Cu pillar种子层腐蚀

Cu pillar种子层腐蚀工序作业标准

1. 目的和适用范围

本标准是，以形成具有可靠性的barrier metal为目的，适用于形成于圆片上的Cu pillar的种子层腐蚀处理。

2. 使用设备和材料

2.1. 腐蚀设备

2.2.　显影液浸渍处理设备

2.3.　PMER显影液P-7G

2.4. 醋酸 (99.8 %含有) 电子工业用

2.5. 5460a双氧水 (31 %含有) 电子工业用

2.6.　硫酸（97%含有）电子工业用

2.7. 纯水

2.8. Mel strip TI-3991

3.　显影液浸渍处理

作为Cu腐蚀前处理进行｡使用设备和条件如以下所规定。

　 3.1. 使用装置

显影液浸渍处理设备

3.2. 显影液浸渍处理条件（Cu腐蚀前处理）

根据表-1，通过PMER显影液P-7G进行处理。

　表-1　 Cu腐蚀前处理条件

4. Cu pillar品的腐蚀作业和条件

4.1.　处理流程和条件

根据表-2的流程服务器部署进行处理。

表-2 处理流程

p503

4.2.　Cu腐蚀液和调配条件

根据表-3，根据99.8%-醋酸, 31%-双氧水, 纯水，按照1 : 2 : 10的比例，总量35L。

药液是在腐蚀设备中按照以下精度进行调配。

表-3 Cuwifi文件传输腐蚀调配条件

通过搅拌pump，进行10分钟以上的搅拌，调配完成。

4.3.　 Ti腐蚀液和调配条件

根据表-4调配药液，总量35L。药液是在腐蚀设备中按照以下精度进行调配。

表-4 Ti腐蚀药液调配条件