第38卷第3期2019年3月
电工电能新技术
Advanced Technology of Electrical Engineering and Energy
Vol.38,No.3
Mar.2019
收稿日期:2018-08-31
mp3复读机基金项目：科技部重大研究专项 新能源汽车专项 基金(2016YFB0100600)㊁中国科学院 百人计划 人才项目作者简介：刘光辉(1989-)，男，河南籍，博士研究生，研究方向为聚合物基介电薄膜材料; 徐㊀菊(1974-)，女，江西籍，研究员，博士，研究方向为电力电子封装技术㊁电工及能源新材料(通讯作者)㊂
刘光辉1,2
，佟㊀辉1，徐㊀菊1,3
，范㊀涛1,3
(1.中国科学院电工研究所，北京100190;
2.空天先进材料与服役教育部重点实验室，北京航空航天大学材料科学与工程学院，北京100191;
3.中国科学院大学，北京100049)
摘要：在新能源汽车驱动器中，常用的直流母线电容器主要包括电解电容器与聚合物薄膜电容器㊂由于电解电容器的耐电压不高及其自身通过的纹波电流一般较低，为了满足应用要求，需采用串并联结构，从而大大增加了驱动器的重量与体积㊂且相比于聚合物薄膜电容，其可靠性较差㊂因此近年来，由轻质㊁加工性好的高分子聚合物所制备的高性能聚合物薄膜电容器更适用于新能源汽车中电机逆变器的直流母线支撑电容，是目前研究的热点之一㊂本文综述了电解电容器与聚合物薄膜电容器关键功能材料的研究进展，并对其优缺点进行对比分析㊂并在归纳总结了聚合物薄膜电介质材料的研究现状的基础上，展望了聚合物薄膜电介质材料的研究方向及发展前景㊂关键词：直流母线电容器；电解电容；聚合物薄膜电容；电介质材料
DOI :10.12067/ATEEE1808055㊀㊀㊀文章编号:1003-3076(2019)03-0063-11㊀㊀㊀中图分类号:TM2
1
1㊀引言
电容器作为与半导体元器件配合使用的三大被动元器件之一，在电路中具有旁路㊁耦合㊁调谐㊁滤波㊁储能等作用，受到科研工作者的广泛研究[1-5]㊂近年来，在电能存储与转化领域，以电介质储能技术为代表的介质电容器，由于其响应速度快㊁环境友好，在智能电网㊁电动汽车㊁医疗电子㊁电子武器系统等众多被动元器件领域有着广泛的应用需求[6]㊂特别是随着国内外新能源汽车产业的迅猛发展，在新能源汽车驱动器中，直流母线电容器作为与IGBT [7]模块配合使用的支撑电容，已成为高效电机控制逆变器中的核心组成部件㊂
目前，商用电容器的适用范围如图1所示㊂其中适用于新能源汽车用的直流母线电容器，其工作电压一般为几百伏，电容量为几百到上千μF，一般常采用电解电容与聚合物薄膜电容㊂两者的制备方法及关键功能材料截然不同，具体而言包括如下两个方面:①电解电容器是一种可按结构㊁制作工艺划
分的电容器，其特点是负极材料为具有导电性的电解质材料㊂常见的电解电容以铝箔作为电极,Al 2O 3
作为铝电解电容的电介质㊂此外还有结构与铝电解电容类似的钽电解电容及铌电解电容㊂电解电容器
的电极有正负极之分，其电容量及可用面积都较大，但在高温高频下电容量降低，漏电电流升高㊂②聚合物薄膜电容器是采用高分子电介质材料作为储能介质，一般可分为两种：一种是将铝等金属与聚合物薄膜重叠后卷绕在一起，金属为电极，聚合物薄膜为电介质；另一种是在聚合物薄膜表面上蒸镀一层很薄的金属层作为电极，然后再经过卷绕制备㊂其特点是击穿场强大，但高温条件下容易失效[8]㊂
目前，在新能源汽车驱动器中，由于电解电容的耐电压不高及其自身通过的纹波电流一般较低，为了能满足应用要求，往往需采用串或并联结构，从而大大增加了驱动器的重量与体积[9]，且其可靠性较差㊂因此近年来，随着国内外新能源汽车产业的崛
起，聚合物薄膜电容器以其轻便㊁高效㊁易加工㊁环境友好以及高可靠性等优势，受到越来越多的青睐㊂
64㊀电工电能新技术第38卷第3
贴片变压器
期
图1㊀商业电容器的适用范围
Fig.1㊀Range of commercial capacitors
