一种防伪转印膜的制作方法

1.本技术涉及防伪技术领域，具体而言，涉及一种防伪转印膜。

背景技术：

2.转印膜是一种可以应用于模内注塑件上的膜品。在注塑过程中将模内转印膜涂层转印到注塑件上，使得注塑件的表面形成了转印膜涂层所带的图案。
3.随着科技的发展，将转印技术与防伪技术结合的防伪转印膜深受市场欢迎，不仅可以使得产品的外观美观，也可以提高产品的防伪性。但是，目前防伪转印膜的防伪性能不佳，易被仿造。

技术实现要素：

4.本技术的目的在于提供一种防伪转印膜，其旨在改善现有的防伪转印膜的防伪性能不佳的技术问题。
5.本技术提供一种防伪转印膜，包括依次堆叠设置的基材层、离型层、成像层以及粘接层。
6.成像层靠近离型层的表面间隔设置有多个第一凹凸纹理结构，成像层靠近粘接层的表面间隔设置有多个第二凹凸纹理结构；沿堆叠方向，第一凹凸纹理结构与第二凹凸纹理结构交错设置。
7.第一凹凸纹理结构和第二凹凸纹理结构分别设置在成像层的靠近离型层的一面和远离离型层的一面，在将本技术提供的防伪转印膜转印到产品表面时，粘接层与产品表面粘结而离型层与成像层之间分离，使得成像层的表面呈现出具有触感的第一凹凸纹理结构和没有触感的第二凹凸纹理结构，有利于提高整个防伪转印膜的防伪效果。第一凹凸纹理结构和第二凹凸纹理结构沿堆叠方向交错设置，使得成像层的表面呈现的第一凹凸纹理结构和第二凹凸纹理结构是交错开的，有利于进一步提高整个防伪转印膜的防伪效果。
8.在本技术的一些实施例中，上述离型层靠近成像层的一面间隔设置有用于容纳第一凹凸纹理结构的凹槽。
9.离型层靠近成像层的一面间隔设置有用于容纳第一凹凸纹理结构的凹槽，有利于避免成像层上的第一凹凸纹理结构因受到离型层的挤压而损坏，进而有利于保障转印后成像层上第一凹凸纹理结构的成像和触感效果。
10.在本技术的一些实施例中，上述基材层靠近离型层的一面设置有连续的第三凹凸纹理结构，且沿堆叠方向，第三凹凸纹理结构的形状与第一凹凸纹理结构的形状一致；基材层靠近离型层的一面具有封堵区域，沿所述堆叠方向，封堵区域与第二凹凸纹理结构对应设置；离型层与基材层之间还设置有第一封堵层，第一封堵层覆盖封堵区域。
11.上述设置方式，有利于使得离型层在与第一封堵层和基材层贴合接触时，沿堆叠方向，离型层远离基材层的表面并与第一封堵层对应的位置为平整结构，而离型层远离基材层的表面并与未设置第一封堵层处对应的位置形成与第三凹凸纹理结构形状一致的凹
凸结构，进而使得离型层远离基材层的表面能够形成与第一凹凸纹理结构的形状一致的凹槽，可以在保障离型层不破坏第一凹凸纹理结构的基础上，提高离型层与成像层之间的接触面积，进而有利于保障防伪转印膜在未转印时，离型层与成像层之间具有一定的连接强度而不易相互剥离。
12.在本技术的一些实施例中，沿堆叠方向，第三凹凸纹理结构的凹陷处的尺寸大于离型层的尺寸。
13.上述设置方式，有利于使得离型层远离基材层的表面能够形成与第一凹凸纹理结构的形状一致的凹槽。
14.在本技术的一些实施例中，沿堆叠方向，第三凹凸纹理结构的凹陷处的尺寸为1-4μm，离型层的尺寸为0.2-1μm。
15.在本技术的一些实施例中，上述成像层包括相互连接的第一成像子层和第二成像子层；第一成像子层设置于离型层远离基材层的一侧，第二成像子层设置于第一成像子层远离离型层的一侧；第一凹凸纹理结构设置于第一成像子层靠近离型层的表面，第二凹凸纹理结构设置于第二成像子层远离第一成像子层的表面。
16.在本技术的一些实施例中，上述成像层与粘接层之间还设置有反射层。
17.反射层的设置，不仅可以增强第一凹凸纹理结构和第二凹凸纹理结构的反射效果；还可以用于阻隔粘接层与成像层直接接触，有利于避免粘接层部分填充于第二凹凸纹理结构中而影响第二凹凸纹理结构的成像效果。
18.在本技术的一些实施例中，上述反射层与粘接层之间还设置有印刷层，印刷层用于使成像层呈现出印刷层具有的图案和/或颜。
19.印刷层的设置，可以增强第一凹凸纹理结构和第二凹凸纹理结构的图像或者颜效果，有利于提高防伪转印膜的防伪效果。
20.在本技术的一些实施例中，上述反射层的透光率为82-92％。
21.由于印刷层设置于反射层远离成像层的一侧，设置反射层的透光率为82-92％，有利于使得印刷层更好地增强第一凹凸纹理结构和第二凹凸纹理结构的图像或者颜效果。
