模集复习笔记
By 潇然
I/V特性
1. I-V特性
2. 跨导
定义：VGS对IDS的控制能力（IDS对VGS变化的灵敏度）
饱和区跨导gm表达式：
棒球棍材料
,
1. 体效应
γ为体效应系数，典型值 沟道长度调制效应
`
MOS器件模型
n77定义：信号相对于偏置工作点而言比较小、不会显著影响偏置工作点时用该模型简化计算由gm、gmb、rO等构成低频小信号模型，高频时还需加上CGS等寄生电容、寄生电阻（接触孔电阻、导电层电阻等）
1. MOS小信号模型
微生物检查 ① 沟长调制效应引起的输出电阻
② 体效应跨导
《
2. 完整的MOSFET小信号模型
用于计算各节点时间常数、出极点
放大器的性能参数
AIC设计的八边形法则
;
分别为：速度、功耗、增益、噪声、线性度、电压摆幅、电源电压、输入输出阻抗 参数之间互相制约延时阀，设计时需要在这些参数间折衷
共源级
1. 电阻负载
理想情况：
考虑沟长调制效应：
2. 二极管接法的MOS做负载
① NMOS二极管负载
）
存在体效应时的阻抗：
忽略η随Vout的变化时，增益只于W/L有关，与偏置电流、电压无关，线性度很好。
② PMOS管负载
、
缺点：a. 大增益需要极大的器件尺寸
pe附着力促进剂 b. 输出摆幅小
提高输出摆幅的方法：加电流源
3. 电流源做负载
4. 深线性区MOS管做负载
^
5. 带源极负反馈
①调速皮带轮 增益与跨导
！
随着RS增大， Gm和增益都变为gm的弱函数,提高了线性度；但以牺牲增益为代价。
另外，可以通过如下方法简便计算：
Av=“在漏极节点看到的电阻”/“在源极通路上看到的电阻”
② 输出电阻
豫公网安备41160202000603
站长QQ:729038198
关于我们
投诉建议