STM8L051低功耗模式实现说明文档

STM8L051低功耗模式测试文档

STM8L051的五种低功耗模式wait ，low power run mode，low power wait mode，Ative-Halt mode，Halt mode。

1、WAIT mode

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在等待模式，CPU的时钟是停止的，被选择的外设继续运行。WAIT mode 分为两种方式：WFE，WFI。WFE是等待事件发生，才从等待模式中唤醒。WFI是等待中断发生，才从等待模式中唤醒。

2、low power run mode

在低功耗运行模式下，CPU和被选择的外设在工作，程序执行在LSI或者LSE下，从RAM中执行程序，Flash和EEPROM都要停止运行。电压被配置成Ultra Low Power模式。进入此模式可以通过软件配置，退出此模式可以软件配置或者是复位。

3、low power wait mode

这种模式进入是在low power run mode下，执行wfe。在此模式下CPU时钟会被停止，其他的外设运行情况和low power run mode类似。在此模式下可以被内部或外部事件、中断和复位唤醒。当被事件唤醒后，系统恢复到low power run mode。

4、Active-Halt mode

在此模式下，除了RTC外，CPU和其他外设的时钟被停止。系统唤醒是通过RTC中断、外部中断或是复位。

5、Halt mode

在此模式下，CPU和外设的时钟都被停止。系统唤醒是通过外部中断或复位。关闭内部的参考电压可以进一步降低功耗。通过配置ULP位和FWU位，也可以6us的快速唤醒，不用等待内部的参考电压启动。

一、各个低功耗模式的代码实现

1、 WAIT mode

等待模式分为两种：WFI和WFE。

1.1 WFI mode

当执行“wfi”语句时，系统就进入WFI模式，当中断发生时，CPU被从WFI模式唤醒，执行中断服务程序和继续向下执行程序。

通过置位CFG_GCR的AL位，使主程序服务完中断服务程序后，重新返回到WFI 模式。

沟槽式管接头程序如下：

void Mcuwfi()

{

PWR_UltraLowPowerCmd(ENABLE); //开启电源的低功耗模式

CLK_HSEConfig(CLK_HSE_OFF); //关闭HSE时钟（16MHz）

#ifdef USE_LSE

电脑视保屏 CLK_SYSCLKSourceConfig(CLK_SYSCLKSource_LSE);

CLK_SYSCLKSourceSwitchCmd(ENABLE);

while (((CLK->SWCR)& 0x01)==0x01);

CLK_HSICmd(DISABLE);

#else

CLK_SYSCLKDivConfig(CLK_SYSCLKDiv_1);

CLK_SYSCLKSourceConfig(CLK_SYSCLKSource_LSI);

CLK_SYSCLKSourceSwitchCmd(ENABLE);

while (((CLK->SWCR)& 0x01)==0x01);

CLK_HSICmd(DISABLE);

#endif //切换时钟到LSI（38KHz）

wfi(); //进入WFI模式

#ifdef Only_Interrupt //设置CFG_GCR的AL位，服务完中断后回到WFI模式

CFG->GCR =CFG_GCR_AL;

#endif

}

1.2 WFE

当执行“wfe”语句时，系统就进入WFE模式。

WFE有两种唤醒模式，一种是：中断唤醒，一种是：事件唤醒。

当中断唤醒时，当执行到wfe时，进入wfe模式休眠。系统执行步骤如下：进入WFE模式 ---> 有中断产生 --->系统唤醒 --->执行中断服务程序 --->继续休眠。

当事件唤醒时，当执行到wfe时，进入wfe模式休眠。系统执行步骤如下：进入WFE模式 ---> 有中断产生 --->系统唤醒 --->执行中断服务程序 --->继续往下执行。

2、low power run mode

eoo这种模式程序在RAM中执行，EEPROM和FLASH是在IDDQ（低功耗模式），时钟切换到低速时钟。

进入此模式的步骤如下：

1、进入RAM

2、切换系统时钟到LSE或LSI

3、关闭高速时钟、外设和ADC

4、屏蔽中断

5、通过设置FLASH_CR1的EEPM位来关闭FLASH和EEPROM

6、等待FLASH和EEPROM关闭

7、通过设置CLK_REGCSR的REGOFF位进入校准低功耗模式

退出low power run mode的步骤如下：

1、通过重置CLK_REGCSR的REGOFF位进入主校准模式，延时等待主校准稳定。

2、通过设置FLASH_CR1的EEPM位来打开FLASH和EEPROM，延时等待FLASH和EEPROM打开。

3、屏蔽所有中断。

程序如下：

void LPR_init(void)

{

/*Switch the clock to LSE and disable HSI*/

钙锌复合稳定剂 CLK_HSEConfig(CLK_HSE_OFF);

#ifdef USE_LSE

CLK_SYSCLKSourceConfig(CLK_SYSCLKSource_LSE);

CLK_SYSCLKSourceSwitchCmd(ENABLE);

while (((CLK->SWCR)& 0x01)==0x01);

CLK_HSICmd(DISABLE);

#else

CLK_SYSCLKDivConfig(CLK_SYSCLKDiv_1);

CLK_SYSCLKSourceConfig(CLK_SYSCLKSource_LSI);

CLK_SYSCLKSourceSwitchCmd(ENABLE);

while (((CLK->SWCR)& 0x01)==0x01);

CLK_HSICmd(DISABLE);

#endif

//PWR_UltraLowPowerCmd(ENABLE);

/*Configure event for WAKEUP and FUNCTION, disable the interrupts*/

CLK_RTCClockConfig(CLK_RTCCLKSource_LSI, CLK_RTCCLKDiv_1); //切换系统时钟 // 到LSI

sim(); //屏蔽中断

LPR_Ram(); // Call in RAM //程序在RAM里执行

//if(lowpowerwait_flag==1)

// {

// lowpowerwait_flag=0;

//Switch on the regulator

// CLK->REGCSR = 0xb9;

// while(((CLK->REGCSR)&0x1) != 0x1);

/*Switch the clock to HSI*/

CLK_SYSCLKDivConfig(CLK_SYSCLKDiv_1);

CLK_HSICmd(ENABLE);

while (((CLK->ICKCR)& 0x02)!=0x02);

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CLK_SYSCLKSourceConfig(CLK_SYSCLKSource_HSI);

本文发布于:2024-09-22 07:01:15，感谢您对本站的认可！

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