烧结温度对ＳｉＣ／莫来石复相多孔陶瓷的影响／陈茂开等・１１９・烧结温度对ＳｉＣ／莫来石复相多孑Ｌ陶瓷的影响” 陈茂开，万隆，刘小磐，胡伟达，王俊沙，翟浩冲
音频延时器（湖南大学材料科学与工程学院，长沙４１００８２）
摘要以高岭土、ＳｉＣ粉末、Ａ１２（）。粉末为主要原料，采用添加造孔剂法制备了ＳｉＣ／莫来石复相多孔陶瓷，探讨了烧结温度对多孔陶瓷的气孔率、体积密度、抗折强度等的影响。分别采用Ｘ射线衍射仪（ＸＲＤ）、扫描电子显微镜（ＳＥＭ）表征了样品的物相组成与断面形貌。结果表明，以淀粉为造孔稍，在１３５０℃下保温２ｈ制备的样品综合性能最佳，其孔隙率为３１．４０％，抗折强度达到４２．５０ＭＰａ。 关键词碳化硅莫来石多孑Ｌ陶瓷烧结温度造孔剂
中图分类号：ＴＢ３３２文献标识码：Ａ
ＩｎｆｌｕｅｎｃｅｓｏｆＳｉｎｔｅｒｉｎｇＴｅｍｐｅｒａｔｕｒｅｏｎｔｈｅＰｏｒｏｕｓＳｉＣ／ＭｕｌｌｉｔｅＣｅｒａｍｉｃｓＣＨＥＮＭａｏｋａｉ，ＷＡＮＬｏｎｇ，ＬＩＵＸｉａｏｐａｎ，ＨＵＷｅｉｄａ，ＷＡＮＧＪｕｎｓｈａ，ＺＨＡＩＨａｏｃｈｏｎｇ（ＳｃｈｏｏｌｏｆＭａｔ
ｅｒｉａｌＳｃｉｅｎｃｅａｎｄＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，ＨｕｎａｎＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙ，Ｃｈａｎｇｓｈａ４１００８２）
ＡｂｓｔｒａｃｔＰｏｒｏｕｓＳｉＣ／ｍｕｌｌｉｔｅｃｅｒａｍｉｃｓｗｅｒｅｐｒｅｐａｒｅｄｂｙａｄｄｉｎｇｐｏｒｅ－ｆｏｒｍｉｎｇｍａｔｅｒｉａｌｍｅｔｈｏｄｗｉｔｈｋａｏｌｉｎｃｌａｙ，ＳｉＣｐｏｗｄｅｒａｎｄＡｌｚ０３ｐｏｗｄｅｒａｓｒａｗｍａｔｅｒｉａｌｓ．Ｔｈｅｅｆｆｅｃｔｓｏｆｓｉｎｔｅｒｉｎｇｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅｏｎｔｈｅｐｏｒｏｓｉｔｙ，ｂｕｌｋｄｅｎ—ｓｉｔｙａｎｄｆｌｅｘｕｒａｌｓｔｒｅｎｇｔｈｏｆｐｏｒｏｕｓｃｅｒａｍｉｃｗｅｒｅｓｔｕｄｉｅｄ．ＴｈｅｃｒｙｓｔａｌｐｈａｓｅａｎｄｆｒａｃｔｕｒｅｍｏｒｐｈｏｌｏｇｙｏｆｓａｍｐｌｅｓｗｅｒｅｃｈａｒａｃｔｅｒｉｚｅｄｂｙＸＲＤａｎｄＳＥＭ，ｒｅｓｐｅｃｔｉｖｅｌｙ．Ｔｈｅｒｅｓｕｌｔｓｓｈｏｗｔｈａｔｔｈｅｓａｍｐｌｅｓｉｎｔｅｒｅｄａｔ］３５０℃ｆｏｒ２ｈｗｉｔｈａｍｙ－ｌｕｍａｓｔｈｅｐｏｒｅ－ｆｏｒｍｉｎｇａｇｅｎｔｅｘｈｉｂｉｔｓｔｈｅｍｏｓｔｅｘｃｅｌｌｅｎｔｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ：ｉｔｓｐｏｒｏｓｉｔｙｉｓ３１．４０％，ｍａｘｉｍａｌｆｌｅｘｕｒａｌｓｔｒｅｎｇｔｈｉｓ４２．５０ＭＰａ．
