权利要求24所述的方法，其中确定用于结束所述加偏压操作的条件包括：确定所述加偏压操作的结束时间。26.根据权利要求24所述的方法，其中确定用于结束所述加偏压操作的所述条件包括：确定所述加偏压操作的结束电压。

技术总结

本发明描述用于存储器装置的分布跟随存取操作的方法、系统及装置。在实例中，所描述技术可包含：在加偏压操作的第一条件下识别第一存储器单元的激活；及在所述加偏压操作的第二条件下识别第二存储器单元的激活；及至少部分基于所述第一条件与所述第二条件之间的差值来确定存取操作的参数。在一些实例中，所述存储器单元可与例如硫属化物材料的可配置材料元件相关联，所述可配置材料元件基于所述材料元件的材料性质存储逻辑状态。在一些实例中，所述所描述技术可至少部分补偿归因于随时间的老化或其它降级或变化而引起的存储器材料性质的变化。性质的变化。性质的变化。