IR2104s半桥驱动芯⽚使⽤经验及注意事项多次使⽤IR2104s,每次的调试都有种让⼈吐⾎的冲动。现在将使⽤过程遇到的错误给⼤家分享⼀下,⽅便⼤家到思路。 1、听说⾃举电路必须要安装场效应管,于是我在使⽤过程中,安装了只半桥的⾼端场效应管。 结果:⾼端驱动HO⽆输出信号
气压顶杆正确做法:⾃举电路回路是与半桥的下场效应管构成回路的,应该安装下场效应管,保险的做法是两个场效应管都安装
2、⾃举电容采⽤104,⾃举⼆极管采⽤SS34 ,(这两种参数是我以前⽐赛的常见参数值,很⾃信)
漂浮大陆测试条件:1K PWM
结果:LO 有1K的PWM ,VS 有 1K PWM,上场效应管Ugs = 2V,
反思:以前⽐赛的时候,测试使⽤的是信号发⽣器给PWM,标准频率为10K。 正确办法:把输⼊PWM的频率改为 10K 。因为⾃举电容与⾃举回路的充放电频率有关,频率越⾼,⾃
举电容越⼩。
有⼀次测试也是⾼端引起不正常,结果换⼀块芯⽚就正常了。镍铬合金
4、现象:IR2104s HO端对地测试的电压为PWM(⾼电平为2倍IR2104s的VCC,低电平为0)
IR2104s LO 端对地测试的电压为PWM(⾼电平为1倍IR2104s的VCC,低电平为0)
原因:这是很明显的⾃举参数不对,你测Vgs的电压应该是接近0的电平)
5、买到假的场效应引起错误。
模拟温度传感器⼆、驱动部分(共性)
1、驱动能⼒不⾜引起带负载能⼒不⾜,且效率低下。太阳能跟踪控制器
由于IR2104s的推挽电流为130mA/270mA,在做⼤功率电源开关器件的驱动的时候,由于驱动能⼒不⾜,会导致输出带负载能⼒不⾜。
⽬前,IR公司的IR2184的驱动电流为1.4A/1.8A,HIP4081的驱动能⼒有2.5A,TI的UCC系列有4A的驱动。
理由:由于MOSFET的G,D,S两两之间存在寄⽣电容,他们的输⼊电容、输出电容和反向传输电容公式分别为
其中:Ciss与驱动设计有关,特别是驱动电流过⼩,充电时间慢。
缠绕膜复卷机
Coss⽤于设计软开关,可能引起电路的谐振。
Crss影响开关的上升和下降时间。