半导体激光器（激光二极管）
无焰泄放装置
半导体激光器又称为激光二极管（LD，硼硅酸盐玻璃Laser Diode），是采用半导体材
料作为工作物质而产生受激发射的一类激光器。常用材料有砷化镓（GaAs）、
硫化镉（CdS）、磷化铟（InP）、硫化锌（ZnS）。激励方式有电注入、电子束激 励和光泵浦激励三种形式。半导体激光器件，一般可分为同质结、单异质结、
双异质结。同质结激光器和单异质结激光器室温时多为脉冲器件，而双异质结
电动黄包车激光器室温时可实现连续工作。半导体激光器的优点在于体积小、重量轻、运
转可靠、能耗低、效率高、寿命长、高速调制，因此半导体激光器在激光通信、
光存储、光陀螺、激光打印、激光医疗、激光测距、激光雷达、自动控制、检
测仪器等领域得到了广泛的应用。
半导体激光器工作原理是：通过一定的激励方式，在半导体物质的能带
（导带与价带）之间，或者半导体物质的能带与杂质（受主或施主）能级之间，
实现非平衡载流子的粒子数反转，当处于粒子数反转状态的大量电子与空穴复
合时便产生受激发射作用。半导体激光器的激励方式主要有三种：电注入式、
电子束激励式和光泵浦激励式。电注入式半导体激光器一般是由 GaAS（砷化
镓）、InAS（砷化铟）、Insb（锑化铟）等材料制成的半导体面结型二极管，沿
正向偏压注入电流进行激励，在结平面区域产生受激发射。电子束激励式半导
体激光器一般用 N 型或者 P 型半导体单晶（PbS、CdS、ZhO 等）作为工作物
质，通过由外部注入高能电子束进行激励。光泵浦激励式半导体激光器一般用
N 型或 P 型半导体单晶（GaAS图像拼接器、InAs、InSb 贴片变压器等）作为工作物质，以其它激光
器发出的激光作光泵激励。
软膜布 目前在半导体激光器件中，性能较好、应用较广的是：具有双异质结构
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