相比于电解电容器，聚合物薄膜电容器的储能密度一般较低(<3J/cm3)，但其工作温度更高，商业产品可达105ħ(电解电容的工作温度一般低于85ħ)㊂但随着电子器件朝着大功率㊁小型化以及轻量化的方向发展，开发耐高温㊁耐高压㊁高储能密度㊁低损耗㊁低成本㊁环境友好型的高效能量存储与转换的直流母线支撑电容器势在必行[10]，从而对薄膜电容器的功能电介质材料及电解电容器的电解质材料的性能提出了更高的要求㊂例如，为了提升薄膜电容器的性能，要求电介质材料同时具有高介电常数㊁低介质损耗以及高击穿场强，然而这三者之间往往互相制约，难以同时获得提高㊂因此如何破解这种倒置关系成为电介质材料亟待解决的关键问题[11]㊂本文综述了电解电容器以及聚合物薄膜电容器关键功能材料的研究现状，并对其优缺点进行对比分析，展望了聚合物薄膜电介质材料的发展前景及研究方向，并提出了一些有效的措施，希望对国内聚合物薄膜电容器的研究发展起到一定的推动作用㊂2㊀电解电容器关键功能材料
电解电容器频率特性好㊁损耗小，但成本高㊁耐压值低㊁易老化[12]㊂且其电介质材料比较固定，一般与选取的电极材料有关(如铝作电极时，电介质为Al2O3；钽作电极时，电介质为Ta2O5；铌作电极时，电介质为NbO或Nb2O5)，其性能主要与负极材料也就是电解质材料密切相关[13]㊂近年来，随着电子产品向轻型㊁薄型和小型化的方向发展㊂电解电容器肩负着大电容量的任务，但由于其正负极具有方向性，导致其难于集成化，已成为电解电容器所面临的主要问题㊂此外，电解质电容器还面临以下方面的问题:①如何克服传统电解电容器在电解液中浸渍时产生的电解液泄漏风险;②如何制备高比表面积的阳极金属材料;③如何解决阳极氧化物介电薄膜在热与电应力集中时易遭受破坏㊂
2.1㊀耐高温电解质材料
为了提高电解质的耐温性能，并克服传统电解电容器在电解液中浸渍时产生的电解液泄漏风险㊂Morita等[14]采用碳酸乙烯酯基(EC)溶液作为铝电解电容器的电解质㊂研究表明，在含有碳酸丙烯(PC)㊁γ-丁基内酯(BL)或环丁砜的溶液中，烷基胺盐的电解导电性随溶剂组成和盐离子半径的大小而变化㊂当四乙胺马来酸氯(TEAM)的浓度为0.5M 时，在20mol%EC与80mol%BL组成电解液中，其电导率达到最大值9.8ˑ10-3S/cm㊂碳酸盐溶剂(EC和PC)的热稳定性低于BL和环丁砜，电解质盐(TEAM和TEAP)在85ħ处理500h过程中具有较好的热稳定性㊂在含有2700ppm H2O的TEAM/ EC和BL混合溶液中，铝电极的阳极氧化电压保持在170V以上，说明该电解质系统有望获得良好的氧化铝膜修复性能㊂
Trombetta等[15]采用离子液体1-丁基-3-甲基咪唑-四氟硼酸酯(BMI.BF4)和甘马-丁基内酯(GBL)作为铝电解电容器的浸渍电解液，对氧化铝的稳定性进行了研究㊂结果表明，电解质X BMI.BF4=0.2，温度为70ħ时，离子电导率最高达到40mS/cm㊂所有被研究的电解液在浸入30天后的总电容值在1~ 8μF㊃cm-2之间变化㊂电解质/Al2O3/Al系统的极化电阻和总电容随浸泡时间略有下降，表明Al2O3/Al 在离子液体BMI.BF4/GBL中具有较好的稳定性㊂Park等[16]则通过溶胶-凝胶法和阳极氧化法在铝箔表面上制备了Zr-Al2O3复合氧化物薄膜，并将其用于铝电解电容器㊂采用2-甲基-1,3-丙二醇(MPD)和硼酸溶液作为电解液，来抑制阳极化过程中O-2的演化㊂研究表明，复合氧化物薄膜的层厚度随MPD比例的
增大而减小，且Zr-Al2O3/Al在该电解液中具有较好的温度稳定性㊂缺氧池
Lee等[17]将聚吡咯(Ppy)掺杂的二乙基磺基琥珀酸钠盐(Ppy-DEHS)和丁基萘磺酸钠盐(Ppy-BNS)溶解到不同的有机溶剂中(DMF㊁NMP㊁CHCl3㊁三氟乙酸)来制备Ppy电解质溶液㊂研究表明，以Ppy-DEHS为电解质的钽电解电容器在三氟乙酸溶液中表现出较高的比容量和较低tanδ㊂使用含有表面活性剂和偶联剂的Ppy电解质溶液也呈现出高容量和低tanδ㊂该研究不仅提高Ppy电解质的导电性及热稳定性，而且还加强Ppy电解质和氧化钽之间的亲和力㊂
刘光辉，佟㊀辉，徐㊀菊，等.新能源汽车用直流母线电容器关键功能材料研究进展[J].电工电能新技术,2019,38(3):63-73.