Ｋｅｙｗｏｒｄｓｓｉｌｉｃｏｎｃａｒｂｉｄｅ，ｍｕｌｌｉｔｅ，ｐｏｒｏｕｓｃｅｒａｍｉｃｓ，ｓｉｎｔｅｒｉｎｇｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ，ｐｏｒｅ－ｆｏｒｍｉｎｇａｇｅｎｔ
０引言
多孔陶瓷因具有耐高温、耐腐蚀、稳定性好等性能，已成功应用到工业的各个方面，如各种固液、固气分离材料、隔热、吸音、催化剂载体以及生物材料等［１一。ＳｉＣ陶瓷具有高的室温和高温机械强度、高硬耐磨、良好的高温抗氧化性能及耐化学腐蚀性能等［２～。莫来石是Ａｌ：Ｏ。一ｓｉ０：体系中唯一的稳定化合物，具有较低的热传导系数和热膨胀系数、高抗蠕变性以及良好的抗热震性和抗化学侵蚀等特性∞］，是一种重要的工程陶瓷材料。ＳｉＣ粉末不易成型，故在制备ＳｉＣ多孔陶瓷时通常加入部分粘土（如高岭土）等，以提高成型性能Ｈ“Ｊ，同时也可降低材料的烧结温度。一定比例的高岭土和氧化铝在高温下可转化为莫来石，而莫来石和ＳｉＣ具有相近的热膨胀系数和良好的化学相容性，这为制备ＳｉＣ／莫来石多孔陶瓷提供了理论依据［７］。
多孔陶瓷的制备方法有很多，如有机泡沫浸渍法［８］、添加造孔剂法、溶胶一凝胶法和发泡法等［９］。本实验采用添加造孔剂法，通过高岭土与氧化铝之间的反应在ＳｉＣ材料中引入莫来石，从而制备ｓｉｃ／莫来石复相多孔陶瓷，探讨了烧结温度对多孑Ｌ陶瓷的气孑Ｌ率、体积密度、力学性能、物相、断面形貌、抗氧化及抗热震等性能的影响，并比较了淀粉造孔剂与炭黑造孔剂对多孔陶瓷性能的影响。
１实验
１．１原料及样品制备
选用高岭土、ＳｉＣ粉末、Ａ１：０３粉末为主要原料，配方没计如表１所示。
表１样品配方
Ｔａｂｌｅ１Ｆｏｒｍｕｌａｏｆｓａｍｐｌｅｓ
按表ｌ所示比例称取一定量的原料，分别以淀粉与炭黑为造孔剂，以Ｙ。Ｏ。为烧结助剂，聚乙烯醇（ＰＶＡ）溶液为临时粘接剂，混合均匀并在１００ＭＰａ压力下模压成型，将坯体干燥２４ｈ后于空气气氛下烧结，烧结温度分别为１２５０℃、１３００℃、１３５０℃、１４００℃和１４５０℃，保温２ｈ，自然冷却后即得到不同温度下烧结的ｓｉｃ／莫来石复相多孔陶瓷。
１ｊ２样品表征
采用德国ＮＥＴＺＳＣＨＳＴＡ４４９Ｃ型综合分析仪分析造孔
＊长沙市科技计划项目（Ｋ１１０９１１７—１１）
陈茂开：男，１９８６年生，硕士研究生，研究方向为结构与功能陶瓷材料万隆：通讯作者，男，１９５６年生，教授，博士生导师Ｅｍａｉｌ：ｗａｎｌｏｎ９１７９９＠１６３．ｃｏｍ
・１２０・材料导报Ｂ：研究篇２０１２年１０月（下）第２６卷第１０期
剂在加热过程中的变化（升温速率为１０℃／ｍｉｎ，空气中）；采
用Ｓｉｅｍｅｎｓ公司Ｄ５０００型ｘ射线衍射仪对烧结后的试样进
行物相分析；采用阿基米德排水法测量试样的气孔率以及体
积密度；采用ＳＫＺ－５００型数显抗折试验机测试试样抗弯蓝强
度（试样尺寸为４０ｍｍｘ５ｍｍ×５ｒａｍ，跨距为３０ｒａｍ，加荷速
度为（９．８－－＋－＿０．１）Ｎ／ｓ）；采用日本ＥＩＱＵＡＮＴＡ一２００型扫描电
子显微镜观察试样的断面显微结构。
２结果与讨论