22.在本技术的一些实施例中，沿堆叠方向，第一凹凸纹理结构的凸出处的尺寸为1-4μm，第二凹凸纹理结构的凹陷处的尺寸为1-6μm。
附图说明
23.为了更清楚地说明本技术实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本技术的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
24.图1示出了本技术实施例提供的防伪转印膜的剖视图。
25.图标：100-防伪转印膜；101-第一方向；110-基材层；111-第三凹凸纹理结构；120-离型层；130-成像层；131-第一凹凸纹理结构；132-第二凹凸纹理结构；133-第一成像子层；134-第二成像子层；140-粘接层；151-第一封堵层；152-第二封堵层；160-反射层；170-印刷层。
具体实施方式
26.为使本技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本技术实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。
27.因此，以下对在附图中提供的本技术的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本技术的范围，而是仅仅表示本技术的选定实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
28.应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。
29.在本技术实施例的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“左”、“右”、“前”、“后”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，或者是该申请产品使用时惯常摆放的方位或位置关系，或者是本领域技术人员惯常理解的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的设备或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。
30.在本技术实施例的描述中，还需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“设置”、“安装”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。
31.实施例
32.图1示出了本技术实施例提供的防伪转印膜100的剖视图，请参阅图1，本实施例提供一种防伪转印膜100，防伪转印膜100包括依次堆叠设置的基材层110、离型层120、成像层130以及粘接层140。基材层110作为整个防伪转印膜100的结构基础，用于保障整个防伪转印膜100的结构强度。粘接层140用于与产品表面粘接。在防伪转印膜100转印到产品表面时，粘接层140与产品表面粘结，而相互接触的离型层120与成像层130之间相互分离，转印后的成像层130位于产品表面的最上方，进而使得成像层130可以成像以实现防伪效果。
33.定义基材层110、离型层120、成像层130以及粘接层140的堆叠方向为第一方向101。
34.成像层130靠近离型层120的表面间隔设置有多个第一凹凸纹理结构131，成像层130靠近粘接层140的表面间隔设置有多个第二凹凸纹理结构132。沿第一方向101，第一凹凸纹理结构131和第二凹凸纹理结构132交错设置，使得防伪转印膜100转印于产品表面后，成像层130可以呈现出具有触感的第一凹凸纹理结构131和没有触感的第二凹凸纹理结构132，且成像层130呈现的第一凹凸纹理结构131和第二凹凸纹理结构132是相互交错开的，有利于提高整个防伪转印膜100的防伪效果。