65㊀
2.2㊀高比表面积阳极金属材料
近年来，为了提高电解电容器的电容量，最常用的方法是通过增大阳极金属材料的比表面积来实现㊂主要包括以下两种方法:①通过表面刻蚀的途径来增大其表面粗糙度，进而增大其比表面积;②通过脱合金化反应来减小阳极金属球的颗粒尺寸，从而增大其比表面积㊂
目前，采用电化学刻蚀法对阳极金属材料进行表面刻蚀，对增大其比表面积来讲是一种行之有效的途
径㊂Ban 等[18]研究了将高分子缓蚀剂聚苯乙烯磺酸(PSSA)添加到3%HNO 3溶液对铝电解电容
器用电化学直流蚀刻法拓宽预刻蚀铝箔孔隧道的影响㊂结果表明，采用0.15mL ㊃L -1的PSSA，可在抑制铝箔腐蚀隧道外表面的溶解的同时，促进铝箔腐蚀隧道内表面的溶解㊂隧道从圆锥向圆柱的形态转变的同时，使铝箔表面凹陷的弱化，导致铝箔的表面积和比电容明显增大㊂另外，采用PSSA 可以降低腐蚀隧道扩大过程中铝箔的厚度及重量的减少量㊂
Choi 等[19,20]采用电化学刻蚀法来增大Nb 的比
表面积㊂结果表明，在电压为20V,2wt%HF 的丙醛溶液中对Nb 表面刻蚀6h 后，使Nb 的比表面积增
大了40倍，此时铌电解电容的电容量为271.4μF /cm 2㊂另外，该课题组通过在甲醇电解液中对铌箔进行电化学刻蚀㊂研究表明，坑密度和深度与HF 浓度及电位呈非线性关系，即在每个应用电位处都存在一个最佳的HF 浓度㊂在50V 的0.99vol.%HF 中得到最佳刻蚀条件，处理后其电
容量达到350mF /cm 2㊂并利用SEM 和电化学阻抗谱对不同条件下的Nb 箔表面上的凹坑密度和凹坑深度进行了测量，提出了适用于刻蚀铌箔的等效电路模型㊂
另外一种用来增加阳极金属颗粒比表面积的方法是通过脱合金化反应来减小阳极金属球的颗粒尺寸，从而增大其比表面积㊂例如为了增加金属Nb 颗粒的表面积，同时减小用作电容器的Nb 阳极小球的韧
带大小,Kato 等[21]在Mg 熔体中加入Ce，并在923K 条件下，进行脱合金化反应㊂结果表明，经420s 的脱合金化处理,Nb 在Mg 95.7Ce 4.3熔体中最小
韧带尺寸为100nm，且使Nb 阳极颗粒的比表面积增加至4.3m 2/g，比电容量增加至875000μFV /g㊂
Kim 等[22]人的研究表明，将Ni-Nb 前驱体浸没
在Mg 熔体中,Ni 首先被选择性地溶解到Mg 熔体中，而残余的Nb 将自组装成一个双连续结构㊂然
后经过HNO 3处理将Mg 移除后，得到具有多孔(孔径为亚微米级)的金属Nb，并将其应用作固体电解电容器阳极㊂结果表明，经脱合金化处理后,Nb 的比表面积增加到 3.92m 2/g，比电容量增至
500000μFV /g㊂
此外，也可通过采用不同形貌的阳极金属材料，来提高电解电容器的电容量㊂He 等[23]研究了叶片厚度为2~20nm，具有多孔颗粒组成的片状钽粉(FrP200)的介电性能㊂结果表明，与球形钽粉(FTW300)相比FrP200粉体具有较强的耐烧结性能，在高温烧结下，片状钽粉的表面积比球形钽粉的
表面积损失较小㊂另外，片状钽粉在高压阳极氧化时比表面积相同的球形钽粉具有更高的比容，这表明片状钽粉更适用于生产中㊁高电压(20~63V)的固态钽电解电容器㊂
2.3㊀高性能阳极氧化膜材料