２．１淀粉与炭黑的ＴＧ／ＤＳＣ分析
图１、图２分别为淀粉和炭黑的ＴＧ／ＤＳｃ曲线。从图１
中可以看出，淀粉在加热过程中存在两个放热峰，在３３３．１℃
出现一个放热峰，主要是由于淀粉发生复杂的热降解造成
的，其相应失重达７ｚ％；在４０８．７℃ｍ现另一个尖锐的放热
峰，这是由于热降解过程后的残碳化合物在氧气的参与下发
生灼热燃烧所致，失重约为２２％。从图２中可以看出，温度
低于５５０℃时，炭黑氧化缓慢，失重较少；当温度高于５５０℃
时，炭黑开始出现较明显的氧化失重，并在６６２．８℃出现尖锐
的放热峰，氧化反应剧烈，伴随着约为９５％的失重。
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图１淀粉的ＴＧ／ＤＳＣ曲线
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图２炭黑的ＴＧ／ＤＳＣ曲线
Ｆｉｇ．２ＴＧ／ＤＳＣｃＵｒＶＥＳｏｆｃａｒｂｏｎｂｌａｃｋ
综合以上分析，为使淀粉和炭黑充分反应起到造孔的作用，本实验采用的烧结工艺为：在低于７００
℃时采用２℃／ｍｉｎ速率升温，在３３３℃、４０８。Ｃ、６６３℃分别保温０．５ｈ、０．５ｈ、１ｈ；在高于７００。Ｃｆｆ寸采用５℃／ｍｉｎ的速率升温到最高烧结温度，并保温２ｈ。
２．２烧结温度对样品气孔率和体积密度的影响图３、图４分别为ＳｉＣ／莫来石多孔陶瓷的气孑Ｌ率和体积密度与烧结温度的关系曲线。由图３、图４可知，随着烧结温度的升高，多孔陶瓷的气孔率不断下降、体积密度不断增大。添加淀粉和炭黑作为造孔剂的样品的气孑Ｌ率分别从最高的３６．４２％、３８．５０％降至１５，０５％、２１．３１％，同时体积密度分别从最低的１．８９１９／ｃｍ３、１．８６１９／ｃｍ３增大到２．２６２９／ｃｍ３、２．１４１９／ｃｍ３。这是由于当烧结温度较低时，试样中形成的液相与结合相莫来石生成较少，烧结不完全，材料内部结构疏松，导致气孔率较高、体积密度较小；随着烧结温度的升高，产生的液相增多、粘度降低、流动性增大，更多的液相渗入气孔使得烧结体更加致密，因而烧结体的气孔率降低、体积密度增大。
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图３烧结温度对样品气孔率的影响
Ｆｉｇ．３ＰｏｒｏｓｉｔｙｏｆｐｏｒｏｕｓＳｉＣ／ｍｕｌｌｉｔｅｃｅｒａｍｉｃｓｓｉｎｔｅｒｅｄ
ａｔｄｉｆｆｅｒｅｎｔｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅｓ
图４烧结温度对样品体积密度的影响
Ｆｉｇ．４ＶｏｌｕｍｅｄｅｎｓｉｔｙｏｆｐｏｒｏｕｓＳｉＣ／ｍｕｌｌｉｔｅｃｅｒａｍｉｃｓ
ｓｉｎｔｅｒｅｄａｔｄｉｆｆｅｒｅｎｔｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅｓ
另外，从图３、图４中还可以看出，在同一烧结温度下，以炭黑为造孔剂的多孔陶瓷的气孔率高于以淀粉为造孔剂的多孔陶瓷的气孔率，体积密度相对较低。这是由于在成型时，淀粉较炭黑有更好的粘结作用，并当生坯加热到７０～８０℃时，淀粉开始糊化，糊化后的淀粉更能起到很好的粘结作用，使颗粒连接更紧密，气孔相对较少，体积密度相对较大。同时，ＴＧ／ＤＳＣ曲线分析结果显示，淀
粉在４１０。Ｃ时基本氧化完全，而炭黑在５５０℃时才开始出现氧化失重，温度高于６６０℃时才能氧化完全，炭黑完全氧化分解的温度比淀粉高，并由于添加炭黑作为造孔剂的试样易受氧扩散的影响，使炭黑在试样内部的充分氧化反应温度升高，反应相对滞后，这
磺酸酯烧结温度对ＳｉＣ／莫来石复相多孔陶瓷的影响／陈茂开等・１２１・
有助于减少气孑Ｌ在后续高温烧结时的封闭。因此，以炭黑为造孔剂的ｓｉｃ／莫来石多孔陶瓷有相对较高的气孑Ｌ率与相对较低的体积密度。
２．３烧结温度对样品抗折强度的影响
图５为ｓｉｃ／莫来石多孔陶瓷的抗折强度与烧结温度的关系曲线。从图５中可以看出，以淀粉和炭黑作为造孔剂的试样的抗折强度均随烧结温度的升高先增大，并在１３５０℃时达到最大值，分别为４２．５０ＭＰａ和３７．９２ＭＰａ，之后则迅速降低。这是由于当温度低于１３５０℃时，生成的结合相莫来石和产生的玻璃液相较少，ＳｉＣ基本没有变化，仍以颗粒堆积的形式存在，试样气孔率高，结构疏松，因而抗折强度较低；随着烧结温度的升高，一方面原料高岭土中低熔点氧化物如Ｎａｚ０、Ｋ。０、Ｃａ０等熔融成液相，加速了物质的扩散，促进了Ａｌ。（）３与高岭土分饵产生的Ｓｉ０。反应生成莫来石，使莫来石含量增加，与ＳｉＣ结合作用增强；另一方面，当烧结温度低于１３５０℃时，ＳｉＣ的氧化程度较轻微，因此１３５０℃烧结获得的材料抗折强度达到最大值¨…。
随着温度的继续升高，ＳｉＣ表面氧化速率不断地加快，相关反应如式（１）、式（２）所示：
ＳｉＣ（ｓ）＋（３／２）０２（ｇ）＝ｇｉＧ２（ｓ）＋Ｃ０（ｇ）（１）
珠宝展柜制作
ＳｉＣ（ｓ）＋２０２（ｇ）＝Ｓｉ０２（ｓ）＋Ｃ０２（ｇ）（２）
图５烧结温度对样品抗折强度的影响Ｆｉｇ．５鄹ｅｘｕｒａｌｓｔｒｅｎｇｔｈｏｆｐｏｒｏｕｓＳｉＣ／ｍｕｌｌｉｔｅｃｅｒａｍｉｃｓ
ｓｉｎｔｅｒｅｄａｔｄｉｆｆｅｒｅｎｔｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅｓ
当烧结温度达到１４５０℃时，少量结合相发生熔融，导致出现晶界玻璃相；ＳｉＣ表面的氧化膜被破坏，更多的ＳｉＣ裸露，并进而被氧化生成方石英，方石英由于晶型转变引起的体积变化导致样品的变形，同时也产生了一定的微裂纹。此外，过高的烧结温度使ＳｉＣ氧化放出ＣＯ。等气体造成多孔陶瓷样品起泡，生成不规则孔隙，抗折强度出现大幅度下降［１１｜。因此，１３５０℃为较理想的烧结温度。