35.作为示例性地，沿第一方向101，第一凹凸纹理结构131的凸出处的尺寸为1-4μm，第二凹凸纹理结构132的凹陷处的尺寸为1-6μm。需要说明的是，本技术不对沿第一方向101，第一凹凸纹理结构131的凸出处的尺寸和第二凹凸纹理结构132的凹陷处的尺寸进行限定。
36.在防伪转印膜100中，由于成像层130与离型层120相互接触，为了有效避免成像层130上的第一凹凸纹理结构131受到离型层120的挤压而损坏，以保障转印后的成像层130上第一凹凸纹理结构131的成像和触感效果，在本实施例中，离型层120靠近成像层130的一面间隔设置有由于容纳第一凹凸纹理结构131的凹槽(图中未示出)。
37.由于离型层120上设置有凹槽，为了使得防伪转印膜100在未进行转印时，离型层120与成像层130之间具有一定的连接强度而不易相互剥离，在本实施例中，沿第一方向101，设置凹槽与第一凹凸纹理结构131相抵触且凹槽的形状与第一凹凸纹理结构131的形状一致，可以在保障离型层120不破坏第一凹凸纹理结构131的基础上，提高离型层120与成像层130之间的接触面积，进而有利于保障防伪转印膜100在未进行转印时，离型层120与成像层130之间具有一定的连接强度而不易相互剥离，有利于提高整个防伪转印膜100的结构稳定性。
38.为了实现离型层120远离基材层110的一面能够形成与第一凹凸纹理结构131的形状一致的凹槽，在本实施例中，在基材层110靠近离型层120的一面设置连续的第三凹凸纹理结构111，且沿第一方向101，第一凹凸纹理结构131与第三凹凸纹理结构111的形状一致。基材层110靠近离型层120的一面设置有封堵区域(图中未示出)，且沿第一方向101，封堵区域与第二凹凸纹理结构132对应设置。并在离型层120与基材层110之间设置第一封堵层151，第一封堵层151覆盖封堵区域，以使基材层110靠近离型层120的一面形成与第一凹凸纹理结构131对应的且间隔分布的凹凸纹理结构。将离型剂涂布于第一封堵层151和基材层110靠近成像层130的一面时(或将离型层120在与第一封堵层151和基材层110贴合接触时)，沿第一方向101，离型层120远离基材层110的表面并与第一封堵层151对应的位置为平整结构，而离型层120远离基材层110的表面并与未设置第一封堵层151处对应的位置形成与第三凹凸纹理结构111形状一致的凹凸结构，进而使得离型层120远离基材层110的表面能够形成与第一凹凸纹理结构131的形状一致且能够容纳第一凹凸纹理结构131的凹槽。
39.进一步地，在本实施例中，沿第一方向101，设置第三凹凸纹理结构111的凹陷处的尺寸大于离型层120的尺寸，有利于使得离型层120远离基材层110的表面能够形成与第一凹凸纹理结构131的形状一致的凹槽。
40.作为示例性地，沿第一方向101，第三凹凸纹理结构111的凹陷处的尺寸为1-4μm，离型层120的尺寸为0.2-1μm。需要说明的是，本技术不对沿第一方向101，第三凹凸纹理结构111的凹陷处的尺寸和离型层120的尺寸进行限定。
41.作为示例性地，第三凹凸纹理结构111通过在基材层110的表面进行机械加工形成。第一封堵层151为透明树脂。
42.需要说明的是，在其他可行的实施例中，也可以不设置封堵区域和第一封堵层151，而是采用局部机械加工的方式，直接在基材层110靠近离型层120的表面制作出间隔分布的第三凹凸纹理结构111。
43.在本实施例中，成像层130包括相互连接的第一成像子层133和第二成像子层134。第一成像子层133设置于离型层120远离基材层110的一侧，第二成像子层134设置于第一成像子层133远离离型层120的一侧。第一凹凸纹理结构131设置于第一成像子层133靠近离型层120的表面，第二凹凸纹理结构132设置于第二成像子层134远离第一成像子层133的表面。
44.进一步地，在本实施例中，第一成像子层133的材质为uv固化树脂，第二成像子层134的材质为热塑性树脂或者uv固化树脂。
45.作为示例性地，第一成像子层133通过将uv固化树脂涂覆于离型层120远离基材层110的一面而固化形成。由于离型层120远离基材层110的一面具有与第一凹凸纹理结构131的形状一致且用于容纳第一凹凸纹理结构的凹槽，将uv固化树脂涂覆于离型层120远离基材层110的一面并固化后，可以使得第一成像子层133靠近离型层120的表面形成间隔分布的第一凹凸纹理结构131。