对于电解电容的阳极金属材料必需经过阳极化处理在其表面形成一层氧化物介电薄膜，而该介电薄膜在热和电应力集中的情况下易遭到破坏，从而造成漏电流增大，导致电容器失效㊂近年来，对于电解电容器的研究主要集中在如何制备高性能的阳极氧化物介电薄膜㊂
目前，制备高性能阳极氧化物介电薄膜较常用的方法主要包括表面改性㊁掺杂㊁脉冲阳极氧化沉积等方法，现针对不同方法进行简要介绍㊂Du 等[24]利用聚乙烯醇表面改性TiO 2，以促进其在铝箔表面的沉积，该策略能显著降低静电斥力，增加TiO 2在铝箔表面的沉积质量㊂结果表明，经过表面改性后，在21.2V 的耐受电压下，得到了131.5μF ㊃cm -2的
比电容，与没有TiO 2沉积层的电容器相比，其比电容量大约增强了60%，与没有表面修饰的TiO 2相比，比容量提高了约30%㊂
Kao 等[25]以n-型多晶硅/氧化物/p-型硅基板
为对照组，制备高介电常数的Ta 2O 5介电电容器㊂并通过将Ti 添加到钽氧化物中，在相同的n-型多晶硅/氧化物/p-型硅基板上制备了高介电的Ta 2TiO 7电容器作为比较组㊂结果表明，对于快速退火处理后的Ta 2TiO 7介电体比Ta 2O 5介电体具有更高的有效介电常数㊁更高的击穿强度㊂经快速退火处理，不
仅可以钝化Ta 2TiO 7中的悬空键和缺陷陷阱，抑制界面层的形成，而且还使其具有较高的介电常数㊂
Noai 等[26]采用脉冲阳极氧化法在平均孔径为
250nm，比表面积为1000cm 2/g，电容为50000μF ㊃V /g
66㊀电工电能新技术第38卷第3期
的Ta球上形成一层Ta2O5电介质薄膜及一层导电聚吡咯薄膜㊂研究表明，在第一次脉冲时,Ta金属被阳极氧化，在Ta球上形成一层厚度为1.6~44nm 的Ta2O5薄膜㊂通过调节脉冲电流和时间，控制了聚吡咯薄膜的厚度，将聚吡咯薄膜均匀致密地沉积在Ta2O5-Ta上(沉积厚度为70~230nm)㊂通过交流阻抗分析，在100kHz时，以纳米多孔Ta2O5/Ta为阳极和聚吡咯层为阴极电容器的等效串联电阻为400mΩ㊂
Koyama等[27]以NbCl5为前驱体，采用溶胶-凝胶法在铝基底表面制备了一层Nb2O5薄膜，并研究了该阳极氧化膜的结构及介电性能㊂结果表明，涂覆Nb2O5层的阳极氧化膜具有双层结构：内部为Al2O3层，外部为Nb2O5层㊂另外，由于Nb2O5具有更高的介电常数，从而使具有Nb2O5涂层的阳极氧化膜试样的电容量比没有Nb2O5涂层试样的电容量提高了34%㊂
Li等[28]通过载荷试验和高温试验，对NbO阳极和Nb阳极的电性能稳定性进行了对比研究，并从热力
学和动力学的角度分析了NbO阳极稳定性高的原因㊂结果表明，由于NbO阳极基体中的氧抑制了Nb2O5阳极氧化膜中氧向基体的迁移，从而使阳极氧化膜具有较高的稳定性㊂NbO阳极对非晶态Nb2O5阳极氧化膜的结晶抑制能力较强，电性能稳定性优于金属Nb阳极㊂
3㊀薄膜电容器聚合物基介电材料
聚丙烯薄膜电容器作为直流母线支撑电容广泛应用于新能源汽车的驱动器中㊂其介质材料双轴取向聚丙烯(BOPP)是目前商业上最常用的介电高分子材料㊂其具有较高的击穿强度和较低的介电损耗，但是BOPP的介电常数不高(ʈ2.2)严重限制了其放电能量密度(一般小于1.6J/cm3)的提升㊂因此常采用如下方法对聚合物电介质材料进行三常数调控㊂后视镜套