从图５中不难看出，以淀粉作为造孔剂的试样在同一烧结温度下有更高的抗折强度，这是由于淀粉与炭黑相比具有更好的成型性能和粘结作用，因而在烧结试样气孔率相差不大的情况下，以淀粉作为造孔剂的ｓｉｃ／莫来石多孔陶瓷材料有较好的力学性能。
２．４样品物相分析
图６为以淀粉、炭黑作为造孔剂在１３５０℃烧结制备的ｓｉｃ／莫来石多孔陶瓷样品的ＸＲＤ图。从图６中可以看出，当烧结温度为１３５０℃时，复相多孔陶瓷主晶相为ＳｉＣ，次晶相为莫来石、刚玉和方石英。石英相的出现是由于高岭土的加热分解及ＳｉＣ的氧化反应产生的，莫来石的主要来源反应式如式（３）、式（４）所示：
３（Ａ１２０３・２Ｓ１０２・２Ｈ２０）一３Ａ１２０３・２ＳｉＯｚ＋
４Ｓｉ０２＋６Ｈ２０（３）３Ａ１２０３＋２Ｓｉｏｚ＝３Ａ１２０３・２Ｓｉ０２（４）从图６中还可以看出，弓ｌ入不同的造孔剂（淀粉和炭黑）不会对烧结后样品的物相组成产生明显的影响，表明造孔剂在样品中只起到了造孔效果，并由于其挥发留下孔洞而提高了物质扩散的作用，但并未参与烧结反应。
∞，（ｏ）
图６１３５０℃烧结制备的样品的ＸＲＤ图
Ｆｉｇ．６ＸＲＤｐａｔｔｅｒｎｓｏｆｐｏｒｏｕｓＳｉＣ／ｍｕｌｌｉｔｅｃｅｒａｍｉｃｓ
ｓｉｎｔｅｒｅｄａｔ１３５０＿１Ｃ
２．５烧结温度对样品断面形貌的影响
图７为在不同温度下烧结的ＳｉＣ／莫来石多孔陶瓷断面的ＳＥＭ图。其中图７（ａ）一（ｃ）为以淀粉作为造孔剂烧结制备的多孔陶瓷的ＳＥＭ图，图７（ｄ）一（ｆ）为以炭黑作为造孔剂烧结制备的多孔陶瓷的ＳＥＭ图。从图７（ａ）和图７（ｄ）中可以看出，在烧结温度为１２５０℃时，ｓｉＣ仍以颗粒状堆积，莫来石结合相和液相较少，其中以炭黑为造孔剂的烧结试样内部出现了颗粒的“塌陷”，局部有较大的气孔（图７（ｄ））。较大的气孔是造孔剂烧除后留下来的空隙，而较小的气孔则是由颗粒堆积形成的。因此在１２５０℃烧结的多孔陶瓷因烧结温度低，结合相较少，内部结构疏松，其颗粒堆积形成小气孔的现象尤为明显。
从图７（ｂ）和图７（ｅ）中可以看出，当烧结温度升高到１３５０℃时，气孔减少，莫来石作为结合相生成并在ｓｉＣ晶粒周围形成三维网状膜层包裹在碳化硅表面，起到阻止ＳｉＣ进一步氧化的作用［１¨。由于结合相增多，莫来石中硅铝离子扩散困难，品格位错滑移阻力大，使其具备了优良的高温抗蠕变性能，且高温变形小，线热膨胀系数低，与ＳｉＣ匹配得当。因此，莫来石的生成有助于改善样品的高温性能，提高了制品的热稳定性和抗氧化性能［１“，同时莫来石相与ＳｉＣ形成了有效的结合，使得材料力学性能大幅提高。
从图７（ｃ）和图７（ｆ）中可以看出，当烧结温度达到１４５０℃时，小气孔数量的大幅减少导致
出现了较少的大气孔，ＳｉＣ颗粒之间的结合相发生熔融，导致存在晶界玻璃相，ＳｉＣ表面被氧化或腐蚀生成方石英，其晶型转变的体积效应明显，使
・１２２・材料导报Ｂ：研究篇２０１２年ｌＯ月（下）第２６卷第１０期
材料内部存在裂纹，并当试样受到外力作用时，裂纹总是沿着强度较低的玻璃相扩展，这也是导致试样抗折强度大幅下降的主要原因。