46.作为示例性地，第二成像子层134通过在第一成像子层133远离离型层120的表面涂覆热塑性树脂形成，并在第二成像子层134远离基材层110的一面通过模压版辊模压形成间隔分布的第二凹凸纹理结构132；或者，采用uv模压机在第二成像子层134在第一成像子层133远离离型层120的表面涂布耐磨uv固化树脂固化形成第二成像子层134，并在第二成像子层134远离基材层110的一面进行紫外模压形成间隔分布的第二凹凸纹理结构132。
47.进一步地，本技术通过先在第二成像子层134远离基材层110的一面通过模压版辊模压形成连续的凹凸纹理结构，再在第二成像子层134远离第一成像子层133的一面设置第二封堵层152；第二封堵层152用于封堵第二成像子层134上的凹凸纹理结构，且沿第一方向101，第二封堵层152与第一凹凸纹理结构131对应设置，以使第二成像子层134远离第一成像子层133的一面形成第二凹凸纹理结构132，且沿第一方向101，第二凹凸纹理结构132与第一凹凸纹理结构131交错分布。
48.由于成像层130包括相互连接的第一成像子层133和第二成像子层134，为了增强第一成像子层133和第二成像子层134之间的附着力，在本实施例中，先在第一成像子层133靠近第二成像子层134的一面进行电晕处理，再将第二成像子层134与第一成像子层133连接。
49.需要说明的是，在其他可行的实施例中，也可以不设置第二封堵层152，而是采用局部机械加工的方式，直接在第二成像子层134远离第一成像子层133的表面制作出间隔分布设置的第二凹凸纹理结构132。
50.在本实施例中，基材层110的材质为聚对苯二甲酸乙二醇酯。需要说明的是，本技术不对基材层110的材质进行限定。
51.在本实施例中，成像层130与粘接层140之间还设置有反射层160。由于本实施例中成像层130包括相互连接的第一成像子层133和第二成像子层134，反射层160则设置于第二成像子层134与粘接层140之间。反射层160的设置，不仅可以增强第一凹凸纹理结构131和第二凹凸纹理结构132的反射效果；还可以用于阻隔粘接层140与成像层130直接接触，有利于避免粘接层140部分填充于第二凹凸纹理结构132中而影响第二凹凸纹理结构132的成像效果。
52.为了增强第一凹凸纹理结构131和第二凹凸纹理结构132的图像或者颜效果，在本实施例中，在反射层160与粘接层140之间还设置有印刷层170，印刷层170用于使成像层130呈现出印刷层170具有的图案和/或颜，有利于提高防伪转印膜100的防伪效果。
53.作为示例性地，反射层160的材质可以为硫化锌。
54.进一步地，由于印刷层170设置于反射层160远离成像层130的一侧，为了避免反射层160影响印刷层170的增强第一凹凸纹理结构131和第二凹凸纹理结构132的图像或者颜
的效果，在本实施例中，设置反射层的透光率为82-92％。
55.本实施例提供的防伪转印膜100至少具有以下优点：
56.防伪转印膜100包括依次堆叠设置的基材层110、离型层120、成像层130以及粘接层140。成像层130靠近基材层110的一面间隔设置有间隔设置有第一凹凸纹理结构131，成像层130靠近粘接层140的一面间隔设置第二凹凸纹理结构132，在将本技术提供的防伪转印膜转100印到产品表面时，粘接层140与产品表面粘结而离型层120与成像层130之间分离，使得成像层130的表面呈现出具有触感的第一凹凸纹理结构131和没有触感的第二凹凸纹理结构132，有利于提高整个防伪转印膜100的防伪效果。第一凹凸纹理结构131和第二凹凸纹理结构132沿堆叠方向(即第一方向101)交错设置，使得成像层130的表面呈现的第一凹凸纹理结构131和第二凹凸纹理结构132是交错开的，有利于进一步提高整个防伪转印膜100的防伪效果。
57.以上所述仅为本技术的优选实施例而已，并不用于限制本技术，对于本领域的技术人员来说，本技术可以有各种更改和变化。凡在本技术的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本技术的保护范围之内。