3.1㊀高介电聚合物介电材料结构调控
相比于BOPP，聚偏氟乙烯(PVDF)及其共聚物是一类常见的铁电性聚合物，具有较高的介电常数，简单的VDF单体聚合的PVDF薄膜，其介电常数高达8.4~13.5，是高储能密度薄膜电容器中最具潜力的介电材料之一㊂此外,PVDF还具有非常好的化学稳定性㊁热电性及较高的拉伸强度㊂但其击穿场强较BOPP更低，且介电损耗较高，一般为0.04，导致其放电密度仍然不高㊂为了进一步提高PVDF基体材料的放电密度，人们通过调控结构，合成了一系列改性的PVDF基共聚物与共混物㊂
硬盘马达Klein等[29]研究发现在VDF与TrFE的摩尔比为64/36mol%和75/25mol%的二元共聚合物中，当CFE含量由0增加至9mol%时，共聚物出现弛豫铁电行为，极化回路变得无滞后，并表现出较高电致伸缩响应㊂研究表明，产生松弛行为的原因如下:P (VDF-TrFE-CFE)的极性域比P(VDF-TrFE)的极性域相对较小，从而使彼此连接的畴壁面积减小㊂当施加电场时，与P(VDF-TrFE)相比,P(VDF-TrFE-CFE)畴壁运动需要相对较低的能量㊂因此，由于链间距离的增加和链间耦合的减弱,P(VDF-TrFE-CFE)链可以自由移动，产生松弛行为㊂另外,P (VDF-TrFE)的性质和结构可以进一步通过向聚合物链中引入较大体积的第三共聚单体六氟丙烯(HFP)来调节㊂随着P(VDF-TrFE)共聚物中HFP 含量的增加，其最大极化强度以及残余极化随三元共聚物的结晶度变化而降低㊂当HFP浓度大于7 mol%时，三元共聚物的结晶完全被破坏，变成无定形态㊂当HFP含量增加到2.5mol%时，在电场强度为1000kV/cm时,P(VDF-TrFE-HFP)(62/38/ 2.5mol%)的P max由10.0μC/cm2降至5.0μC/cm2，此时P(VDF-TrFE-HFP)的介电常数和介电损耗分别为30和0.15㊂
Nan等[30]研究了P(VDF-TrFE-CFE)与PVDF 共混聚合物薄膜的介电性能㊂结果表明,PVDF的引入可以显著抑制P(VDF-TrFE-CFE)在低电场时电极化的早期过饱和，提高介电常数和击穿强度，从而显著提高复合材料的储能密度(如图2所示)㊂Zhang等[31]将导电聚苯胺(PANI)与P(VDF-TrFE-CTFE)共混，制备了一种全有机高介电常数(>1000,1kHz)的复合材料㊂研究表明，由于导电聚苯胺具有较高的介电常数(>105)，可使该共混聚合物表现出较高的介电常数㊂但是随着PANI浓度的增加，复合材料中的电场分布将变得越来越不均匀，从而大大降低其电击穿强度㊂
Wang等[32]采用湿法化学合成了酞菁铜低聚物(o-CuPc)，为改善其与聚合物的相容性，将其化学接枝到聚对氯甲基苯乙烯(PCMS)的分子链上㊂研究表明,PVDF与o-CuPc-g-PMCS共混物(o-CuPc-g-PCMS/PVDF)中o-CuPc-g-PCMS的颗粒尺寸约为70nm，小于o-CuPc/PVDF中o-CuPc颗粒尺寸的
刘光辉，佟㊀辉，徐㊀菊，等.新能源汽车用直流母线电容器关键功能材料研究进展[J].电工电能新技术,2019,38(3):63-73.