图７不同烧结温度下样品的断面形貌Ｆｉｇ．７ＳＥＭｍｉｃｒｏｇｒａｐｈｓｏｆｐｏｒｏｕｓＳｉＣ／ｍｕｌｌｉｔｅｃｅｒａｍｉｃｓ
ｓｉｎｔｅｒｅｄａｔｄｉｆｆｅｒｅｎｔｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅｓ
３结论
（１）造孔剂对ＳｉＣ／莫来石复相多孔陶瓷性能有直接的影响，淀粉较好的成型性能和粘结作用使其作为造孔剂的多孔陶瓷的综合性能相对较好。
（２）根据ＸＲＤ与ＳＥＭ分析可以得出，结合相莫来石的生成是改善ＳｉＣ／莫来石复相多孑Ｌ陶瓷性能的主要原因。
（３）烧结温度对于ＳｉＣ／莫来石复相多孔陶瓷的性能有重要的影响，随着烧结温度的升高，气孔率不断下降，体积密度不断增大，抗折强度出现先增大后减小的趋势。１３５０℃烧结后样品的气孔率为３１．４０％。常温抗折强度达到最大．为４２．５０ＭＰａ。
参考文献
１ＺｈａｎｇＲｕｉ（张锐）．ＴｈｅｐｏｒｏｓｉｔｙａｎｄｓｔｒｅｎｇｔｈｏｆＳｉＣｐｏｒｏｕｓｃｅｒａｍｉｃｓ（碳化硅多孔陶瓷的气孔率和强度）［Ｊ３．ＤｉａｍｏｎｄＡｂｒａｓｉｖｅｓＥｎｇ（金刚石与磨料磨具工程），２０００（４）：３８
２梁训裕，刘景林．碳化硅耐火材料［Ｍ］．北京：冶金工业出版社，１９８１：１２６
３ＡｋｓａｙＩＡ，ＤａｂｂｓＤＭ，ＳａｒｉｋａｙａＭＭｕｌｌｉｔｅｆｏｒｓｔｒｕｃｔｕｒａｌ，ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ，ａｎｄｏｐｔｉｃａｌａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ［Ｊ］．ｊＡｍＣｅｒａｍＳｏｃ，１９９１，７４（１０）：２３４３
４ＣｈｉＷ（ｊ，ＪｉａｎｇＤＬ，ＨｕａｎｇＺＲ，ｅｔａ１．Ｓｉｎｔｅｒｉｎｇｂｅｈａｖｉｏｒｏｆ
ｐｏｒｏｕｓＳｉＣｃｅｒａｍｉｃｓ［－Ｊ］．ＣｅｒａｍＩｎｔ．２００４，３０（６）：８６
９
５ＺｈａｎｇＲｕｉ（张锐）。ＧａｏＬｉａｎ（高濂），ＣｈｅｎｇＧｕｏｆｅｎｇ（程国峰），ｅｔａ１．ＦａｂｒｉｃａｔｉｏｎａｎｄｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓｏｆＳｉＣｐｏｒｏｕｓｃｅｒａｍｉｃｓｂｙｓｌｉｐｃａｓｔｉｎｇｐｒｏｃｅｓｓ（注浆成型ＳｉＣ多孔材料的工艺和性能研究）［Ｊ］．ＪＩｎｏｒｇＭａｔｅｒ（无机材料学报），２００２，１７（４）：７２５
６ＫｉｍＢＨ，ＮａＹＨ．Ｆａｂｒｉｃａｔｉｏｎｆｉｂｅｒ－ｒｅｉｎｆｏｒｃｅｄｐｏｒｏｕｓｃｅ—ｒａｍｉｅｓｏｆＡ１２０３一ｍｕｌｌｉｔｅａｎｄＳｉＣ—ｍｕｌｌｉｔｅｓｙｓｔｅｍ［Ｊ］．ＣｅｒａｍＩｎｔ，１９９５，２１（６）：３８１
７ＴｉａｎＪ，ＳｈｏｈｕＫ．Ｆｒａｃｔｕｒｅｓｔｒｅｎｇｔｈｏｆｍｅｌｔ—ｉｎｆｉｌｔｒａｔｅｄＳｉＣ—ｍｕｌｌｉｔｅｃｏｍｐｏｓｉｔｅ［Ｊ］．ＪＭａｔｅｒＳｃｉ，２００４，３９（１１）：３７５１