技术特征：

1.一种防伪转印膜，其特征在于，包括依次堆叠设置的基材层、离型层、成像层以及粘接层；所述成像层靠近所述离型层的表面间隔设置有多个第一凹凸纹理结构，所述成像层靠近所述粘接层的表面间隔设置有多个第二凹凸纹理结构；沿堆叠方向，所述第一凹凸纹理结构与所述第二凹凸纹理结构交错设置。2.根据权利要求1所述的防伪转印膜，其特征在于，所述离型层靠近所述成像层的一面间隔设置有用于容纳所述第一凹凸纹理结构的凹槽。3.根据权利要求2所述的防伪转印膜，其特征在于，所述基材层靠近所述离型层的一面设置有连续的第三凹凸纹理结构；且沿所述堆叠方向，所述第三凹凸纹理结构的形状与所述第一凹凸纹理结构的形状一致；所述基材层靠近所述离型层的一面具有封堵区域，沿所述堆叠方向，所述封堵区域与所述第二凹凸纹理结构对应设置；所述离型层与所述基材层之间还设置有第一封堵层，所述第一封堵层覆盖所述封堵区域。4.根据权利要求3所述的防伪转印膜，其特征在于，沿所述堆叠方向，所述第三凹凸纹理结构的凹陷处的尺寸大于所述离型层的尺寸。5.根据权利要求4所述的防伪转印膜，其特征在于，沿所述堆叠方向，所述第三凹凸纹理结构的凹陷处的尺寸为1-4μm，所述离型层的尺寸为0.2-1μm。6.根据权利要求1所述的防伪转印膜，其特征在于，所述成像层包括相互连接的第一成像子层和第二成像子层；所述第一成像子层设置于所述离型层远离所述基材层的一侧，所述第二成像子层设置于所述第一成像子层远离所述离型层的一侧；所述第一凹凸纹理结构设置于所述第一成像子层靠近所述离型层的表面，所述第二凹凸纹理结构设置于所述第二成像子层远离所述第一成像子层的表面。7.根据权利要求1所述的防伪转印膜，其特征在于，所述成像层与所述粘接层之间还设置有反射层。8.根据权利要求7所述的防伪转印膜，其特征在于，所述反射层与所述粘接层之间还设置有印刷层，所述印刷层用于使所述成像层呈现出所述印刷层具有的图案和/或颜。9.根据权利要求8所述的防伪转印膜，其特征在于，所述反射层的透光率为82-92％。10.根据权利要求1-9中任一项所述的防伪转印膜，其特征在于，沿所述堆叠方向，所述第一凹凸纹理结构的凸出处的尺寸为1-4μm，所述第二凹凸纹理结构的凹陷处的尺寸为1-6μm。

技术总结

本申请涉及防伪技术领域，具体而言，涉及一种防伪转印膜。防伪转印膜包括依次堆叠设置的基材层、离型层、成像层以及粘接层。成像层靠近离型层的表面间隔设置有多个第一凹凸纹理结构，成像层靠近粘接层的表面间隔设置有多个第二凹凸纹理结构；沿堆叠方向，第一凹凸纹理结构与第二凹凸纹理结构交错设置。本申请提供的防伪转印膜在转印到产品表面时，粘接层与产品表面粘结而离型层与成像层之间分离，使得成像层的表面呈现出交错的且分别具有触感的第一凹凸纹理结构和没有触感的第二凹凸纹理结构，有利于提高整个防伪转印膜的防伪效果。有利于提高整个防伪转印膜的防伪效果。有利于提高整个防伪转印膜的防伪效果。