67㊀
图2㊀不同电场强度下PVDF,P(VDF-TrFE-CFE)和
40/60vol%(PVDF /P(VDF-TrFE-CFE))
纱窗角码
的储能密度[30]
Fig.2㊀Energy storage density curves of PVDF,
P(VDF-TrFE-CFE)and 40/60vol%
(PVDF /P(VDF-TrFE-CFE))under
different electric field intensity
[30]
1/7㊂此外,o-CuPc-gPCMS 在PVDF 基体中的分散性也得到明显提高，且具有较高的介电常数,o-CuPc-g-PCMS /PVDF 的介电常数大于325
(100Hz )，约为o-CuPc /PVDF 的7倍，高频时(1MHz)的介电常数也很高(约为130)㊂Saha 等
[33]
人以DMF 为溶剂将两种新型低聚酞菁铜衍生物与P(VDF-TrFE)进行共混㊂研究表明，在室温,100Hz
条件下该共混膜的最高介电常数为94，且在100ħ时具有长期的热稳定性㊂3.2㊀纳米复合物介电材料
近年来,BaTiO 3㊁BaSrTiO 3等高介电陶瓷被广泛
应用于聚合物纳米复合材料中㊂然而为了得到高介电常数的纳米复合物，往往在聚合物基体中需添加大量的填料颗粒(10vol%~50vol%)，这将严重破坏聚合物基体的柔韧性㊁易加工等性能㊂此外，由于填料与基体间介电常数的差异还会导致电场分布严重不均匀，从而大大增大材料的漏电电流，降低击穿场强㊂另外，填料与基体之间界面性能也会严重影响复合材料的使用寿命和力学性能，如何改善填料与基体的界面相容性是提高材料储能密度的关键㊂近年来，科研工作者针对填料表面的改性做了大量研究，具体的改性策略如图3所示㊂
由于铁电材料往往具有较大的剩余极化和较高的矫顽电场从而对复合物的储能性能产生不利影响㊂此外,
由于陶瓷填料与聚合物基体的介电常数
图3㊀几种纳米颗粒改性方法[34]
Fig.3㊀Several modification methods of nanoparticles [34]
差异较大，使复合材料中的电场分布不均，从而使其介电性能恶化㊂因此，在众多改性策略中，采用具有中等介电常数的Al 2O 3,SiO 2,TiO 2等无机填料或多巴胺(DA)等有机物作为高介电陶瓷填料的壳
层，来
改善填料与基体的介电常数差异，提高填料与基体的相容性㊁改善外电场的分布均匀性受到广泛关注㊂另外，具有高长径比的纳米纤维填料可以有效增强复合材料的介电常数，降低介电损耗，进而为高储能密度聚合物基介电材料的制备提供了一条新的途径㊂
Deng 等[35]制备了一种Al 2O 3为壳层包裹的BaTiO 3核壳结构(BT@Al 2O 3)㊂并采用PVDF 作为聚合物基体,BT@Al 2O 3为填料，系统考察Al 2O 3壳层与BT 之间的界面效应对PVDF 基纳米复合物薄膜介电性能的影响㊂结果表明，非晶态的Al 2O 3壳层不仅可以使复合材料保持高介电常数，而且也有效地降低了复合材料的电导损耗，改善了电场集中，进而提高了击穿强度，降低了能量损耗㊂此外,Yao 等[36]人的研究表明，在相同体积分数下，相比于BT /PVDF,BT@Al 2O 3/PVDF 纳米复合材料具有更高的介电常数和储能密度㊂在电场强度为360MV /m 时,2.5vol%BT@Al 2O 3/PVDF 纳米复合
材料的储能密度比纯PVDF 在400MV /m 处的储能密度高出一倍，分别为6.19J /cm 3和2.30J /cm 3，且具有更低的饱和极化率㊂分析表明,BT @Al 2O 3/
PVDF 纳米复合材料介电性能的显著提高与Al 2O 3包覆层密切相关，非晶态的Al 2O 3包覆层改善了BT
纳米颗粒的绝缘性能，减少了填料与PVDF 基体之间介电常数的差异，从而优化了填料与基体间局部电场的分布均匀性，提高了击穿强度，降低了介电损耗㊂
Guo 等[37]采用3,4,5-三羟基苯甲酸(GA)为表
豫公网安备41160202000603
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