８ＳｃｈｗａｒｔｚｗａｌｄｅｒＫ，ＳｏｍｅｒｓＡＶ．Ｍｅｔｈｏｄｏｆｍａｋｉｎｇｐｏｒｏｕｓｃｅｒａｍｉｃａｒｔｉｃｌｅｓ：ＵＳ３０９００９４［Ｐ］．１９６３—０５—２１
９ＨａｎＹｏｎｇｓｈｅｎｇ（韩永生），Ｉ。ｉＪｉａｎｂａｏ（李建保），ＷｅｉＱｉａｎｇ—
ｍｉｎ（魏强民）．Ｐｒｏｇｒｅｓｓｉｎｔｈｅａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｓａｎｄｆａｂｒｉｃａｔｉｏｎｓｏｆ
ｐｏｒｏｕｓｃｅｒａｍｉｃｓ（多孔陶瓷材料应用及制备的研究进展）［Ｊ］．ＭａｔｅｒＲｅｖ（材料导报）。２００２，１６（３）：２６２
１０ＣｈａｎｇＣｈｕｎ（常春），ＣｈｅｎＣｈｕａｎｚｈｏｎｇ（陈传忠），ＳｕｎＷｅｎｃｈｅｎｇ（孙文成）．Ｏｘｉｄａｔｉｏｎｒｅｓｉｓｔａｎｃｅａｎａｌｙｓｉｓｏｆｓｉｌｉｃｏｎｃａｒｂｉｄｅａｔｈｉｇｈｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ（ＳｉＣ的高温抗氧化性分析）［Ｊ］．ＪＳｈａｎｇｄｏｎｇＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙ（山东大学学报），２００２，３２（６）：５８２１１ＬｉｕＹａｎ（刘岩），ＨｕａｎｇＺｈｅｎｇｒｅｎ（黄政仁），ＤｏｎｇＳｈａｏｍｉｎｇ（董绍明），ｅｔａ１．ＳｌｕｒｒｙｃｏｍｐｏｓｉｔｉｏｎｆｏｒＳｉＣｃｅｒａｍｉｃｓｆｏａｍａｎｄｓｉｎｔｅｒｉｎｇｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅ（碳化硅泡沫陶瓷浆料成分与烧结性能）［Ｊ］．ＪＩｎｏｒｇＭａｔｅｒ（无机材料学报），２００５，２０（２）：３０５
１２ＬｉＲｕｃｈｕｎ（李如椿）．ＴｈｅｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔｏｆｔｈｅＳｉＣｉｎｃｏｍｂｉ—ｎａｔｉｏｎｏｆｍｕｌｌｉｔｅ（莫来石结合碳化硅制品的研制）［Ｊ７．ＪＨｅ—ｂｅｉＩｎｓｔＴｅｃｈｎ（河北理工学院学报），２００１，２３（４）：５１
（责任编辑沈恒）
烧结温度对SiC/莫来石复相多孔陶瓷的影响
作者：陈茂开， 万隆， 刘小磐， 胡伟达， 王俊沙， 翟浩冲， CHEN Maokai， WAN Long， LIU Xiaopan， HU Weida， WANG Junsha， ZHAI Haochong 作者单位：湖南大学材料科学与工程学院，长沙,410082
刊名：
材料导报
扫路刷英文刊名：Materials Review
年，卷(期)：2012,26(20)
本文链接：d.g.wanfangdata/Periodical_cldb201220032.aspx
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